硅衬底相关论文
全频段通信是未来无线通信的发展主要方向之一。其中,基于LED的可见光通信（VLC）技术有望在较低成本和能耗下实现室内通信和照明的复......
通过AFORS-HET软件模拟了TCO/a-Si:H(p)/a-Si:H(i)/c-Si(n)/a-Si:H(i)/a-Si:H(n)/Ag结构的硅异质结电池中硅衬底电阻率、本征非晶......
本论文利用Gaussian98程序,采用密度泛函理论B3LYP方法,在6-311G**基组下,研究了SinNm的稳定构型及PCl3/H2在硅衬底表面上反应机理......
石墨烯是一种由碳原子紧密堆积成的单层二维蜂窝状晶格结构的新材料,具有许多奇特的力学、电学和热学性能,使其在集成电路、功能性......
近日,我国自主研制的又一款4英寸高纯半绝缘碳化硅衬底产品面世。据报道,该碳化硅项目由是山东天岳研制而成的。中国电子材料行业......
报道锗硅合金在λ＝１．３μｍ的脊形单模光波导的设计、工艺及测量结果．这种光波导的传播损耗已达０．７ｄＢ／ｃｍ．脊形的高４～８μｍ，宽８～１２μｍ，均和单模光纤芯径相当．此外，其......
报道用射频加热化学汽相沉积法制备Ｓｉ／ＧｅＳｉ／Ｓｉ大断面单模脊形光波导中设计和工艺的进一步完善。ＧｅＳｉ合金层中Ｇｅ的含量ｘ要满足脊形光波导是单模、光波......
葡萄牙新里斯本大学科学与技术系材料研究中心的埃尔维拉·福图纳多及其同事,第一次使用一种纸质“介质”层制作出了场效应管(FET)......
将硅(Si)衬底上外延生长的氮化镓(GaN)基LED薄膜,通过电镀的方法转移到铜支撑基板、铜铬支撑基板以及通过压焊的方法转移到新的硅......
采用飞秒激光扫描P型单晶硅衬底上的碲单质膜层,实现了碲元素在硅中的N型掺杂,随后利用准分子激光对掺杂样品进行退火处理,制备了......
以获得高去除速率和低表面粗糙度为目标,建立了基于纳米氧化铈-硅溶胶复配混合磨料新模式。采用小粒径、低分散度的30 nm氧化铈-硅......
中共中央、国务院1月8日上午在北京隆重举行国家科学技术奖励大会。党和国家领导人习近平、李克强、刘云山、张高丽出席大会并向获......
介绍了一种SiC基GaN激光划片工艺。通过对划痕形貌、裂片效果、热效应和装配适应性四方面的分析,在几种氮化镓激光划片试验中优化......
期刊
本文通过“合成渐近”法得到有耗衬底射频集成电路中几种基本元器件的CAD公式。硅基射频集成电路采用硅衬底，其中上层介质（SiO）很薄，下......
GaN材料具有宽禁带,高熔点,高电子迁移率,高击穿场强以及高热导率等优越特性,广泛应用于发光器件(LED)、太阳能电池、高电子迁移率......
学位
聚焦离子束(FIB)是一种集高分辨率实时成像和微加工为一体的新型纳米加工技术,被广泛应用于半导体行业。相比于传统的镓离子(Ga)等......
纵观半导体照明技术的发展史,黄绿光等长波段的GaN基LED较低的发光效率,一直是半导体照明技术在照明领域得到广泛应用的一大阻碍。......
金属卤化物钙钛矿材料得益于其优异的光电性能、低成本的材料来源和制备流程,成为显示和照明领域有力的候选材料之一。由于量子限......
第三代半导体材料为半导体产业做出了不可估量的贡献,而其中GaN基材料则承担了主要角色,无论是纯粹的AlN、GaN、InN还是由它们掺杂......
权利要求1.一种钙钛矿/背接触晶硅叠层太阳能电池,其特征在于,它采用双结叠层结构,底电池为背接触晶硅太阳能电池,顶电池为钙钛矿......
用高功率的Ｎｄ３＋：ＹＡＧ脉冲激光轰击真空室内的石墨靶，形成激光等离子体雾状物质，在硅衬底上沉积形成类金刚石薄膜．用椭圆偏振光谱法测量不同衬底......
在半导体器件的制造工艺中,向硅衬底中掺以P型或N型杂质形成PN结的时候居多,但是,本文应用的是形成PN结最基本的方法——杂质热扩......
本文详细介绍了在微波频段,高阻硅衬底上的超导共面波导谐振腔的研究,包括设计方法、制备流程、实验测量和数据分析,并且对NbN和Nb......
追寻“发光梦”的人——江风益 江风益，南昌大学副校长、教授、博士生导师。南昌大学国家硅基LED工程技术研究中心主任。他带领......
分别设计制备了基于石英衬底和硅衬底的16通道200GHz二氧化硅可调复用器/解复用器。该器件由一个16通道200GHz的阵列波导光栅(AWG)......
GaN基材料及器件近年来逐渐成为人们的研究热点，尤其是GaN基LED。由于大尺寸GaN基体材料难以制备，因此GaN材料只能通过异质外延来获......
石墨烯是由单层碳原子组成的具有蜂窝状结构的零带隙二维晶体。作为一种新型材料石墨烯具有良好的电学和光学特性,使它在微集成电......
氮化镓（GaN）由于其禁带宽度大、化学性质稳定、耐高温、迁移率高等优点，在光电与功率微波器件方面得到了广泛的应用。目前GaN缺少同质......
近年来，GaN及其合金材料以其优异的物理与化学特性在蓝绿光发光二极管、激光器，以及高温、大功率、高频电子器件方面有着广阔的应用......
IrO2薄膜因具有良好的抗氧化性能、很强的催化活性以及很好的抗腐蚀性等,可广泛应用于电极材料、微电子、固态燃料电池和气敏元件......
学位
钙钛矿结构的锰氧化物具有接近100％的自旋极化率，在铁磁居里温度附近表现出庞大磁电阻效应而引起了广泛的关注。正是由于磁存储产业......
GaN基LED在照明领域获得了广泛应用,已经与人们的生活息息相关,但现有生产工艺的改进、新技术的开发、相关物理机理的研究仍然是整......
尽管目前光伏电池市场85％以上仍被体硅太阳能电池所占据，并且其组件也正在变得更便宜以及更高效，然而价格因素仍然是其发展的重要障碍......
自20世纪90年代初GaN基LED研制成功以来，随着技术的发展，氮化镓基LED的性能取得了很多突破性进展，日亚公司于1995年宣布蓝光GaN基LED......
GaN基半导体作为一种新的光电功能材料，以其宽直接带隙、高稳定性、高热导率、高硬度等优良性质，可广泛应用于显示指示、固态照明、......
该文首先将三维时域有限差分法与二重一阶摩尔吸收边界条件相结合,进行时域电磁场的分析与频域电特性参数的提取.并根据上述原理,......
氧化锌(ZnO)是一种多功能的Ⅱ-Ⅵ族宽带隙半导体材料。由于在短波长光电器件方面拥有巨大的潜在应用价值,近十年来,在全世界范围内......
ZnO薄膜作为一种新型宽带隙半导体材料,有其广泛应用。本文首先从理论上探讨了ZnO薄膜在微光器件中光电阴极上的潜在应用。并通过......
薄膜在技术工艺和科学研究中有非常广泛的应用,研究聚合物薄膜在不同条件下自组织的行为,可以更有针对性地保持薄膜的稳定性,同时......
材料的发展影响着人类社会的进程，每一种材料的出现都有可能影响到时代的变革，而每个时期人们对生活的不同需求又会激励新型材料的不......
