锗硅合金相关论文
Si和Ge是间接带隙半导体,它们的发光效率不高.但是,在Ge中引入一定含量的Sn可以使其变成直接带隙,大大提高发光效率.目前,在使用分......
文章根据Si1-xGex(锗硅)合金的CVD(化学气相淀积)生长特性和Grove理论,提出了Si1-xGex合金的生长分立流密度机制.基于分立流密度机......
在国产TDR-62硅单晶炉上采用直拉(CZ法),通过改进SiGe单晶生长热场和氩气流动方式,采用合适的生长速度,优化调整SiGe单晶生长工艺......
基于锗硅合金材料的特性和拉曼光谱理论，本文开展了该体系材料拉曼-力学关系的推导以及实验力学分析。首先从类金刚石晶体结构S......
根据脊形光波导的基本设计要求，分析了锗硅合金脊形波导的结构参数对其光传播特性的影响，并优化设计了结构参数，其合理性得到了实验验......
研究了Ｓｉ１－ｘＧｅｘ合金半导体中无声子参与光嗅迁的产机制，对由杂质无规分布引起的无声子参与光跃迁给出了一个物理模型。用此模型计算了光跃迁......
报道锗硅合金在λ＝１．３μｍ的脊形单模光波导的设计，工艺及测量结果。这种光波导的传播损耗已达０．７ｄＢ／ｃｍ。脊形的高４－８μｍ，宽８－１２μｍ，均和单模光纤芯径相当，此外......
报道用射频加热化学气相沉积法制备Ｓｉ／ＧｅＳｉ／Ｓｉ大断面单模脊形光波导中设计和工艺的进一步完善，ＧｅＳｉ合金层中Ｇｅ的含量Ｘ要满足脊形光波导是单模，光波导的......
进一步研究二个问题：（１）理论模拟的方法由快速傅里叶束传播法（ＦＦＴ－ＢＰＭ）改为有限差分束传播法（ＦＤ－ＢＰＭ）并比较了两者的优缺点。（２）模拟设计了对象提高为由ＧｅＳｉ合金......
简述了ＳｉＧｅ／Ｓｉ异质结器件的基本原理，锗硅合金的基本性质，及发展现状。
The basic principle of SiGe / Si heterojunction device, the ba......
叙述了ＳｉＧｅ／Ｓｉ异质结双极晶体管（ＨＢＴ）的工作原理以及一种双台面结构的逆向制造方法
Describes the working principle of the SiGe / Si heter......
本文提出了应变Ｓｉ１－ｘＧｅｘ价带结构的等价有效简并度模型．借助这个模型，计算了赝晶生长在（１００）Ｓｉ衬底上的Ｐ型Ｓｉ１－ｘＧｅｘ应变层的重掺杂禁带窄变，发现当杂质浓度超过......
报道用射频加热化学汽相沉积法制备Ｓｉ／ＧｅＳｉ／Ｓｉ大断面单模脊形光波导中设计和工艺的进一步完善。ＧｅＳｉ合金层中Ｇｅ的含量ｘ要满足脊形光波导是单模、光波......
针对应变Si_(1-x)Ge_x的应变致价带分裂和重掺杂对裂值的影响,提出了该合金价带结构的等价有效简并度模型。模型中考虑了非抛物线......
使用分子束外延（ＭＢＥ）技术制备了应变锗硅外延薄膜，并在不同温度下对样品等时热退火处理；采用侧面透射电子显微镜（ＸＴＥＭ）对退火样品进行观测，获得有......
对ＭＢＥ生长的ＧｅｘＳｉ１－ｘ合金膜用Ｒａｍａｎ光谱分析了其中的组分和应力，发现较厚的ＧｅＳｉ膜应变较小，说明随着膜厚的增加，合金膜内原子排列发生了弛豫。２０ｎｍ厚的Ｇｅ０．４Ｓｉ０．６样品经过......
为了验证Ｐ＋－ＧｅｘＳｉ１－ｘ／ｐ－ＳｉＨＩＰ红外探测器同ＭＯＳ信号读出电路单片集成的可行性，对Ｐ＋－ＧｅｘＳｉ１－ｘ／ｐ－Ｓｉ异质结内光发射（ＨＩＰ）红外深测器与ＣＭＯＳ读出电路的工艺兼容性做了分析，提出了一个可行的......
利用自行研制的超高真空化学气相沉积系统 ,在直径 3英寸的衬底硅片上生长了锗硅应变外延层 ,并进行了实时掺杂生长。利用双晶X射......
我们利用自行研制的ＵＨＶ／ＣＶＤ技术在直径３英寸的硅衬底上生长了锗硅外延层，并进行了实时掺杂生长．采用Ｘ射线双晶衍射和二次离子质谱技术确定了外......
基于有限差分法开发了一个 Gex Si1-x合金基区异质结晶体管 (Gex Si1-x HBT)模拟器GSHBT。通过解释一组输入语句 ,GSHBT可模拟任意......
美国伊利诺州立Ｕｒｂａｎａ Ｃｈａｍｐａｉｇｎ大学的ＪｏｈｎＷａｌｋｅｒ教授及其同事们在研究锗和硅的几个合金的晶体成长实验时 ,发现了磁场对其晶体成长过程的明显效果。锗硅合......
介绍了一种基于电阻率高达1000Ω.cm的硅衬底的锗硅异质结晶体管的研制。首先根据衬底寄生参数模型分析了衬底对器件高频性能的影......
我们用脉冲宽度120 fs、波长800nm、能量密度从0.1 J/cm2~0.5 J/cm2的激光束照射硅样品和锗硅合金样品表面能够生成各种低维形貌结......
本文简要介绍了分区变分法和Ⅳ族半导体能带的计算,给出了金刚石、硅和锗的能带.在此基础上又讨论了自洽能带计算和经验调整能带计......
用射频溅射方法制备了无定形锗硅合金 a-Si_(1-x)Ge_x: H膜的光学带隙随x值的增加而单调下降.用最小二乘法将光学带隙数据作线性拟......
用分子束外延方法生长了ｐ＋－ＧｅｘＳｉ１－ｘ／ｐ－Ｓｉ异质结，并用平面工艺制成了内光电红外探测器，器件截止响应波长达９μｍ，在５２Ｋ时，Ｒｖ５００Ｋ＝３．３×１０３Ｖ／Ｗ．
The p + -GexSi1-x / p-Si heter......
给出了适用于分析复杂结构ＨＢＴ的电荷传输延迟时间及截止频率的电荷分配模型（ＣＰ）。模拟了Ｓｉ／ＳｉＧｅＨＢＴ的高频特性。模拟结果显示Ｓｉ／ＳｉＧｅＨＢＴ的频率特性较ＳｉＢＪＴ大为改善，而......
根据脊形光波导的基本设计要求，分析了锗硅合金脊形波导的结构参数对其光传播特性的影响，并优化设计了结构参数，其合理性得到了实验验......
继研制成功单模脊形锗硅合金光波导后，进一步用这种光波导试制Ｙ分支器．文中用束传播法ＢＰＭ首先从理论上分析了波长λ＝１．３μｍ的光波在分支器中的......
美国伊利诺州立Urbana-Champaign大学的John Walker教授及其同事们在研究锗和硅的几个合金的晶体成长实验时，发现了磁场对其晶体成......
利用作者提出的二元相图数据计算活度的计算机程序CABPD（Calculating Activities from Binary Phase Diagrains）,计算得到此体系液相......
对ＭＢＥ生长的ＧｅｘＳｉ１－ｘ使合金膜用Ｒａｍａｎ光谱分析了其中的组分和应力，发现较厚的ＧｅＳｉ膜应变较小，说明随着膜厚的增加，合金膜内原排列发生驰豫。......
Based on theoretical analysis and computer-aided simulation, optimized design principles for Si/SiGe PMOSFET are given i......
针对应变Ｓｉ１－ｘＧｅｘ的应变致价带分裂及重掺杂对裂值的影响，提出了该合金价带结构的等价有效简并度模型和有关算法，模型中考察了非抛物线价带结......
介绍了用ＭＢＥ法生成ＳｉＧｅ／Ｓｉ新材料的无氧外延表面等关键技术。并据此外延生长出本征和掺杂Ｓｉ１－ｘＧｅｘ／Ｓｉ 测试结果与分析表明，该合金材料有效组成成分和电学......
给出了fr为15 GHz的SiGe HBT器件的高频小信号等效电路模型;运用微波网络理论,在Matlab软件平台上模拟出器件的S参数和H21参数曲线......
本文提出了应变Ｓｉ１－ｘＧｅｘ价带结构的等价有效简并度模型，借助这个模型，计算了赝晶生长在〈１００《Ｓｉ衬底上的ｐ型Ｓｉ１－ｘＧｅｘ应变层的重掺杂禁带窄变，发现当杂质浓度......
本文在对原有模型改进的基础上建立了一个Ｐ＾＋－ＧｅｘＳｉ１－ｘ／ｐ－Ｓｉ异质结内光发射长波红外探测器量子效率的解析模型。与原有模型相比，其特点是考虑了载流子......
给出了适用于分析复杂结构ＨＢＴ的电荷传输逢迟时间及截止频率的电荷分配模型（ＣＰ）。模拟了ｓｉ／ＳｉＧｅ ＨＢＴ的高特性。模拟结果显示Ｓｉ／ＳｉＧｅ ＨＢＴ的频率特性较ＳｉＢＪＴ大为改善......
针对应变Ｓｉ１－ｘＧｅｘ的应变致能带分裂及重掺杂对裂值的影响，提出了多子双带结构的等价有效简并度模型和有关算法。模型中考虑了非抛物线能带结......
采用解析的方法研究了应变Si1-xGe层中本征载流子浓度ni与Ge组分x、温度T、掺杂浓度Ⅳ的定量依赖关系；拟合了价带有效态密度公式和......
使用分子束外延技术制和轩了应变锗硅外延薄膜，并在不同温度下对样品等时热退火处理；采用侧面透射电子显微镜对退火样品进行观测，获得......
本文介绍一种新型太阳能电池用材料SixGe1-x合金。通过对三个特征峰进行分析，得出不同组分SixGe1-x。合金对应不同特征峰，其特性在Si......
本文对利用超高真空CVD方法生长的Si1-xGex合金外延层中的锗表面分布情况和Ge在界面偏析现象进行了深入的研究.通过XPS和SIMS图谱......
