碳化硅器件相关论文
三电平电路较之两电平电路,斩波频率高,谐波小,有利于滤波器的优化设计,以及能更好地用于高速电机的驱动.三电平电路中开关器件的......
三电平逆变器具有输出电压谐波小,等效的斩波频率高和易于实现高压大功率输出等优点,在工业界得到广泛的应用。三电平电路一般有I......
在电力电子应用中,性能优于硅功率器件的宽禁带功率器件得到广泛关注.然而,传统功率器件封装中的芯片顶部的电气互连结构现在已成......
为了满足功率模块在高功率高效率应用领域的要求,研制了一种由碳化硅(SiC)结势垒肖特基二极管(JBS)与硅(Si)基绝缘栅双极型晶体管(......
本文对1200V级碳化硅MOSFET的动静态特性进行了系统完整的测试和分析,并将其功率损耗特性与相同功率等级的硅基MOSFET进行了实验测......
本文针对碳化硅MOSFET的驱动电路进行了优化,并搭建了移相全桥变换器样机对驱动电路的实际工作效果及变换器效率进行了验证,实验结......
辅助供电系统是地铁车辆的重要组成部分,近年国内轨道交通行业发展势头迅猛,同时对辅助变流器的功率密度和效率提出了更高的要求,......
为准确的描述SiC MOSFET的静态特性和动态特性,本文提出了一种新型的SiC MOSFET的PSpice仿真模型.该模型由一个理想的MOSFET,加上......
比利时·蒙-圣吉贝尔和中国·北京–2019年4月8日–高温与长寿命半导体解决方案领先供应商CISSOID日前宣布:公司已与清华......
近年来,随着半导体行业的发展,以碳化硅为代表的宽禁带材料进入人们的眼球,碳化硅器件因其耐高压、耐高温、损耗低、开关速度快等......
随着科技的发展,航天、汽车电子、智能电网等各个领域,迫切需要一种在高辐射、高功率密度、高压高频等环境下仍然能够正常工作的功......
随着不可再生资源短缺和环境污染问题的逐步加剧,电动汽车得到了快速发展。相比于电缆接触式充电,无线充电技术由于可以使得充电操......
碳化硅(SiC)材料禁带宽以及原子临界位移能高,这些特性使得SiC器件抗辐射能力强,其在空间极端环境下有很大的应用前景,因此进行SiC......
在性能上的增长,纯硅功率晶体管有着令人羡慕的成绩,然而,对于高要求的功率开关和控制的应用上,它似乎已经到达了它的极限.......
碳化硅(silicon carbide,SiC)金属–氧化物半导体场效应晶体管(metal-oxide-semiconductor field-effect transistor,MOSFET)作为......
随着全球能源的不断开发和利用,能源的高效利用越来越受到人们的关注,传统的硅基器件在大功率装置中的转换效率不断提升,目前传统......
碳化硅(SiC)作为一种新型的宽禁带半导体材料,由于其优异的性能引起了广泛关注。SiC器件相比于传统的硅基功率器件具有开关损耗小......
碳化硅,作为所谓第三代半导体材料的一种,具有优越的电学、热学性质;宽带隙、高饱漂移速度、高截至电压、高热导率等等,因而在高温......
该文主要研究了碳化硅场效应器件的特性和器件制作的工艺技术.根据半导体器件物理理论,推导和编程计算了n沟6H-SiC MOSFET的阈值电......
论文给出了6H-SiC SBSD-MOSFET的基本结构及模型,并分析了其电流输运机制.根据其结构特点,我们可以将其看作是两上背靠背的肖特基......
该文的主要工作是:以碳化硅材料特性参数为基础,建立金属半导体场效应晶体管器件二维数值模型,较为准确地模拟了4H-SiC MESFET的静......
学位
碳化硅（SiC）MOS（金属-氧化物-半导体）功率器件是SiC材料高压高功率应用的重要组成部分。当SiC达到其临界击穿电场3MV/cm时，根据高斯定理......
碳化硅具有优越的材料性能，在高温、高频、大功率器件和集成电路制造领域有广阔的应用前景，是近年来国际半导体领域研究的热点之一。......
虽然对于电机控制和其他高要求的应用场合,碳化硅仍需进一步发展,但是它能提供良好的热导率、10倍的功率密度和明显比标准硅晶体管......
围绕高开关频率小功率单相交直交变换器效率提升问题,设计了一种基于SiC MOSFET的高效率单相三电平三桥臂变换器。该变换器主要包......
典型的中低速磁浮配置F轨吸力型悬浮系统,悬浮控制器作为系统的核心部件,起到为悬浮电磁铁提供电流,并控制高频电流以维持车辆稳定......
今年在德国纽伦堡举行的PCIM欧洲贸易博览会上，英飞凌公司展示了其首批汽车碳化硅产品：CoolSiC肖特基二极管产品系列，该产品系列可用......
ＳｉＣ具有禁带宽度大，热导率高，电子的饱和漂移速度大，临界击穿电场高和介电常数低等特点，在高频大功率，耐高温，抗辐照的半导体器件及紫外探测......
碳化硅（ＳｉＣ）是一种宽禁带半导体材料，适用于制作高压、高功率和高温器件，并可工作在从直流到微波频率范围。文章阐述了ＳｉＣ材料的性质，详细介绍......
介绍了基于C代码的器件建模方法。该方法利用了PSpice新提供的器件方程开发包中的源代码，能以简单方便的方式实现仿真速度快，精度高......
该鉴定会由中国电子学会组织，西安电子科技大学的郝跃院士担任鉴定会主任，中国IGBT技术创新与产业联盟、中电集团五十五所、电子科技......
<正> 由于单晶碳化硅(SiC)的出现,目前已经获得使用可维持单晶外延层的特种类型的定向多晶体的碳化硅(SiC)。以前研究人员认为此项......
采用缓慢氧化-稀释的HF刻蚀-沸水浸泡法(BW法)处理SiC表面,以减少其界面态.首次在100°C以下制备了6H-SiC肖特基二极管,其欧姆......
介绍了SiC功率器件的应用优势并将其应用到了大功率LD驱动源模块中;对SiC MOSFET的开关参数及特性进行了分析,并设计了一种简单实......
目前地铁车辆的辅助供电系统采用集中式供电方式,供电网电压等级提高至1500 V,由于目前全碳化硅(SiC)器件电压电流等级限制,所以采......
