Si基ZnO薄膜制备技术研究

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【摘要】

：

ZnO薄膜作为一种新型宽带隙半导体材料,有其广泛应用。本文首先从理论上探讨了ZnO薄膜在微光器件中光电阴极上的潜在应用。并通过对少数载流子扩散方程的求解推导了ZnO光电阴极的量子效率。为了将ZnO光电阴极实用化,采用磁控溅射方法在Si衬底上制备了ZnO薄膜,深入研究了Si基ZnO薄膜的结构和光学等特性。为了提高Si基ZnO薄膜的质量,我们研究了引入A1203缓冲层,深入研究了不同厚度A1203缓冲

【作者】

：

赵长春

【机构】

：

长春理工大学

【发表日期】

：

2012年03期

【关键词】

：

ZnO薄膜光电阴极缓冲层

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