硅探测器相关论文
量子雷达的快速发展给雷达对抗带来了颠覆性的挑战,对抗的难点在于侦察.文中针对现阶段量子雷达信号接收与无源测向等问题,开展了......
用活化法以Al(n,α)Na反应截面为中子注量标准,对14MeV能区中子引起的Ni(n,p)Co反应截面进行了测量.中子能量由硅探测器法测定.......
本文简单介绍了微机械工艺硅薄层探测器的制备过程,对Ф12mm、敏感层100μm的硅PIN探测器进行了测试,包括PIN结全耗尽电压、噪声、......
自从1895年伦琴发现X射线以来,辐射探测技术快速发展,被广泛应用于医疗影像、安检安防、工业无损检测、核安全监测、资源勘探、基......
为了适应铀矿普查的需要,研制了一种新型测氡仪器,称为阿尔发测氡仪。本文介绍用此种仪器在已知含铀带和新区取得的试验结果。文......
研究了空空导弹激光引信的关键器件——硅探测器的光谱和响应特性以及其选择和使用原则,提出利用附加的窄带滤光片的光谱特性实现......
采用飞秒激光扫描P型单晶硅衬底上的碲单质膜层,实现了碲元素在硅中的N型掺杂,随后利用准分子激光对掺杂样品进行退火处理,制备了......
与平面硅相比,黑硅对0.25~2.5μm波长光具有高吸收特性。为了提高硅光敏二极管的近红外灵敏度和响应时间,采用金属辅助刻蚀在光敏......
一、前言在420℃~1100℃温度范围内工作的辐射温度计,通常是以 IPTS 为依据,用一个比较黑体对照标准热电偶进行检定的。为改善检定......
一、前言如今,高温钨带灯已是分度单色高温计使用最广泛的传递标准。对这种用途来说,他们比黑体炉更受欢迎,因为:(1)点亮式温度改......
Melles Griot公司生产出一种新式的光束分析器,它能同时测量连续激光束的强度、两维或三维分布和装置。分析器由一个硅探测器、一......
ILX光波公司出售一种能同时测定500—1000nm波长激光光源的输出功率和波长的测量仪,是价格低廉实验用的高新产品。OMH—6700型硅......
铂化硅红外探测器技术在过去15年来已趋成熟,现在正被应用到新一代导弹导引头上。铂化硅探测器应用到何种程度,将取决于几个因素,......
铂硅红外探测器技术历经15年研究已经成熟,可将其用于新一代导弹导引头中。铂硅探测器的广泛使用将取决于多种因素,其中包括象元......
热象仪用的红外阵列红外探测器材料,如InSb、InGaAs、HgCdTe和PtSi等,可以做成各种阵列,包括扫描及凝视焦平面阵列和线性阵列。在许多新型工业用热成象产品......
本文介绍一种短波近红外(700~1100nm)过程分析仪的研制与应用。仪器在722型单光束光栅分光光度计的基础上研制成,包括光源、光栅单......
本文评述了红外电荷传输器件应用到系统的可能性。文章表明,器件工艺将给系统带来很大的影响。计算了量子效率、量子增益、频率响......
为分析固体表面天然氧的含量,我们选用~(16)O(d,p)~(17)O反应。当氘束能量E_d≤1MeV时,可发生两种反应:~(16)O(d,p_0)~(17)O和~(1......
红外(热)成象是电荷耦合器件应用的一个重要领域,因为电荷耦合器件提供了相当容易地与大量探测器结合的可能,因而有可能消除或减少......
本文评述了用于读出高密度探测器阵列的电荷耦合器件(CCDs)并着重探讨了与焦平面组装的锑化铟、(InSb)碲化汞镉(Hg-Cd-Te)和非本征......
1983年8月,美国SPIE学会在加州圣地亚哥市举办“红外探测器”专题学术会议。会后出版的会议录编号为SPIE Vol.443。会议主席、美......
本文研究用合乎规格的DKDP晶体样品在几何结构上形成共振的机制,共振是在锐利声模和有位移的模强耦合的条件下形成的。确定了在晶......
平面工艺制备半导体探测器始子六十年代,但因工艺复杂,需要的设备多,探测器的性能也不很突出,因此进展缓慢,各领域使用的硅探测器......
本工作测量近垒能区16O+76Ge和18O+74Ge体系的熔合反应,以研究正Q-2n转移道对熔合反应的影响。两个靶核的低激发态性质接近,18O+74......
近年来,直读式个人中子剂量计越来越广泛的应用于核电站等核设施场所。本文对目前常见的一种转换体和硅探测器组成的直读式个人中......
本世纪初,英国科学家欧内斯特·卢瑟福发现,受“蹯射气”(~(222)Rn)照射的各种材料板都收集到了一种由氡子体组成的“放射性沉积......
1.ST-108型 Nal(TI)簿窗井型晶 体 这是新研制生产的一种产品,它具有探测效率高、本底低等优点。本产品尤其适用于~(125)I放射免......
参考国外电解化学腐蚀和化学择优腐蚀工艺,经两年来数十次试验证实,这两种工艺只适用外延硅材料。我们探索了一种既适用于外延硅材......
P型硅单晶通常用来制备具有几个毫米厚的Si(Li)探测器,如果象高纯锗一样,硅单晶的纯度足够高,它不需要进行锂漂移就可制成较厚的......
本文主要叙述超纯P型硅探测器的制备和性能。应用浙江大学研制的超纯硅单晶制成50mm~2×1.5mm的Si(Hp)探测器,在室温10℃,对~(270)......
硅面垒探测器是半导体核辐射探测器中发展较早的一种器件,大多数情况下,采用N-型硅单晶,有些实验室也使用P-型硅单晶制备面垒探测......
用国产高阻(电阻率为10 kΩ·cm左右)的NTD(中子嬗变掺杂)硅单晶,采用“MOS”、离子注入工艺,研制了厚度为0.5—2.5 cm,面积25—1......
平面工艺制造半导体探测器,始于六十年代初期,但由于需要的设备多,工艺比较复杂,而探测器的电性能又不十分突出,致使该工艺很少被......
利用95MeV/u的~(16)O束产生的次级束流对半导体硅探测器进行了时间和能量定标。实验结果表明,由于次级束流提供的次级粒子种类多,......
对放射性工作人员而言,β、γ及热粒子产生的辐射对人体是有害的,因此需一台便携式监测器.一、硅探测器的选用在皮肤剂量监测中,......
本文描述了一个用于次级束流上作△E及位置灵敏测量的大面积(45mm×45mm)二维位置灵敏硅探测器。用α源对其性能进行了测试,精心选......
由穿透型Si探测器和BGO晶体组成的ΔE-E望远镜已用来探测由每核子25MeV的Ar引起的反应中发射的轻带电粒子。用ΔE-E方法来鉴别反应产物。研究了BGO晶体对......
用 ̄(239)puα源和40与70MeV的O和C离子在Au靶上的散射束对二维位置灵敏硅探测器的性能进行测试。结果表明:在这种测试条件下,在计算位置的公式中用能量信......
叙述了高阻硅和化合物半导体探测器的研制和它在核医学中的应用;着重分析了高阻硅探测器和GaAs探测器为满足在核医学中的应用以及......
确立了一种用于研究低能次级放射性束逆运动学核反应的实验方案。采取次级束的严格准直、反应产物的两维位置灵敏全立体角探测、抗......