分子束外延Al_xGa_(1-x)As中的持续光电导中心

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在掺硅分子束外延Al_xGa_(1-x)As中观察到一个持续光电导中心.当组份x=0.25时,热激活能为E_o=0.06eV.为了说明持续光电导主要来自该中心的贡献,必须确证样品不均匀性的贡献是次要的.提出了把迁移率温度关系作为判别标准. A continuous photoconductive center was observed in the Si-doped molecular beam epitaxy Al x Ga 1-x As As. For the x = 0.25 component, the thermal activation energy was E_o = 0.06 eV. To illustrate the contribution of persistent photoconductors mainly from this center , It is necessary to verify that the contribution of the sample inhomogeneity is secondary, and the temperature dependence of mobility is taken as the criterion.
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