条形激光器相关论文
利用MBE生长的GaAs/AlxGa1-xAs折射率渐变-分别限制-多量子阱材料(GRIN-SCH-MQW),经液相外延二次掩埋生长,制备了阈值最低达2.5mA(腔面未镀膜),光功率室温连续输出可达15mW/面的半导体......
采用两次液相外延(LPE)技术制备了1.3μmInGaAsP/InP内含吸收光栅的增益耦合型分布反馈(DFB)激光器,成功地利用湿法腐蚀光栅技术,控制了吸收光栅的形状和占空比......
具有单激活区域的二极管激光器的输出功率可达3W,但是,对许多应用,需较高的功率。为了满足高功率要求,可以把二极管激光器组合成......
美国密苏里州的Industrial Micropho-tonics公司生产的高功率二极管激光器阵列是由1—3个连续波或脉冲二极管组成。而最
Industr......
美国奥斯丁德克萨斯大学的研究人员。开发出GaAs基底的1.3μmInAs量子点激光器。由于它具有高特征温度和低阈值电流密度,终有一天......
双条形激光器是一类重要的单片集成式激光器。以激光器速率方程为基础,采用数值分析的方法,研究双条形激光器的非线性动力学行为,......
高功率阵列半导体激光器已得到广泛应用,对其质量和可靠性进行无损检测很有必要。在导数测试技术中,参数h是电导数曲线阈值处的下......
使用固态源MBE 系统进行锑化镓基量子阱激光器结构的外延生长,通过优化稳定生长条件,结合标准宽条形激光器制备工艺,获得了在1......
1992年4月,在日本学习和工作了近八年的罗毅和他刚刚完成博士论文答辩的妻子一起回到了祖国。罗毅1983年以优秀的成绩毕业于清华......
一、数字式声频光学圆盘唱机 1981年4~5月间,荷兰的菲利浦公司和日本索尼公司一起在欧美展出了他们的数字式声频光学圆盘唱机,(下......
本文描述的这种新型窄条扩散型GaInAsP/InP激光器不仅容易制作,而且在光输出功率大于35mW/端镜面、CW工作的条件下,显示出既稳定又......
定量研究了GaInAsP条形激光器在室温和室温以上直流工作的制约条件。激光器脉冲阈值电流、其温度敏感性、电学串联电阻以及焊接器......
本文报导了发射波长为1.5μm的InGaAsP/InP分隔多包层条形激光器。25℃下的CW阈值电流只有82mA,获得CW激射的最高温度为65℃。脉冲......
业已证明将顶层和衬底厚度调整到一适当值,可减小因键合工艺而引起的有源层应力。激射波长为740nm的(GaAI)As V形沟道衬底内部条形......
GaAlAs隐埋异质结激光器已经和双极晶体管实现单片集成。异质结晶体管是通过激光器的掩埋层进行再生长形成的。激光器阈值电流的典......
本文介绍了改进后的液相外延装置,并给出了多层液相外延的结果。一、引言多层液相外延是一种十分成功的晶体生长技术。国外采用这......
本文研究了用溅射的 SiO_2膜作为锌扩散掩模制作的 GaInAsP/InP 双异质结平面条形激光器的激射特性对条宽的依赖关系。条宽10、15......
以 ZnP_2为源的深度锌扩散已被用来制作发射波长在1.2~1.3微米范围内的条形双异质结 GaInAsP/InP 二极管激光器。这些器件表现出良......
我们利用透射X射线形貌技术观察了 n-GaAs衬底及 GaAs-Al_xGa_(1-x)AsDH外延片中的晶体缺陷,并且用高分辨率形貌技术与金相技术进......
一、引言所谓光纤通信就是利用光波在光导纤维中传递信息的一种通信方式。目前光纤通信系统中最重要的光源是半导体激光器或发光......
本文介绍InGaAsP/InP双异质结激光器的各种制管工艺,重点介绍隐埋条形和扩散条形的结构和工艺。
This article describes various......
据1937年日本举行的第6届OFC/IOOC会议的报导,日本冲电气公司在p型衬底上制作了V形槽内部条形1.3μm大功率激光器,其输出功率高达......
第1期硅耗尽层少子产生率的强电场效应···············,··…李志坚田立林马鑫荣(1)离子注人.Cq激光退火硅中的深......
本文主要描述了两相溶液法外延生长InGaAsP/InP系材料的实验方法及其结果。并给出了用该方法生长的InGaAsP/InP材料制作的1.3μm和......
本文介绍了我们研制的低阈值压缩双异质结构(CDH)激光器,目前最低阈值27.5mA(CW,21℃,腔长L=125μm).本文还讨论了降低 CDH激光器......
设计研制了一种新的低阈值、单模工作的(GaAl)As/GaAs激光器.该激光器结构巧妙地利用了非平面衬底液相外延的性质,所有外延层的生......
七十年代以来,Ⅲ—Ⅴ族半导体激光器实现室温连续工作后有了迅速的发展。半导体激光器有体积小、效率高、电注入及容易进行高频调......
将所设计的新结构半导体激光器──阶梯衬底内条形激光器推进到可见光波段(0.75—0.80μm)。器件直流阈值最低26mA,光功率线性15—......
用连续波电光检测法直接测量宽接触半导体激光器及激光器列阵的电场分布,分析器件的丝状发光现象,并初步解释了产生的原因。......
本文利用新型全固源分子束外延技术,对1.55μm波段的InAsP/InGaAsP应变多量子阱材料的生长进行了研究.在此基础上生长了多量子阱激......
<正> 二、引言在现代的科学技术中,随着微波器件、光电器件和光通讯的发展,特别是集成光学的提出,近几年新发展起来一种新的晶体生......
自从半导体激光器在15年前发明以来,已进入了实际应用——光通讯的一种光源。作为可靠通讯系统的一个部件,激光器必须可以重复生产......
<正>半导体激光器是光纤通信系统最有希望的光源.但是由于横模不稳定引起的L-I(光功率—电源)特性的扭曲,严重地影响了它的应用范围.......
<正> 作为光通信和光信息处理的光源——半导体激光器实现室温连续工作已经整整十年了。十年来,国外半导体激光器的研制工作一直开......