能带模型相关论文
有机半导体作为一种新型光电材料，近年来取得了重要的研究进展。针对有机材料的电致发光、载流子输运、光伏器件中形貌对能量转化效......
气敏半导体薄膜内的载流子浓度与薄膜表面吸附氧密度的关系,可以反映气敏薄膜的敏感性。本文采用刚性能带模型,计算了不同厚度的Zn......
通过顶电极金属材料的选择，考察金属-绝缘体-金属器件的I-V曲线的对称性．并用p-n-n能带模型进行了分析解释．结果表明，采用电负性小于1.......
在氢气气氛下对绝缘体表面进行热处理提高金属-绝缘体-金属（MIM）器件的I-V特性曲线的对称性，简化了该器件的制作工艺，并探讨底电极掺氮......
在重掺杂硼金刚石膜上溅射沉积了Ti/Au接触 ,用CTLM测量了样品退火前后的I-V特性 ,并对大电流情况进行了讨论。就测试温度和光照强......
1.用分子轨道法,并考虑单肽分子内部电子“供给”和“接受”基团的相互作用,计算基态和激发态的能极。确定单肽分子处于基态时,C—......
多年来,对于金属物性变化的解释及其表明方式,除众所周知的《元素周期表》法外,曾从不同角度提出过很多方法和经验公式,Wigner、S......
镧系稀土元素的若干奇异特性及其在钢中的优良作用早已引起人们的注意,但要更有效更广泛地应用它,就必须从电子结构的深度揭示其......
多年来,对于金属物性变化的解释及其表明方式,除众所周知的《元素周期表》法外,曾从不同角度提出过很多方法和经验公式,Wigner、S......
用光电子能谱、Auger电子能谱实验和量子化学计算研究了Ni-P和Pd-Ni-P非晶态合金的电子结构。结果表明:磷的s,p电子和Ni,Pd的s,d电......
目的研究La掺杂对SrTiO_3体系电子结构和导电性的影响。方法采用基于密度泛函理论(DFT)框架下的第一性原理平面波超软赝势方法。结......
利用电介质的平均能带模型计算了 ＲＥＢａ２Ｃｕ３Ｏ７（ＲＥ＝Ｅｕ，Ｙ）的化学键参数，得到 Ｃｕ（１）－Ｏ键的平均共价性为０．４１， Ｃｕ（２）－Ｏ 键的平均共价性为 ０．２８．应用由共价性和极化率定义的化学环境因......
用真空热蒸发方法在ＩＴＯ导电玻璃上镀制了ＭｏＯ３薄膜，在２５０℃条件下于空气环境中将薄膜进行一小时热处理。用Ｘ射线衍射（ＸＲＤ）方法分析薄膜的微观结构，用扫......
利用电介质的平均能带模型计算了Bi2 Sr2 Can- 1CunO2n +4 (n =1,2 ,3)的化学键参数 .应用由共价性和极化率定义的化学环境因子计......
采用直流反应磁控溅射方法在玻璃基底上成功地淀积了ｃ轴取向性好的ＺｎＯ薄膜。经过优化计算，获得并分析了不同氧分压下制备的ＺｎＯ薄膜的折射率......
采用解析能带模型对ZnS型薄膜电致发光器件的输运过程进行了MonteCarlo模拟 .利用分段的多项式拟合了ZnS的实际导带结构 ,计算了能......
用高频溅射法在P型硅衬底上生长了纳米硅薄膜,衬底温度控制在95℃左右,工作气体选用H2+Ar,氢气的分压控制在31%到70%,同时改变薄膜......
本文对用Ｆｅ、Ａｌ替代Ｃｏ的Ｌａ（Ｆｅ（０．７３）－ｘＣｏｘＡｌ（０．２７））（１３）系和用Ｒ（Ｃｅ，Ｐｒ，Ｎｄ，Ｓｍ，Ｄｙ，Ｇｄ）替代Ｌａ的Ｌａ１－ｚＲｚ（Ｆｅ（０．７１）Ｃｏ（０．０２）Ａｌ（０．２７））（１３）系的结构、磁性及磁熵变特性进行了研究。实验发现，Ｌａ（Ｆｅ（０．７８）－ｘＣｏｘＡｌ（０．２７））（１３）系的晶体结构均保持ＬａＣｏ（１３）的立方结构，每３ｄ原子的饱和磁矩与......
在Tl2Ba2Can-1CunO2n+4(n=1,2,3,4)系列超导性氧化物中,Tl2Ba2Ca2Cu3O10具有最高Tc值(125 K)．利用电介质的平均能带模型计算了Tl2Ba......
计算了SrTiO_(3-δ)(δ=0,δ=0.125)体系电子结构,分析了氧空位对SrTiO_3晶体的价键结构、能带、态密度、分波态密度、差分电荷密......
由于存在位置的空隙和结构的无序、每个原子所必要的价数需要接近于完整性的局部满足,故认为共价键无定形合金是本征半导体。这里......
本文研究了Si—SnO_2 异质结(Heterojunction)的电学和光学性质。半导体SnO_2薄膜是通过将蒸发在Si单晶(111)面上的Si进行连续氧化......
本文利用Kane的非抛物型能带模型及费密-狄拉克统计推得Hg_(1-x)Cd_xTe的本征载流子浓度公式为n_i=(1+3.25KT/Eg)9.56(10~(14))E_g......
本文使用单带双谷理论研究了GaAs/AlGaAs量于阱中的Г-X混和现象.介绍了Г态、X态和能级高于势垒的谐振态的特点.给出了谐振态能级......
系统研究了硅各向异性腐蚀对偏压的依赖及重掺杂的影响,建立了液一半接触能带模型和界面电荷传递模型,提出了反应注入概念且指出腐......
测量了GD a-Si:H/n-c-Si异质结的高频C-V特性,由平带电压的偏移,计算了有效表面电荷和表面态密度,应用突变异质结能带模型对结果作......
在电子工业中,为了制备低电阻率的Al合金薄膜,需要对薄膜进行退火。虽然材料的电阻率与其电输运性能密切相关,然而到目前为止,对于......
通过对电子型超导体Nd2-xCexCuO4(x=0.14，0.15)单晶ab面电阻率、热电势及热导的研究，发现x=0.14样品的热电势在42 K附近变号，而x=0.15......
该文研究了GaAs／AlGAs异质结果面的载流子限制效应及由此观察到的新的光致发光（PL）光谱。用蚀剂PL、Ps寿命测量及双晶X射线衍射技术，研......
金属氧化物（如ＺｒＯ２，ＴｉＯ２等）随氧分压不同而改变其电导率这一性质被广泛地用来制作氧敏传感器。传统的传感器大多是体材料或厚膜材料，工作时需加......
本文通过对荣华二采区10...
本文通过对荣华二采区10...
有机传输材料由于其低成本,易加工成型等优势被广泛应用于有机发光二极管,有机场效应管,以及光伏电池等领域。有机传输材料可以分......
用高频溅射法在P型硅衬底上生长了纳米硅薄膜,衬底温度控制在95℃左右,工作气体选用H2+Ar,氢气的分压控制在31%到70%,同时改变薄膜......
采用常规等离子体增强化学气相沉积工艺,以高H2稀释的SiH4作为反应气体源和PH3作为磷原子的掺杂剂,在p型(100)单晶硅((p)c-Si)衬底......
用能带模型研究了黄药与硫化矿物的作用机理，说明了硫化矿物表面捕收剂膜的稳定性与半导体能带结构的关系，并推导出黄铁矿Ｂａｒｓｋｙ关系式。对......
本文将非线性模型用于弹性隧道电流,详细地解释了Roberts（1978）、Ginnai（1980年）等人分别在Al/Al<sub>2</sub>O<sub>3</sub>/二十酸镉L......
由于受热力学基本定律的限制,Si集成电路技术的发展已经日益接近极限,而SiGe材料的引入使得占据小于1 GHz频段的Si产品可以进一步......
本文研究了线性电压作用下MIS结构的电场增强非平衡I/V瞬态.本文除了考虑到深能级中心在非稳态条件下有随时间而改变的产生率以外,......
以密度泛函理论结合跳跃模型,重点研究了氯原子和烷基链的引入对吲哚并咔唑类衍生物传输性质的影响.计算结果表明,与吲哚并[3,2-b]......
用脉冲激光沉积的方法在多孔硅（PS）衬底上沉积ZnO薄膜,在室温下测量了ZnO/PS异质结的结构及光学和电学性质.X射线衍射仪和扫描电子显......
