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MOCVD AlGaInP LED 外延片源气开关程序的研究
详细分析了MOCVDAlGaInPLED外延片中Ⅴ族源的空流保护作用、Ⅲ族源的存储效应以及Mg掺杂的延迟和记忆效应。设计出了合理实用的源......
期刊
有机金属化合物汽相淀积
开关程序
宽带隙夹层
延迟效应
记忆效应
突变异质结
HB-LED器件结构研究
如何提高高亮度发光二极管(HB-LED)的亮度是一项极具理论和经济效益的课题。实践证明,通过改变器件结构可以大大提高HB-LED的亮度。......
学位
器件结构
HB-LED器件
突变异质结
异质结构
发光二极管
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