【摘 要】
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用ＳＥＭ改装成的电子束光刻线宽１０ｎｍ及套刻精度不足５０ｎｍ的器件图形美国明尼苏达大学电子工程系的Ｐ．Ｂ．Ｆｉｓｃｈｅｒ和Ｓ．Ｙ．Ｃｈｏｕ等人利用一台ＪＥ－ＯＩＬ－８４０Ａ型扫描电镜（ＳＥＭ）改装成一台电子束直接光刻系统，采用Ｎｉ／Ａｕ剥离工艺，在大...
The electro
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用ＳＥＭ改装成的电子束光刻线宽１０ｎｍ及套刻精度不足５０ｎｍ的器件图形美国明尼苏达大学电子工程系的Ｐ．Ｂ．Ｆｉｓｃｈｅｒ和Ｓ．Ｙ．Ｃｈｏｕ等人利用一台ＪＥ－ＯＩＬ－８４０Ａ型扫描电镜（ＳＥＭ）改装成一台电子束直接光刻系统，采用Ｎｉ／Ａｕ剥离工艺，在大...
The electron beam lithography with SEM modified line width of 10nm and lithography accuracy of less than 50nm device graphics Department of Electronic Engineering, University of Minnesota. B. Fischer and S. Y. Chou and others used a JE-OIL-840A scanning electron microscope (SEM) modified into a direct electron beam lithography system, using Ni / Au stripping process, in the ...
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