CMOS电路相关论文
大数据时代下,现有的计算结构在面对数据密集型的应用时,会因为大量的数据搬运和带宽的限制带来能耗和延迟上的提高。为了解决访存......
本工作从实验测量、模拟计算、理论分析几方面研究半导体器件的在不同脉冲宽度下的辐射损伤规律.对三种半导体器件进行了不同脉冲......
本文提出了一种全平衡第二代电流传送器(FBCCII)及CMOS电路实现.并运用FBCCII实现电流模式连续时间四阶跳耦结构滤波器.基于FBCCII......
该文简述了利用现有ＬＳＩ测试系统资源，外加极少量的硬件，实现ＣＭＯＳ电路Ｉ〈，ＤＤＱ〉的快速检测，使测量ＤＵＴ每一个结点逻辑电平“１”和“０”状态下的Ｉ〈，ＤＤＱ〉成为可......
CMOS电路技术在当前数字集成电路中已无可争议地占绝对主导地位,0.18μm和0.13μm工艺为工业界领先的技术,而基于逻辑力度(Logical......
基于对FAN算法的分析,本文在不考虑冒险的情况下对于CMOS电路中的开路故障,探讨了利用FAN算法进行瞬态电流测试产生的可能性.文中......
近年来，卷积神经网络由于其超高的推理精度被广泛的应用于物体识别，语音处理与机器翻译的任务中。然而，随着卷积神经网络的模型变得越......
在深亚微米CMOS电路中,漏电流功耗已经成为不可忽视的部分.降低电路漏电流功耗的一种有效方法是采用多阈值CMOS技术,它是通过接入......
本文讨论了阈函数的定义和性质，简要地介绍了电流型CMOS电路的代数理论．在此基础上提出了用电流型CMOS电路实现阈值逻辑门的新方法．与......
本文通过对具有引起低阻抗的内部桥接缺陷的单相动态模块进行单相时钟动态CMOS集成电路的电流测试分析,得出结果表明,电流测试是对......
在分析数字电路传统设计理论中存在问题的基础上,提出了应用开关变量与信号变量两者来分别描写数字电路中内部元件的开关状态及电......
本文根据模相关性的性质 ,指出多值模代数系统中模无关 ,方程组有唯一解 ,矩阵可逆 ,函数的规范展开 ,模运算的完备性之间互为等价......
本文提出了一种用实验设计与模拟相结合对ＣＭＯＳ集成电路参数进行统计优化设计的方法，分析工艺因素设置及其起伏对电路参数的影响，建立起电......
文章指出了电路版图设计规则检查中经常遗漏的项目，并给出了编写检查这些项目的语句及技巧。就如何编写一个好的设计规则检查指令文......
1.集成运算放大器电路集成运算放大器的内部电路是由若干个晶体管和电阻等组成,而晶体管又是由PN结构成的。因此,在了解集成运放......
提出了一种新型能量回收电路ERCCL(能量回收电容耦合逻辑),该电路的能耗低于传统CMOS电路及其他能量回收电路.ERCCL利用电容耦合进......
氧化物半导体的应用领域不仅局限于显示器驱动晶体管,现在还提出了在玻璃基板和柔性基板上集成使用氧化物半导体的透明运算电路等......
环境中存在着丰富的电磁波能量,而人体运动产生的机械能则是一种不受外界干扰非常稳定的能源,这些能源的存在使设备为自身供电成为......
该文取得了以下研究成果: (1) CMOS电路平均功耗估计的研究.(a)该文采用统计方法建立了一套电路功耗分析的新理论,提出了无时延的......
该文按照全定制设计流程从各个方面讨论了加法器的设计.文中首先讨论了各种结构的加法器,如行波进位加法器,先行进位加法器,跳跃进......
未来一段时间半导体市场整体是逐渐增长的,尤其是以5G、Al等深度学习芯片以及大数据和云计算等应用推动集成电路芯片需求的不断增......
利用脉冲激光源及脉冲X射线源,开展了超深亚微米CMOS反相器及CMOS静态随机存储器的瞬时剂量率效应实验,测量了CMOS电路瞬时剂量率......
该断水保护装置是为了克服电热蒸馏水器在使用中最常见的情况——循环冷凝水突然中断、导致烧坏电热管的现象以及容易出现的蒸馏水......
一、前言 在CMOS电路的测试和使用过程中,存在着莫明奇妙的电路被烧毁的现象。对被损坏的电路进行解剖分析,发现属于V_(DD)-V_(ss......
一、CMOS电路中的锁定现象CMOS电路是在同一硅衬底上同时具有P沟及N沟MOS管的结构,因此,其内部存在着寄生的纵向npn和横向pnp晶体......
在100mm氧化硅片上淀积一层多晶硅薄膜,这层多晶硅采用聚光卤灯再结晶法制成,并作为制作CMOS电路的衬底材料。得到N沟MOS晶体管和P......
本文用简单的RC电路分析输入保护电路,提出上升和下降延迟时间的概念,从而分析输入保护电路对CMOS电路速度的影响,并提出介决措施......
利用LSTRAC-2对CD4007电路进行瞬时辐照效应模拟,分析了模拟中用到的有关参数的提取方法,对模拟的电路样品进行了瞬态辐照实验,并......
采用光化学气相淀积(光CVD)氮化硅薄膜进行器件的表面钝化,使整个器件提高了可靠性.
Photochemical vapor deposition (CVD) of s......
本文提出了一种CMOS四象限模拟乘法器。这种乘法器基于MOS晶体管的电流-电压平方关系,采用线性MOS跨导器、悬浮电压发生器和线性MO......
０．１μｍ栅长的ＣＭＯＳ电路门延迟为１１．８Ｐｓ据《ＮＩＫＫＩＥＬＥＣＴＲＯＮＩＣＳ》１９９３年第１２—２０期报道，１９９３年１２月６～８日在美国召开的国际电子器件会议（ＩＥＤＭ）上，美国ＡＴ＆Ｔ贝尔实验室，ＩＢＭ公司，日本富士通研究所和东芝研究开......
CMOS集成电路和静态电源电流测试是一项有关产品质量和可靠性改善、设计验证和失效分析的技术。它已被少数公司应用多年,目前作为......
对国产加固６４ＨＣ０４高速ＣＭＯＳ电路进行了不同剂量率的辐照响应和室温退火特性研究。探讨了５４ＨＣ０４电路在不同剂量率辐照下的损伤机理和失效模式的差异及......
[摘要] 本文针对数字电子技术的实训项目，提出基于CMOS电路设计的简易数字频率计。本设计可测量的频率范围为1Hz-10MHz，采用8位数码......
为降低内建自测试测试功耗,提出一种基于粒子群优化算法的确定性测试图形优化方法;首先,引用CMOS电路动态功耗相关模型对测试图形......
本文讨论了基于传输函数理论的多值CMOS电路综合技术。通过对基于传输函数理论的CMOS电路与T门的分析比较,指出了它们的工作原理的......
本文主要是对CMOS电路的抗辐射加固RHBD技术进行了研究，介绍了基于RHBD技术的纠错码技术、保护门(Guard-gates)电路技术、双互......
本文通过国内外CMOS(互补金属氧化物半导体)工艺技术的发展现状对比，研究了利用CMOS电路进行太赫兹源与太赫兹探测的硬件设备制......
会议
本文对CMOL(CMOS＼纳米线＼分子器件)电路互连纳米线的时延进行了研究，利刚Elmore延时模型，分析了影响纳米互连线时延的主要因素，提出了CM......
静电放电(ESD)对半导体器件的损伤是影响电子产品可靠性的重要因素.在ESD引起的损伤中,有90%的概率会造成器件在使用现场的早期失......
该文在分析数字电路的传统设计理论中存在问题的基础上，提出了使用开关变量与信号变量来分别描写数字电路内部元件的开关状态与电路......
该文研究了多值模代数系统中模为一般整数时基本的代数性质及其电流型CMOS电路的设计,指出模代数系统也适用于模为合数的情形.该文......
