氮化铜薄膜相关论文
以高纯铜和铝为靶材,氮气和氩气分别为源气体和工作气体,采用双靶共溅射磁控技术在单晶硅和石英片上制备了铝掺杂氮化铜(Cu3N∶Al)......
本文采用反应射频磁控溅射法成功的制备了氮化铜(Cu3N)纳米薄膜.运用四探针法测量了薄膜的电学和半导体特性,证明了实验制备得到的......
采用柱状靶多弧磁控溅射系统制备了氮化铜薄膜,利用XRD和SEM分析了薄膜的相结构和表面形貌,并采用真空热处理研究了氮化铜的热稳定......
人工薄膜的出现是20世纪材料科学发展的重要标志。自70年代以来薄膜材料、薄膜科学、与薄膜技术一直是高新技术研究中最活跃的研究......
近年来，氮化铜在光存储、微电路制造和材料表面处理方面显示出广阔的应用前景，而具有超短脉冲宽度和超高峰值功率的飞秒激光则是微精......
本文研究了 3d过渡金属掺杂对氮化铜薄膜的结构和光学特性的影响,并重点关注了 Mn掺杂带来的特殊变化。然后利用钒、铬和锰掺杂来......
氮化铜薄膜是一种亚稳态的半导体材料，它是以共价键结合的，它的晶体是反三氧化铼型简立方的结构，氮化铜薄膜还具有较好的光电性能，它具......
氮化铜晶体是典型的反三氧化铼(ReO3)结构的立方晶体,N原子位于立方体的8个顶点,Cu原子位于立方体边长的中点位置。常温下,氮化铜......
Cu_3N薄膜是一种以共价键结合的亚稳态半导体材料,具有热分解温度低、电阻率高、在红外和可见光波段反射率低等特点,成为近年来光......
氮化铜薄膜在光存储材料、电子元器件以及高速集成电路等不同领域具有潜在的应用价值,其特殊的结构、热学、电学、光学性能日益受......
采用柱状靶多弧直流磁控溅射法 ,10 0℃基底温度下在玻璃衬底上制备了纳米氮化铜 (Cu3N)薄膜 .用x射线衍射研究了不同氮气分压对Cu......
在不同的氮分压r(r=N2/[N2+Ar])和射频功率P下,使用反应射频磁控溅射法,在玻璃基片上制备了氮化铜薄膜样品.用台阶仪测得了薄膜的......
采用反应射频磁控溅射方法，在氮气和氩气混合气氛下并在玻璃基底上成功制备出了纳米氮化铜（Cu3N）薄膜，许研究了溅射功率对Cu3N薄膜的择......
使用射频反应磁控溅射法,在不同的射频功率和气体流量比下制备了氮化铜薄膜,并用X射线衍射仪和原子力显微镜对薄膜的结构进行表征......
采用射频磁控溅射法在不同温度的不锈钢基片上制备了氮化铜薄膜电极。通过X射线衍射（XRD）、原子力显微镜（AFM）和光电子能谱（XPS）分别对薄......
采用反应磁控溅射法在氮气分压0．5Pa、基底温度100℃条件下，在玻璃基底上分别制备了氮化铜薄膜和铁掺杂氮化铜薄膜。XRD显示氮化铜薄......
由于氮化铜薄膜潜在的光存储应用前景,成为近十年来研究的热点材料之一,许多研究小组开始了对氮化铜薄膜掺杂展开了研究。本文综述......
Cu3N；艾尔 x Cu3N 电影与反应磁控管劈啪作响被准备方法。二部电影在 0.8 Pa N2 部分压力在玻璃底层上被扔；由使用纯 Cu 的 100 ......
氮化铜（Cu3N）薄膜是一种新型的电、光学材料，它具有典型的反三氧化铼结构，由于Cu原子没有很好地占据（111）晶格面的紧密位置，在薄膜中掺杂......
采用反应射频磁控溅射法，通过改变混合气体（N2＋Ar）中氮气分压来改变元素的沉积能量和密度，在玻璃基底上制备出了表面光滑、致密的氮化铜......
用直流磁控溅射方法，在氮气分压为0．5Pa、不同的基底温度下，于玻璃基底上制备了Cu3N薄膜。当基底温度为100℃及以下时，温度越高薄膜的......
采用射频磁控溅射方法在玻璃基底上制备氮化铜薄膜,研究了氮氩混合气体中的氮气比例对薄膜择优生长取向、表面晶粒尺寸和微观力学......
本论文内容分两个部分,第一部分综述了纳米多层膜的最新研究进展,系统介绍了纳米多层膜的构成,超硬、超模效应的理论解释以及多层......
采用反应直流磁控溅射的方法在室温下，在玻璃基底上成功制备了多晶氮化铜（Cu3N）薄膜．XRD显示薄膜是择优生长取向的，在低氯气分压时薄膜......
采用反应射频磁控溅射的方法在纯氮气气氛下、氮气流量为12sccm、衬底温度为100℃的条件下，在玻璃基底上成功制备了氮化铜（Cu3N）薄膜......
采用反应射频磁控溅射法，在氮气和氩气的混合气体氛围中，玻璃基底上制备出了具有半导体特性的氮化铜（Cu，N）薄膜，并研究了混合气体中氮气......
Cu3N薄膜是近几年来研究的热点材料之一，在室温下相当稳定并且热分解温度较低，分解后生成的铜膜与分解前的氮化铜膜在红外及可见光区......
等离子体是由大量的电子、离子、中性粒子组成.等离子体中存在着复杂的原子分子过程以及复杂的物理化学反应,这些粒子和这些复杂的......
采用反应直流磁控溅射镀膜法，在氮气分压为0．9Pa、不同基底温度下、玻璃基底上制备了纳米多晶Cu3N薄膜，并研究了基底温度对薄膜结构和......
