Ta_2O_5相关论文
据报道,日本Yasuhiko Nakagawa和Yasuo Gomi用磁控反应直流二极管溅射法将Ta_2O_5,沉积在石英基片上,得到了单晶薄膜,并且首次观......
固态氧化物阴极在氯化钙熔盐电解质中的脱氧速率可依据氧离子的稳态扩散模型(PRS模型)由固态氧化物阴极孔隙率P,还原后金属与还原......
首次报道了在四氢呋喃和甲苯的混合溶剂中,10 mol%的Ta_2O_5在103℃条件下催化不活泼溴代芳烃与芳酸进行Barbier-Grignard反应,“......
研究了Ｔａ的阳极氧化反应动力学用自制装置有效地控制用于非晶硅薄膜晶体管（ａ─ＳｉＴＦＴ）的复合栅绝缘层Ｔａ２Ｏ５厚度，膜质均匀、性能优良，使复合栅绝缘层ａ─......
通过重复阳极氧化实验,研究了钽的阳极氧化过程中的击穿损伤。本文介绍一种解释,假设由于击穿过程产生非短路微孔的形成。根据此模......
简要介绍了(Ta_2O_5)_(1-x)(TiO_2),基陶瓷(x分别为0.3,0.4和0.5)的激光烧结技术。提出激光烧结和氧气退火相结合可以实现(Ta_2O_5......
报道了不同厚度Ta2O5栅绝缘层对氧化锌薄膜晶体管器件性能的影响。在室温下用射频磁控溅射分别制备了100,85,60,40 nm厚度的Ta2O5......
BaTiO3薄膜的铁电性通常会受到界面效应的影响而衰减。提出了使用Ta2O5作为隔离层能够有效抑制界面效应。利用脉冲激光沉积技术,在......
具有无机-有机杂化钙钛矿结构的CH_3NH_3Pbl_3通常偏向于显示n型半导体特性,本文以五氧化二钽(Ta_2O_5)作为绝缘层,制备了基于钙钛......
一、引言随着 H~+—ISFET 的理论研究的深入,人们越来越认识到作为敏感栅的介质膜对器件的灵敏度、响应时间、线性范围、稳定性等......
钽、铌及钽铌合金(Ta_(0.80)Nb_(0.20))箔在0.01%H_3PO_4液中,进行电化学赋能。借助于椭圆偏振仪测定阳极氧化膜的阳极化常数(k,A/......
本文对TiO_2和Ta_2O_5混合膜进行了单源共蒸发实验研究。在实验结果的基础上,提出了一个拟合TiO_2、Ta_2O_5混合膜系孔洞率的经验......
Ta_2O_5是一种性能优良的绝缘体材料,相对于传统MOS工艺中的SiO_2,Si_3N_4而言,它具有很高的介电常数(ε_(Ta_2O_5)=25,ε_(SiO_2......
在不用金作掩蔽膜的情况下，在氢氟酸混合液中对采用直流反应溅射方法制备的Ｔａ２Ｏ５薄膜进行选择性腐蚀，制成Ｔａ２Ｏ５膜Ｈ＋－ＩＳＦＥＴ。测试结果表明，该器件在灵敏度......
在室温条件下利用溅射Ta2O5靶材的方法制备了Ta2O5薄膜,并采用将薄膜两侧的反射率光谱进行比较的简便方法分析评估薄膜的光吸收,发......
以乙醇钽[Ta(OC2H5)5]和水蒸气为前驱体,采用原子层沉积(ALD)方法分别在基板温度为250℃和300℃的K9和石英衬底上制备了Ta2O5光学......
The mass spectra of both positive and negative charged Ta-containing ions from laser ablatiou of Ta2O5 were measured usi......
前言 钽的Ta_2O_5膜,漏电流小、绝缘强度好、介电系数大(21～25)、化学与热稳定性好;而且阳极氧化膜的厚度可由阳极化电压来控制,其......
我们已制成用 CdSe-Ta_2O_5薄膜晶体管寻址的128×96象素液晶显示器,象素大小为300×300μm~2。在沟道长30μm,宽20μm 时,截止电......
用反应性直流二极溅射法在熔融石英基片上淀积了Ta_2O_5结晶薄膜。研究了Ta_2O_5薄膜的晶状结构和压电性能。测量了在熔融石英基片......
最近,Ta_2O_5薄膜已应用于集成光学器件和太阳能电池上作抗反射涂层.这些应用是鉴于薄膜的高化学稳定性,特别是具有相当低的光传输......
Ta_2O_5薄膜以其很高的化学稳定性和优良的光学性能(如折射率高,光吸收率很低等)用于薄膜电容器、光波导和太阳能电池的减反射涂......
本文提出了在ITO膜上用电子束蒸发的方法沉积了Ta_20_3膜的界面情况.结果表明:用该法制备的试样,二者之间没有明显的相互作用,不影......
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研制出一种新型ＳｉＯ－Ｔａ２Ｏ３复合介质薄膜电容器。复合介质膜是用溅射法将ＳｉＯ和Ｔａ２Ｏ３材料溅射在微晶玻璃片上形成的，其下电极Ａｌ和上电极Ａｕ是用蒸发法制备近种......
使用直流磁控反应溅射的工艺方法制备了Ｔａ２Ｏ５薄膜ＭＯＳ型湿敏元件，提出了元件的结构模型，并对其感湿机理进行了讨论。......
本文介绍了采用直流磁控反应溅射沉积的Ta_2O_5介质膜及由用同样方法沉积的Ta_2O_5膜和电阻式蒸发沉积的SiO膜组成的双层介质膜的......
本文对TiO_2和Ta_2O_5混合膜进行了单源共蒸发实验研究。在实验结果的基础上,提出了一个拟合TiO_2、Ta_2O_5混合膜系孔洞率的经验......
利用角分辨飞行时间法研究了３５５ｎｍ脉冲激光烧蚀Ｔａ２Ｏ５的反应，由四极质谱测得的煤蚀产物除了Ｏ，Ｔａ，ＴａＯ和ＴａＯ２中性碎片外，在较高激光能量密度时还有Ｏ，Ｔａ，ＴａＯ，ＴａＯ２离子碎片，它们......
