禁带宽度相关论文
本文运用辉光放电分解硅烷的方法,制备了几种不同型号的a-Si:H薄膜,对各种薄膜的光学吸收系数进行了测试。结果表明,掺杂、退火对......
通过变温霍尔效应实验，在77～420K 温度范围内对 N 型 Ge标准样品的电学特性进行测量．根据对高温本征导电区斜率的计算，得到样品禁带宽......
阐述了铜冶炼渣区别于铜原矿的特殊性质及当前铜渣浮选的问题,重点介绍了固体物理学中的能带理论体系为解决铜渣浮选问题提供的新......
现代电子设备如可穿戴电子设备和电动汽车需要有效的能量存储和转换设备来为它们提供能量。与传统电池相比,超级电容器具有超长循......
随着新型光电材料在太阳能光伏技术领域取得的突出进展,人们对太阳能光伏新材料的需求也在不断提高。钙钛矿材料因其具有良好的光......
采用水热法制备了不同含量的铝(Al)单元掺杂及铝(Al)、钼(Mo)共掺杂氧化锌(AZO、AZMO)纳米粉体,利用X射线衍射(XRD)、扫描电镜(SEM......
随着半导体薄膜材料的快速发展,功能性金属氧化物纳米薄膜在多个领域有着广泛的应用,作为薄膜材料常用的制备方法,磁控溅射法受到......
氧化亚铜(Cu2O)作为p型直接带隙半导体,由于其性质无毒、资源丰富、易于制备、化学性质稳定,以及较合适的光学禁带宽度等多方面优......
铁电半导体能够单片式集成半导体p-n结光伏与铁电体光伏,有望突破太阳能光伏电池能量转换效率的Shockley-Queisser理论极限.本研究......
采用射频等离子辅助蒸发法,在玻璃衬底上制备InN薄膜.采用X射线衍射仪(XRD)和扫描电子显微镜(SEM)对样品的结构和形貌进行表征,使......
本文采用热注入法制备了不同Ge元素掺杂比例的CZTGSe纳米晶,纳米晶的尺寸在1020 nm之间.采用X射线衍射仪(XRD、投射电子显微镜(TEM......
脉冲激光沉积(PLD)是一种公认的用于制造具有复杂化学计量比薄膜的技术,在制备Cu2ZnSnS4 (CZTS)薄膜方面具有很好的优势.在本文中,......
综述了近年来对InAs/InGaSb超晶格材料的研究结果,给出了禁带宽度与各层厚度和组分的关系。制作了一系列不同In组分的超晶格材料,I......
利用溶胶-凝胶法合成了SrCeYbO(x=0-0.20)系列粉体,运用XRD和UV-Vis研究了它们的结构变化和电子跃迁的禁带宽度.XRD表明掺杂后晶格......
采用溶胶-凝胶(sol-gel)法,以柠檬酸为络合剂,利用硝酸盐合成制备了(Ca,Cr)共掺YAG陶瓷粉末,极大的降低了合成温度.研究了Ca2+、Cr......
利用射频磁控溅射技术,在室温下用TiO2陶瓷靶在玻璃基底上制备N掺杂TiO2薄膜.利用X射线衍射、扫描电子显微镜、X射线光电子能谱仪......
光子晶体是新出现的一种光学材料.对光子晶体的光学特性以及晶体结构进行研究,具有非常重要的科学价值和实际应用意义.光子晶体在......
前表面n型非晶硅的厚度对电池性能有影响;前表面掺杂非晶硅的禁带宽度影响到输运;当n型非晶硅厚度为5nm，能带宽度大于1.92eV时，模拟......
本文采用水热法制得了具有较高光催化活性的4ZnO·B2O3·H2O,并采用XRD、SEM对产物的晶相组成和显微型貌进行了表征,研究了不同前......
采用第一性原理方法，对无缺陷的CuInSe2(CIS)材料的(112)表面进行了研究。与体材料相比，表面原子发生了重构，导致了原子间成键情况的......
本文采用原子层淀积(ALD)的方法，以Nb(OEt)5和H2O为反应源，在Si(100)衬底上生长了4.2 nm的超薄Nb2O5薄膜。研究了不同温度下N2气氛中......
Pb1-xMnxSe是一种重要的Ⅳ-Ⅵ族三元混晶窄禁带半导体，其禁带宽度属于中红外波段。对于Pb1-xMnxSe材料，其禁带宽度随Mn含量的增加而......
第三代半导体材料即禁带宽度大于2.2eV的宽禁带半导体材料,以禁带宽度增大的顺序,主要包括SiC(3.2eV)、ZnO(3.32eV)、GaN(3.45eV)......
利用溶胶-凝胶法合成了SrCeYO(x=0-0.20)系列高温质子导体粉体,运用SRD和UV-Vis研究了它们的结构变化和其中的电子跃迁的禁带宽度.......
p-i-n型非晶硅基太阳电池的界面因素及S-W效应问题，一直困扰着光伏科学界；为提高该类太阳电池转换效率和降低光致衰减，这两个方面的研......
使用感应熔炼法制备Cu-Zn-Sn合金,并利用单辊甩带法制备连续均匀的Cu-Zn-Sn合金薄带.球磨Cu-Zn-Sn合金薄带和硫粉制成混合粉末前驱......
CuInSe2半导体材料的禁带宽度为1.04 eV，可以通过Ga掺杂代替In形成CuIn1-xGaxSe2材料调节其禁带宽度达到或接近理想太阳电池材料的......
莫来石相Bi2Fe4O9陶瓷因具有丰富的多铁,磁,催化性能及在固体燃料电池,半导体,子轩电子器件等上应用广泛而备受关注.本文采用柠檬......
近年来，对于硅量子点局域表面等离子体激元(LSPR)效应的研究有力地推动了等离子体激元学和电子学集成的发展【1-3】。硼、磷掺杂是......
会议
ZnO作为一种廉价,安全的材料,相对于TiO2具有很更高的电子迁移率,因此在太阳能电池中被广泛的应用. 然而其禁带宽度较大(3.2eV),导......
利用吸收、光电流和光致发光等光谱表征并结合理论报道，分析了缺陷态丰富的铜锌锡硫半导体材料的光学带隙、带尾态和深浅杂质能级，揭......
为了掌握光子晶体空气孔中液体质量分数对禁带宽度的影响,利用平面波展开法研究了由椭圆形空气孔介质周期性排列的长方晶格光子晶......
采用SCAPS1D软件建立了CZTS (Cu2ZnSnS4)薄膜电池模型,并对其输出特性进行了数值模拟,分别研究了CZTS吸收层厚度、载流子浓度和......
为了研究 TiO2禁带宽度和光吸收系数对其光催化性能的影响, 利用电子束沉积方法在玻璃基底上制备了TiO2薄膜及Zr掺杂TiO2薄膜。采......
随着传统石化能源的日益减少，太阳能作为一种重要的可再生能源逐渐成为人们关注的热点。光伏发电是太阳能利用研究领域中最重要的发......
立方晶系的FeS具有合适的禁带宽度，较高的光吸收系数，元素储量丰富，环境相容性好，制备成本较低，是一种较有研究价值的新型太阳能电池材......
立方晶系的FeS(pyrite)具有合适的禁带宽度(E≈0.95 eV)和高的光吸收系数(λ≤700 nm时,α≥5×10cm),环境相容性好,制备成本较低,......
在石油、煤炭等传统能源消耗量急剧增长的今天,具有可再生和利用成本低等优点的太阳能成了一个热点.随着新型太阳能电池一薄膜太阳......
本文基于第一性原理计算软件CASTEP和电荷控制模型主要研究由典型铁电材料BaTiO3、半导体材料GaN构成的BaTiO3-GaN异质结构，在理论......
本研究包括两部分。第一部分为一氧化氮(NO)气体分子在金属氧化物二氧化钛(TiO2)表面吸附的研究；第二部分为多晶二硫化铁的结构特点......
以Zn/ZnO/ZnF2混合物为靶材,在衬底温度(Ts)为150℃和300℃、溅射气氛为Ar+O2和Ar+H2下反应溅射制备F掺杂ZnO(FZO)薄膜,研究气体流......
采用化学浴沉积法(CBD)在玻璃衬底上制备了PbS薄膜,探究了沉积时间(20～100 min)对其厚度、微观形貌、晶体结构和禁带宽度的影响.结......
贝塔辐伏电池是能够将放射性同位素发出的贝塔射线转化为电能的装置,具有高环境适应性、超长寿命、超大功率密度、小体积、高稳定......
