电子迁移率相关论文
石墨烯的发现引起了研究人员对于范德华层状材料的研究兴趣。半导体过渡金属硫族化合物（TMDC）属于范德华层状材料,因其具有很多优异......
可溶液加工的n-型有机薄膜晶体管（OTFTs）的发展仍然面临挑战,而高迁移率n-型OTFTs对构筑高性能有机电路至关重要。器件工程是除材料......
有机薄膜晶体管（OTFTs）于1986年得到了首次报道,其在柔性电子产品领域表现出巨大的应用潜力,是传统无机薄膜晶体管的重要补充。与无......
发光材料通过基质和掺杂离子的设计或者与智能材料的耦合，可以研制智能化和多功能化的发光材料和器件。其中上转换荧光、MRI和CT等......
与传统半导体相比,宽禁带半导体具有更好的电子输运、电光和光电特性,其中,以ZnO和GaN为代表的Ⅱ-Ⅵ族和特殊Ⅲ-Ⅴ族三元混晶半导......
氮化镓(GaN)作为第三代半导体材料的代表，其具有宽直接带隙、低介电常数、耐腐蚀、耐辐射、耐高温、高电子迁移率、高热导率等优异......
采用低电阻率的Ta2O5／SiO2、Ta2O5／Al2O3复合层制备出低压驱动ZnS：Mn薄膜电致发光器件，它的阈值电压在40V以下。当驱动电压为60V、频率......
8羟基喹啉金属螯合物是目前研究较多的有机小分子发光材料,其中,8羟基喹啉铝(Alq3)是这类材料中最重要的一种,具有良好热稳定性和......
通过参数调整和工艺简化 ,制备了应变Si沟道的SiGeNMOS晶体管 .该器件利用弛豫SiGe缓冲层上的应变Si层作为导电沟道 ,相比于体Si器......
据报道,全球首座以6英寸晶圆提供砷化镓(GaAs)微波通讯芯片(MMIC)专业代工服务的台湾稳懋半导体股份有限公司,于今(15)日正式宣布......
依据离化杂质散射、声学声子散射和谷间散射的散射模型,在考虑电子谷间占有率的基础上,通过求解玻尔兹曼方程计算了不同锗组分下,......
近年来,随着有机半导体材料的设计、合成以及新技术的开发利用,溶液法制备的有机薄膜晶体管(Organic thin-film transistors,OTFTs......
设计了一种基于场效应晶体管的量子点场效应单光子探测器,利用二维弛豫时间的近似理论建立了二维电子气电子迁移率的散射模型,通过......
随着半导体产业的发展,依照摩尔定律,集成电路的器件尺寸越来越小,密度也越来越高。由于电源电压并没有随着器件的尺寸降低,造成严......
受实验上层状GaGeTe材料成功制备的启发,通过第一性原理计算探索了单层和多层GaGeTe材料的晶体结构和电子性质。单层GaGeTe薄膜具......
近年来,钙钛矿太阳能电池在众多太阳能电池中脱颖而出,一直在迅速提高光电转换效率。钙钛矿太阳能电池中的传输材料分为空穴传输材......
利用电子束蒸发沉积的方法制备了不同Ga含量的FeGa合金薄膜,采用XRD和EDS对制得的FeGa合金薄膜的物相和成分进行了分析。合金薄膜......
用文献[1]中描述的液相外延法研究了在CdTe衬底上由化学计量熔体制备的Cd_aHg_(1-a)Te合金的光致发光。大家知道,用这种方法获得......
本文报导了异质结类 MIS FET,该器件中用 n~+-GaAs 层作为栅,非掺杂的 GaAlAs 层作为绝缘层,非掺杂的 GaAs 作为半导体。这种器件......
日本明治大学工学部植草新一郎等运用独创的低温工艺试制成在InP衬底上集成二极管、晶体管和光波导等器件,并证实具有实用价值。I......
近年来，在高温、高频、大功率器件等领域有着广阔应用的GaN基材料，一直是研究的热点。此材料体系作为第三代宽禁带半导体材料的代表，......
有机发光场效应晶体管（organic light-emitting transistors, OLETs）同时具备有机场效应晶体管（organic field effect transistors，OFE......
本论文介绍了用于太阳能电池的给、受体材料的研究现况,在聚合物太阳能电池(Polymer Solar Cells, PSCs)的发展过程中,给、受体材......
目前,类石墨烯过渡族硫属化合物引起了人类广泛的研究兴趣。二维材料MoS2、WS2、MoSe2、WSe2等均具有层数依赖的带隙结构,过渡族硫......
纳米粒子改性变压器油相较于普通变压器油具有更优良的绝缘性能。针对其改性机理,前人提出“浅陷阱”、势阱模型等理论,但并没有给......
应变Si技术由于其具有高的载流子迁移率，与当前主流的Si工艺相兼容等优点，在CMOS工艺上得到了广泛的应用。SiN帽层和SiC源漏作为两种......
GaN材料由于其禁带宽度大、饱和电子漂移速度高、临界击穿电场强、化学性质稳定等优越性能，使得GaN基异质结场效应晶体管(HFETs)非......
太阳能作为一种可再生能源在如今资源匮乏的年代备受关注,相对于已经商业化但价格昂贵的无机硅太阳电池,有机太阳能电池作为一类新......
本论文的主要工作是研究聚合物场效应晶体管材料中结构和性能的关系,并在结构和性能关系研究的基础上,合理设计合成新的高性能共轭......
本文基于介电连续模型和单轴模型，采用雷-丁平衡方程，讨论有限深量子阱中界面声子和局域声子对电子的散射作用.重点讨论室温下，纤锌矿......
本文针对有机电致发光、有机无机复合电致发光、固态阴极射线发光研究中的问题，利用交流阻抗谱技术，结合常规的光电测量方法，重点研究......
薄膜晶体管(Thin Film Transistor简称TFT)在平板显示技术中有重要应用，是实现高分辨平板显示器件的关键。本论文以研制出具有实用......
本文采用将变分法与求解力平衡方程相结合的方法，在光学声子散射起主要作用温区，从理论上讨论在其散射下，应变纤锌矿AlN/GaN单异质结......
本文采用数值自洽计算波函数和求解力平衡方程相结合的方法，在极化光学声子散射起主要作用温区，从理论上讨论应变纤锌矿AlxGa1-xN/Ga......
本文讨论纤锌矿AlxGa1-xN异质结构中界面光学声子散射和界面粗糙度散射对电子气分布的影响. 首先，讨论纤锌矿A1N/AlxGa1-xN/AlN......
60年前,锗被用来做成了第一块晶体管,但随后被硅取代,现在,美国科学家首次成功制造出了单原子厚度的锗——单锗(germanane),其电子......
研究了埋氧层中注氮后对制作出的部分耗尽SOInMOSFET的特性产生的影响 .实验发现 ,与不注氮的SIMOX基片相比 ,由注氮SIMON基片制作......
文章给出了光电子材料InP的(100)和(111)晶面质谱分析的结果,对(100)晶面做了光荧光分析.在300和77 K温度下测量了(100)晶面的电子......
在器件物理的基础上,提出了一种半经验的GaN n-MOSFET反型沟道电子迁移率模型.该模型考虑了位错、界面态、光学声子、离化杂质、表......
为了促进磁敏传感器的发展和应用,分析了磁敏传感器原理,综述了磁敏传感器的研究进展。目前应用的主要类型是霍尔元件和磁阻元件,......
本文报道了一类面向有机电致磷光器件应用的电子传输材料,其具有易合成纯化、分子量低、玻璃化转变温度高以及经8-羟基喹啉锂(Liq)......
本文成功设计合成了两种含有氨基酸酯侧链的苝酰亚胺衍生物(PDIC和PDIO),利用1HNMR、13CNMR和HRMS对产物的结构进行了表征.两种化......
GaN高电子迁移率晶体管（HEMT）是GaN微波功率器件的主要形式，是第3代半导体技术领域发展和竞争的焦点。针对GaN HEMT的目标特性和电流......
碳化硅又称金刚砂,主要由石英砂、石油焦等原料通过电阻炉炼制而成,是一种高强度、耐磨削、耐高温、耐腐蚀的无机材料,具有高热导......
利用空间电荷限制电流（SCLC）法测试了二种氟代苝酰亚胺的电子迁移率,一种是N,V＇-二（五氟代苯基）-3,4,9,10-苝四羧基二酰亚胺（1）,另一种是N......
