氮化镓单晶相关论文
宽带隙氮化镓(GaN)单晶材料可应用于制备高频、高功率、耐高温的微电子器件,实现发光波长覆盖整个可见光波段的光电子器件,在航空......
氮化镓(GaN)作为第三代半导体材料的代表，其具有宽直接带隙、低介电常数、耐腐蚀、耐辐射、耐高温、高电子迁移率、高热导率等优异......
高质量GaN体单晶是制作低功耗、高性能GaN基器件的理想衬底。氨热法由于具有近热力学平衡条件下生长、易规模放大、低成本等优点，被......
高质量、大尺寸GaN体单晶是制造低能耗、高性能GaN基光电及功率器件的理想衬底。Na Flux法作为主流的GaN体单晶生长技术之一，具有结......
氮化镓(GaN)具有高击穿场强、高饱和电子漂移速率、抗辐射能力强和良好的化学稳定性等优良特性,是制作宽波谱、高功率、高效率光电......
氮化镓(GaN)作为第三代宽禁带半导体核心材料之一,具有高击穿场强、高饱和电子漂移速率、抗辐射能力强和良好的化学稳定性等优良特......
