光荧光相关论文
Evolution of surface morphology and optical characteristics of 1.3-\mum In0.5Ga0.5As/GaAs quantum dots (QDs) grown by m......
基于顺序注射分析法、氨氮分光光度法和荧光分析法，研制了一套氨氮的顺序注射-荧光分光一体检测仪，包含注射泵上微型实验平台和分光......
绿射出荧光灯 nano Y2O3 的粉末:Er3+ 被一起沉淀方法制作。X 光检查衍射模式显示出那同样准备的 Y2O3 :Er3+ 是有大约 30 nm 的一......
对 Ga As/ Al Ga As量子阱红外探测器器件进行显微荧光光谱 (μ- PL)测量 ,光谱中表征势垒、势阱基态间光跃迁能量位置的荧光峰直......
在室温下,对聚乙炔的一种单取代衍生物的荧光特性进行了研究.这种聚乙炔的单取代衍生物的薄膜能够发出强的绿色荧光。其荧光光谱的......
本文详细研究了采用Cl_2/H_2刻蚀气体时,ICP刻蚀系统对InP/InGaAsP材料表面损伤的影响。通过设计特殊结构的InP/InGaAsP多量子阱结......
是如何智能地调控分子的系间穿越从而使分子发射磷光或者荧光而不受分子结构的限制是研究和发展纯有机室温磷光材料的重点和难......
报道了一个自制的采用计算机控制的自动光荧光(PL)扫描系统.该系统可用于形貌半导体晶片或外延层的PL强度分布,尺寸可大到3英寸,样......
报道了离子辐照损伤对多孔硅的形成及其发光性质的影响,硅自注入后电化学腐蚀形成多孔硅。注入剂量增加,光荧光谱强度减弱,谱峰红......
重P型掺杂GaAsSb广泛用于InP HBT基区材料,重掺杂影响GaAsSb材料带隙和费米能级等重要参数,这些参数对设计高性能HBT起着关键......
在全国冶金物理测试网建网30周年之际,也迎来了X光衍射、X光荧光专业委员会成立30周年。回顾过去的30年,是技术委员会从无到有、从......
本文采用多低温缓冲层法和高低温联合缓冲层法在MOCVD系统上生长GaN外延膜,对薄膜进行了X射线衍射和光荧光(PL)测试,(0002)X射线摇......
依据热风炉用隔热材料的要求和特点,采用电镜、X线和X光荧光光谱分析等技术对低铁莫来石隔热砖的微观结构、相组成和成分分析的结......
通过同步Ｘ光荧光（ＳＸＲＦ）成分分析，定性地研究了在０．５ａｔｍ、０．６ａｔｍ、０．７ａｔｍ（１ａｔｍ１０〈’５〉≈ＰａＡｓ压下１１５０℃进行退火处理后衬底化学配比的变化。结果表明：控制Ａｓ压可以改变化学配比，在......
合成了C含量在1℅～10℅的C-PMMA复合膜，光荧光（PL）谱的测量结果显示，从1. 661ev到2．405eV，所有含量的C-PMMA复合膜都呈现出较强的较宽的PL......
综述光荧光（ＰＬ）分析方法在光电阴极材料特性研究中的具体应用。并提出将光荧光技术在三代像增强器研制工艺过程中，作为一种工艺检测手段......
该文研究了N,Er的联合掺杂对a-Si的作用.所有样品采用射频辅助磁控溅射方法制备.随着N掺杂浓度的增加,Er PL的热猝灭效应下降.但Er......
该文利用碳热还原氧化锌粉末的方法研究了不同的反应条件对ZnO纳米线结构、形态、性能的影响,探索一些制备新的一维纳米结构材料的......
该论文对ZnO、ZnS及ZnMnS一维纳米结构的制备、结构与物性进行了研究,并对一维纳米结构的生长条件和机理进行了探讨.1.首次利用直......
Ⅲ簇氮化物(GaN、InN及AlN)以及由它们组成的三元、四元合金固熔体,都是直接带隙材料,它们覆盖了从红光波长到紫外波长的范围,是制......
一维透明半导体氧化物SnO2、In2O3和ZnO等纳米结构由于其优异的光电性能近年来受到人们的广泛关注。纳米材料的形貌和结构对性能有......
本文介绍了ZnSe纳米线的合成、生长机制以及物性方面的研究工作，尝试了多种方法对ZnSe纳米线进行掺杂，并通过制作单根纳米线场效应管......
用光荧光谱(PL)研究了GaNxAs1-x/G aAs单量子阱(SQW)的光跃迁性质和带阶.通过研究积分荧光强度与激发强度的关系及光谱峰 值位置与......
介绍飞秒激光技术的进展、钛宝石飞秒激光放大技术及飞秒分辨相关测量技术.并介绍了飞秒分辨光荧光上转换和光克尔实验技术及其在......
利用等离子体增强MOCVD法生长出ZnO薄膜, 用X射线衍射谱观察到位于2θ 34.56°处(0002)的衍射峰, 表明ZnO沿c方向呈柱状生长. 通过......
期刊
在衬底温度为 3 5 0°C的条件下 ,用分子束外延的方法 ,在不同的砷压条件下生长了 Ga As/Al0 .3Ga0 .7As多量子阱结构。 77K的荧光......
文章给出了光电子材料InP的(100)和(111)晶面质谱分析的结果,对(100)晶面做了光荧光分析.在300和77 K温度下测量了(100)晶面的电子......
低压MOCVD方法生长了垒层掺Si与不掺Si的AlGaInP/GaInP多量子阱结构,运用X双晶衍射与光荧光技术研究了掺Si对量子阱性能的影响.测......
用低温光荧光(PL)和透射电子显微镜(TEM)研究了表面氮化自组织InAs/GaAs量子点的光学性能和微观结构。结果表明氮化后形成薄层的In......
利用等离子体增强MOCVD法生长出ZnO薄膜, 用X射线衍射谱观察到位于2θ 34.56°处(0002)的衍射峰, 表明ZnO沿c方向呈柱状生长. 通过......
期刊
通过电场诱导表面光电压谱确定外围缩合4个1,10-啡啉单元的氮杂酞菁为p型有机半导体,并对各个谱带进行合理的归属.结果发现,Soret......
本文给出了ＩｎＰ材料（１００）和（１１１）晶面的质谱分析结果，并且对（１００）晶面做了光荧光分析，在室温和液氮条件下，测量了晶面的电子浓度及电子迁移率。研究表明沾......
日本某公司研制出一种蓄光荧光陶瓷。它只须照射1～2秒，就能连续发光12分钟。荧光体由于在高温情况下，会起化学反应，丧失机能，所以以往始......
日本某公司日前研制出一种蓄光荧光陶瓷。它只须照射1～2秒，就能连续发光12分钟。荧光体由于在高温情况下会起化学反应，丧失机能，所以以......
低压MOCVD方法生长了掺Si与不掺Si的AlGaInP/GaInP多量子阱结构,运用X射线双晶衍射与光荧光技术研究了掺Si对量子阱性能的影响.测......
我们借助傅立叶变换红外光谱(FT-IR)以及光致激发谱(PLE),研究了SiO2/Ge:SiO2/SiO2夹层结构红外光发射的起源.谱分析表明,该红外光......
用低温光荧光(PL)和透射电子显微镜(TEM)研究了表面氮化自组织InAs/GaAs量子点的光学性能和微观结构。结果表明氮化后形成薄层的In......
信息技术发展的需要 信息技术在社会发展中所起的作用越本越重要了。信息技术的一个重要支柱就是硅集成电路。计算机及各种自动化......
本文提出热激活辐射过程和Berthelot-型的非辐射复合过程互相竞争的简单模型解释无序半导体超晶格的光荧光随温度变化行为，预言了当......
在室温下，对单取代聚乙炔（PACz-1）和两种双取代聚乙炔[PACz-2（m=3）、PACz-2（m=9）]的荧光特性和电子结构进行了研究。每种聚乙炔的支链上有......
在18至300K的温度范围内，对聚乙炔的一种单取代衍生物的荧光特性进行了研究。在室温时，这种聚乙炔的单取代衍生物的薄膜能够发出强的......
