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文章给出了光电子材料InP的(100)和(111)晶面质谱分析的结果,对(100)晶面做了光荧光分析.在300和77 K温度下测量了(100)晶面的电子浓度及电子迁移率.研究表明玷污主要来自硅.
光电子材料InP玷污的研究
【摘 要】
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文章给出了光电子材料InP的(100)和(111)晶面质谱分析的结果,对(100)晶面做了光荧光分析.在300和77 K温度下测量了(100)晶面的电子浓度及电子迁移率.研究表明玷污主要来自硅.
【机 构】
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首都师范大学物理系,中国科学院半导体研究所
【出 处】
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光谱学与光谱分析
【发表日期】
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2004年期
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