本文采用将变分法与求解力平衡方程相结合的方法，在光学声子散射起主要作用温区，从理论上讨论在其散射下，应变纤锌矿AlN/GaN单异质结中电子的迁移率及其应变和压力效应。考虑导带弯曲和有限高势垒的真实异质结势及电子的隧穿效应，给出界面(IF)及半空间(HS)光学声子作用下电子迁移率随面密度Ns及温度T变化的数值计算结果。 结果表明：当Ns由1.0×1012/cm2变化到6.5×1012/cm2时，迁移率随压力的增加而下降。异质结界面处的应变也会导致迁移率下降，且考虑应变后，压力对迁移率的影响将减弱。当温度由250K增加至600K时，应变和压力效应则更为显著。当温度为定值时(300K)，随着Ns的增加，迁移率先升后降，而应变及压力则使该趋势减弱。结果还表明：来自沟道区的半空间声子模的散射对迁移率起主导作用，而随着Ns的增加，界面声子的散射作用逐渐显著。但无论是否考虑应变和压力效应，电子迁移率均随温度增加而下降。