GaN单晶相关论文
GaN作为第三代半导体材料的代表,其宽带隙、热稳定及有着良好的物理化学性质的特点使其成为半导体工业的理想材料。GaN基器件在生......
氮化镓(GaN)作为第三代半导体材料的代表，其具有宽直接带隙、低介电常数、耐腐蚀、耐辐射、耐高温、高电子迁移率、高热导率等优异......
回顾了GaN单晶体的液相生长法研究进展,主要介绍了高压氮气溶液法(HPNSG)、Na助溶剂法以及氨热法的原理、生长条件及其研究进展。......
高质量GaN和InGaN晶体的外延生长对于实现高性能射频、电力电子和光电器件具有重要意义。基于平片蓝宝石衬底,由卤化物气相外延(HV......
该论文系统地开展了熔盐法和气相法生长GaN体单晶及其物性表征的研究,目的是探索在较温和的实验条件下GaN单晶的生长机制和生长工......
GaN是一种非常重要的直接带隙宽禁带半导体材料,被广泛应用于光电子器件和电力电子器件。但是由于缺乏GaN单晶衬底,目前大部分GaN......
ue＊M＃’＃dkB4＃＃8＃”专利申请号:00109“7公开号:1278062申请日:00.06.23公开日:00.12.27申请人地址:（100084川C京市海淀区清华园申请人:清......
