快速退火相关论文
因能源和资源的不断匮乏,提高了钢铁工业开发传统钢铁材料的性能潜力的要求,开发具有优良强韧性的高强度钢材成为钢铁领域的研究新......
超大规模集成电路的发展,使得终端产品具有高集成、低能耗、高速度等特点,集成电路特征尺寸的进一步减小对器件结构提出更高的要求......
随着科学技术的发展,人们对半导体材料尤其是TCO薄膜的性能提出了越来越高的要求。而p型TCO由于其电导率低、可见光透过率低的缺点......
通过扫描电镜喷金仪和退火工艺制备简单、实用的表面增强拉曼散射(SERS)基底.在石英表面溅射出5 nm厚金膜,然后置于真空快速退火炉......
研究了高k介质HfO2薄膜制备工艺和石墨烯原位沉积工艺的结合.采用真空电子束蒸镀在重掺杂Si衬底上室温沉积HfO2薄膜,并对薄膜样品......
采用双靶共溅射的方法制备了光电性能较好的掺Al氧化锌(AZO)薄膜,利用X射线衍射仪、霍尔测试仪、SEM等多种技术手段研究了不同的Al......
传统钙钛矿薄膜的退火结晶占据薄膜制备的大量时间[1-2],对于钙钛矿太阳电池的工业化生产不利,所以本文提出了一种基于MA的钙钛矿......
GaN基稀磁半导体有望应用于未来的自旋电子器件领域,近年来得到各国学者的广泛关注。实验中采用离子注入结合快速退火工艺,在MOCVD......
锌镁合金镀层具有优良的耐腐蚀性能，真空镀与电镀、热浸镀是目前可行的锌镁合金制备工艺。研究表明锌镁合金相MgZn2和Mg2Zn11的形成......
本文采用等离子体增强化学气相沉积法（PECVD）沉积非晶硅薄膜，然后在快速热退火炉中退火使其晶化。利用X射线衍射仪(XRD),拉曼光谱仪(R......
本文利用快速退火的研究方法对Φ8英寸直拉硅单晶片中的流动图形缺陷(FPDs)进行了研究.首先用secco腐蚀液腐蚀了大直径直拉硅片,利......
研究了不同的快速退火(RTA)温度对Mg掺杂的InN材料的影响。根据马赛克微晶模型，利用X射线衍射(XRD)技术，对样品的对称面和非对称面做......
本文介绍一种用计算全息方法制作的激光扫描器,理论上衍射效率可达40%. 扫描矩形面积2×3mm~2,当Ar~ 激光功率为4W时,对砷离子注入......
利用电子万能试验机、万能硬度计和光学显微镜研究了快速退火工艺对深冷轧制6063铝合金显微组织、硬度、力学性能及断口形貌的影响......
利用光荧光(PL)和双晶X射线(DCXRD)技术，研究了快速退火对MBE生长的量子点超晶格的弛豫机制和光学性质的影响。随着退火温度的提高，P......
本文借助ＳＩＭＳ技术，系统地分析了４５ｋｅＶ，１×１０１４、２×１０１５和５×１０１５ｃｍ－２ＢＦ＋２注入单晶硅和８０ｋｅＶ、２×１０１５ｃｍ－２ＢＦ＋２注入多晶硅栅在快速退火条件下，Ｆ在单晶硅和多晶硅栅中的分布剖面，并对Ｆ在单晶硅......
向CoSi2膜中分别注入As+和BF2+杂质,以这种掺杂硅化物作为扩散源,用快速热处理使注入杂质再分布至CoSi2下面的硅衬底中,能制作出结......
采用Ge／Pd／GaAs结构和快速热退火在n－GaAs上形成了低阻欧姆接触。利用H次离子质谱（SIMS）技术揭示和讨论了低欧姆接触形成的机理。比较了......
报道了以乙酸铅、乙酸氧锆和钛酸正丁酯为原料，用溶胶-凝胶（Sol-Gel）法，经多次旋转涂膜，在Pt／Ti／SiO2／Si衬底上制备了PZT凝胶薄膜。用快速......
本文介绍利用界面混合技术对ＧａＡｓ／ＡｌＧａＡｓ量子阱结构进行微调，通过荧光光谱和光响应电流谱给出了质子注入和快速返火对禁带宽度及导带内子带位置......
研究了N2和N2/NH3混合气两种不同气氛快速退火处理硅片对洁净区和氧沉淀分布的影响.研究发现:N2/NH3混合气氛处理的硅片在后序热处......
研究了在GaAs(001)衬底上外延生长的本征ZnTe薄膜样品在氮气氛中450～550℃下的快速退火行为。对于1 min退火的样品,随着退火温度的......
在掺铌钛酸锶(NST)的衬底上,通过加入抑制开裂剂聚乙二醇对异辛基苯基醚(triton X-100),利用溶胶-凝胶法制备了厚达4.6μm的锆钛酸......
硅(Si)是整个平导体微电子学的载体和基石。但是硅(Si)的间接带隙性质使得其必须借助声子才能实现光学跃迁,这极大地影响了硅材料......
随着半导体工业的发展,器件向微型化、集成化方向转变成为必然趋势,将铁电功能薄膜与CMOS-Si集成技术高效结合,可实现新型传感、驱......
目前,氧化铟锡(ITO)薄膜应用越来越广泛,在显示器、太阳能电池等高科技领域有着不可取代的地位。我国的铟资源储量丰富,且生产工艺......
磁铅石型钡铁氧体(BaFe12O19,BaM)因具有高单轴磁晶各向异性场、高饱和磁化强度、高矫顽力、高剩磁比以及良好的机械强度和化学稳......
钛基铱钽氧化物阳极以其优异的电化学活性和稳定性在废水处理、土壤修复等领域引起了广泛的关注。该类阳极的研究方向之一是制备电......
本文报道对氢化非晶硅 ( a-Si∶H)薄膜在 6 0 0～ 6 2 0℃温度下快速退火 1 0 s可以形成纳米晶硅 ( nc-Si) ,其 Raman散射表明 ,在所......
本文研究了7Cr7Mo3V2Si钢退火过程中的组织变化及球化退火机理,发现球化退火过程中,奥氏体的等温分解是以粒状碳化物的独立形核为......
高浓度浅结是高速砷化镓MESFET的重要技术.我们采用透过氮化硅薄膜进行Si离子注入的方法研制了载流子浓度大于10~(15)cm~(-3)的薄......
为了取得蓝色发光材料,我们研究了GaP-GaN固溶体.在GaP外延片的衬底上进行了离子注入重掺N,获得了不同于GaP结构的晶体.X射线衍射......
本文研究了瞬态退火As注入Si的瞬态增强扩散模型。观察了增强扩散与剩余缺陷和晶格恢复之间的关系。用背散射技术测量了As浓度分布......
研究了砷注入硅和砷通过SiO_2层注入硅的快速退火特性。给出了制备0.1—0.6μm的PN结最佳条件。用透射电子显微镜(TEM)观察了晶格......
在单晶硅Si(100)衬底上,采用直流磁控溅射FeSi合金靶,并通过后续的快速退火(RTA)的方法制备β-FeSi2薄膜。主要研究了退火温度......
本文以La0.5Sr0.5CoO3(LSCO)做缓冲层，用射频磁控溅射法在Pt/Ti/SiO2/Si基片上制备出具有钙钛矿结构的0.9Pb(Sc0.5Ta0.5)O3-0.1PbTi......
介绍一种实现高性能增强型AlGaN/GaNAlGaN/GaN HEMT的新的方法。该方法是对AlGaN/GaN HEMT的栅极进行氟离子处理,并在500℃的温度......
对手机用砷化镓射频开关制作工艺中的离子注入及其退火技术进行了实验,认为φ76mm砷化镓圆片经光片注入Si离子后包封40nm SiO+60nm......
用Ｐ〈’＋〉离子注入ＩｎＧａＡｓ／ＩｎＧａＡｓＰ应变多量子阱激光器结构，再经Ｈ〈，２〉／Ｎ〈，２〉混合气氛下的快速退火，体内ＭＷＱ层中发生组份混合，导致激光器件的激射波长蓝移７７．９ｍｍ，而未......
采用电脉冲快速退火使非晶合金Ｆｅ〈，７３．５〉Ｃｕ〈，１〉Ｎｂ〈，１〉Ｍｏ〈，２〉Ｓｉ〈，１３．５〉Ｂ〈，９〉实现纳米晶化。组织分析与磁性能测定结果表明，合金经济电流处理可得到较常......
