氮化铟相关论文
采用射频等离子辅助蒸发法,在玻璃衬底上制备InN薄膜.采用X射线衍射仪(XRD)和扫描电子显微镜(SEM)对样品的结构和形貌进行表征,使......
由于生长氮化铟(InN)所需平衡氮气压较高,而且InN分解温度比较低,因此,在生长InN时铟(In)原子很容易在表面聚集形成In滴,使InN外延......
采用射频等离子体分子束外延(RF-MBE)技术在蓝宝石(Al2O3)衬底上外延生长了InN薄膜, 在生长之前对其进行不同时间的氮化处理。通过......
研究了不同的快速退火(RTA)温度对Mg掺杂的InN材料的影响。根据马赛克微晶模型，利用X射线衍射(XRD)技术，对样品的对称面和非对称面做......
在１９９９年５月举行的激光电光学会议（巴尔的摩）的逾期论文中，日本东京大学和德国维尔兹堡大学的研究人员报导了室温下从光泵垂直腔面发射激光......
香港科学技术大学和东京技术研究所的研究人员最近报道利用自组织氧化锌（ZnO）薄膜在室温下获得387urn激光．这种微晶薄膜的峰值增益比......
用X射线衍射(XRD),傅里叶红外吸收(FTIR)对InN粉末在N_2气中的热稳定性进行了分析。结果表明:当温度超过600℃时,一部分InN粉末被......
用X射线衍射(XRD)、傅里叶红外吸收(FTIR)对InN粉末在空气中的热稳定性进行了分析研究。结果表明:当温度低于400℃时,InN非常稳定;......
通过介绍蓝宝石衬底上生长氮化铟(InN)单晶薄膜的发展历程,阐述了生长该单晶薄膜的几种方法及生长过程中存在的一些问题和改进措施......
基于氮化铟高电子迁移率场效应晶体管实现高速逻辑、混合信号的集成电路显然还有很长的路要走,但研究已经开展起来,目前也取得了一......
在自制设备上用氢化物气相外延(HVPE)方法在α-Al_2O_3以及GaN/α-Al_2O_3衬底上生长了InN薄膜,并对其性质进行了研究。重点研究了......
InN是三五族半导体中唯一具有超导性质的材料,在超导体/半导体混合器件领域具有重要的应用价值。运用磁输运的方法,系统性地研究了......
在平板显示器中,每个像素上都有一个薄膜晶体管(TFT)对像素进行开关从而达到显示的作用。目前市场上TFT主要以非晶硅和低温多晶硅......
在多数人眼中,病毒就是危害人类健康或计算机安全的害群之马。然而,近些年来,伴随纳米技术的出现,己使得上述状况发生了改变,某些......
研究了金属有机物化学气相沉积法制备的不同厚度InN薄膜的位错特性与光电性质.基于马赛克微晶模型,通过X射线衍射非对称面摇摆曲线......
美国IBM公司试制了一种氮化镓发光二极管,结构如下: 1.衬底——无势垒的硅衬底,P型电导。 2.氮化镓层——半绝缘,具有高比电阻(10......
利用脉冲热分析技术(PulseTA)实现对热分析-质谱(TA-MS)联用系统中逸出气体质谱信号的定量,考察了多种实验参数如不同载气流速、温......
随着通信技术的发展进步,需要高速率、大容量并且灵活、节约的光源满足下一代系统需求。可调谐DFB-LD因其具有稳定的动态单模输出......
本论文可以分为两个部分。第一个部分是氮化铟(InN)的研究，包括InN纳米结构的生长与InN性质的研究，包括第二、三、四、五章。第二个......
学位
准一维纳米材料具有优异的物理、化学性能，在纳米材料科学领域受到了广泛关注。其中，准一维纳米材料的可控生长是当前纳米材料研究的......
近年来，Ⅲ族氮化物材料越来越受到人们的关注。由于Ⅲ族氮化物特有的带隙范围，优良的光、电性质，优异的材料机械和化学性能，使得它在光......
GaN基半导体器件的商业化使得当前对Ⅲ族氮化物的研究发展迅猛。由于带隙可以从6.2ev到0.7eV连续变化，所对应的波长覆盖了从近红外......
太赫兹光子能量(0.41-41.4me V)与材料分子的低频率振动以及转动能量相匹配,太赫兹波技术为物质的表征和操控提供了广阔的空间。本......
该论文旨在完善和发展贵金属和半导体纳米材料化学合成的新方法.在大量的文献调研基础之上,作者创造性地提出了几种纳米材料合成新......
二维过渡金属硫化物纳米材料和Ⅲ-Ⅴ族半导体纳米材料具有独特的物理特性及优异的电学性能,因而引起世界各国专家学者的广泛关注。......
本文利用基于密度泛函理论的第一原理总能计算方法，分别用US-PP(Ustralsoft-pseudopotential)势和PAW(projector augmented-wave)势......
美国每日科学网站报道指出，晶体是二极管的核心。这里所说的晶体并不是存在于石英中的自然形成的晶体，而是人工制造用以组成合金（例如......
本文利用第一原理方法研究了生长环境和表面极性对InN(0001)面的表面形态的影响.计算结果表明,在(0001)面,富In的环境下吸附两层In......
瑞典研究人员已公布了一项计划,准备制造能发射线性偏振光的量子点。林雪平大学的Anders Lundskog及其同事通过在基部已加长的微型......
采用非掺GaN为缓冲层,利用金属有机物气相沉积(MOCVD)方法在蓝宝石衬底上获得了晶体质量较好的InN单晶薄膜.用光学显微镜观察得到......
采用基于密度泛函理论(DFT)的总体能量平面波超软赝势法,对Mg,Zn,Cd掺杂InN的32原子超原胞体系进行了几何结构优化,从理论上给出了......
基于氮化铟高电子迁移率场效应晶体管实现高速逻辑、混合信号的集成电路显然还有很长的路要走，但研究已经开展起来。目前也取得了一......
利用基于密度泛函理论的第一性原理计算了硫对InN（0001）面氧吸附及硫钝化对InN（0001）面性能的影响.结果表明：硫原子介入后,氧原子在InN（0......
由于1.55μm波段广泛应用于通信领域,为了探索不同生长温度对InN量子点的形貌影响,并且实现自组装InN量子点在1.55μm通信波段的发......
在N2气压为2．67×10^-2Pa,500℃的条件下，用MBE方法在GaAs(001)衬底上生长了InN的外延层。生长期间，In流量以3×10^14到24......
采用射频等离子体辅助分子束外延（RF-MBE）方法在6H-SiC衬底上制备纤锌矿结构的氮化铟（InN）薄膜.利用原位X射线光电子能谱测试确定了InN......
综述了Ⅲ族氮化物量子点材料及其器件应用研究现状.主要涉及了GaN,hN和InGaN量子点材料的形貌结构特征、实现工艺方法、外延生长机......
采用非掺GaN为缓冲层,利用金属有机物气相沉积(MOCVD)方法在蓝宝石衬底上获得了晶体质量较好的InN单晶薄膜.用光学显微镜观察得到......
利用吸收光谱、光致发光谱、喇曼散射光谱和椭圆偏振光谱一系列光学手段，对采用金属有机物气相沉积法（MOCVD）制备的InN薄膜的光学性质......
本文总结了新型半导体InN薄膜晶格振动研究的现状,主要为Raman散射光谱及部分红外光谱的研究结果.重点内容为InN(包括六方纤锌矿结......
