激光器结构相关论文
高功率横流CO激光器在激光切割、焊接和热处理等工业加工领域，发挥着愈来愈重要的作用。本文全部研究工作，都是围绕着高功率横流CO激......
大功率全固化绿光激光器最近，我们利用中国科学院物理所生长的Ｎｄ：ＹＶＯ４，ＫＴＰ晶体和福建物构所生长的ＣｈＯ晶体，采用角度相位匹配的ＫＴＰ腔内倍频和温度相位匹......
无外加氟施主情况下，在采用聚四氟乙烯面预电离板的准分子激光器中，分别用摄谱法和光电转换扫描法对放电激发Ｋｒ／Ｎｅ混合气体产生的有关紫外......
对加反射镜测量放大自发辐射方法测量小信号增益系数的物理模型作了修正。给出了修正后小信号增益系数的计算公式。测量了横向脉冲......
罗马尼亚原子物理所、激光等离子体和辐射物理国家研究所和日本分子科学研究所、分子科学激光研究中心以及福井大学工程系合作,共......
10年前,英国Cavendish实验室第一个研制成了用有机聚合物制作的发光二极管。现在Cavendish实验室的研究人员已将这一技术向前推进......
为了制作光互连和通信系统中具有低阈值电流和高特征温度的1.3μm的激光器,载流子必须被有效限制在量子阱区域。这需较深的势阱。......
二极管激光抽运的固体圆盘激光器作为高功率激光源是有希望的 ,因为它能有效去除增益介质的热量 ,从而也能消除其他固体激光器设计......
意大利米兰消息,米兰工业学院教授Cesare Svelto研制一种大功率、窄线宽光源,其性能超过以往这类光源中的任何一种光源.据Svelto介......
将IJL88 2 0 0型激光测距机中的激光器改装成“免调试激光器” ,并对改装前后的激光器及测距机的性能进行对比试验 ,取得了理想的......
研究了ＧａＡｓＳｂ/ＧａＡｓ应变量子阱及应变补偿量子阶激光器结构的光致发光和电注入发光．结果表明,分子束外延生长温度的改变使量子附发光性能发生系......
制作一流可靠绿光激光二极管的材料结构又多了一个有价值的竞争者。日本索菲亚大学的研究人员制作出采用BeZnSeTe有源区的Ⅱ-Ⅵ族......
经过纽约州立大学一个研究小组的努力,GaSb基连续波激光二极管的发射波长从3.1μm扩大到3.36μm。这种激光器光谱范围的增大,就可......
应用单级偏振无关的准共线型声光可调谐滤波器为调谐元件,实现了环形腔掺铒光纤激光器的连续可调谐激光输出.简要阐述了与偏振无关......
为进一步提高氧碘化学激光器效率,提出一种不改变激光器结构,仅变换主副载气的方法。在增益区长度为11.7 cm的激光器上进行实验,以......
介绍了利用兰姆凹陷稳频He-Ne激光器的基本结构与腔长调节工作方式,从激光器结构方面对影响其预热时间、频率稳定度和频率重复性的......
设计了一种新型的闭环双向三激光器混沌保密通信系统,驱动激光器基于延时外光反馈,两个参数完全相同的响应激光器在自身延时反馈和......
设计了一种新颖的快速可调谐激光器。这种激光器在恒定电流泵浦的有源微环组成的半导体环形激光器腔外部集成一个可调谐的无源微环......
采用气态源分子束外延在InP衬底上生长InAs/InGaAs数字合金应变补偿量子阱激光器.有源区的多量子阱结构由压应变的InAs/In_(0.53)G......
采用基于半导体光放大器(SOA)的“8”字腔激光器结构,当SOA的驱动电流是220mA时,通过调整腔内的偏振控制器(PC),产生脉冲宽度分别......
提出一种新颖的单片集成双微环耦合的双波长半导体激光器结构。集成于激光腔内的2个微环谐振腔作为模式选择滤波器,通过游标效应选......
报道了一种基于被动调Q Nd∶YAG微片结构的主振荡功率放大和Nd∶YVO4板条多程放大的激光器。主振荡级采用Nd∶YAG/Cr4+∶YAG被动调......
研制了一台高重复频率电光调Q单纵模主振荡激光器。利用高速电子电路负反馈控制系统,在激光器谐振腔内引入一个随光强动态变化的损......
得益于高功率尾纤输出半导体激光器和非保偏光纤及器件的发展,随机偏振光纤激光在过去十年内输出功率得到了极大的提升,但国内尚无......
氟化氢化学激光器的出光物质为激发态HF分子,由于其多振动/转动能级结构,决定了输出激光的多谱线特征.理论上,HF激光器输出激......
使用固态源MBE 系统进行锑化镓基量子阱激光器结构的外延生长,通过优化稳定生长条件,结合标准宽条形激光器制备工艺,获得了在1......
在院党委的直接领导下,在上海市激光试验站的大力协助下,我院实行了院内“三结合”,自力更生,因地制宜地试制了医用激光器。(其外......
氦氖激光发射单色红光,波长6328,激光器结构简单,功率稳定,医学临床广泛应用于皮肤:粘膜、炎症等疾病。小剂量氦氖激光对生物系统......
一种新型的激光器结构“T型激光器”已与金属半导体场效应晶体管(MESFET)单片集成在一半绝缘GaAs衬底上。籍助于一种具有兼容性的......
本文描述的这种新型窄条扩散型GaInAsP/InP激光器不仅容易制作,而且在光输出功率大于35mW/端镜面、CW工作的条件下,显示出既稳定又......
如以前本刊和其它一些刊物报导中所指示的那样,在过去的两三年里,集成光学研究的重点是在不断地改变着。在寻求新材料工作方面,所......
描述并分析了具有螺线形电极结构的横向激励大气压CO_2激光器。该激光器结构具有自然地有利于激励谐振腔的最低次模式的径向增益剖......
近年来,在同一衬底上单片集成光电子器件的研究相当活跃,现已报导的一些光电子集成电路(OEIC),大多采用液相外延(LPE)生长多层结......
法国已经安装了1.55μm的波分多路系统。将1520nm的565Mbit/s ASK信道与一个1560nm视频SFM信道进行复用。证明用外腔减小激光器光......
本文简要报道了P型衬底1.5μm隐埋新月型激光器的制备和特性,激光器在室温下连续工作的典型阈值电流为20mA低的为15mA,发射波长为1......
设计研制了一种新的低阈值、单模工作的(GaAl)As/GaAs激光器.该激光器结构巧妙地利用了非平面衬底液相外延的性质,所有外延层的生......
我们用AIXTRON生产的LP-MOCVD系统进行了InGaAs(P)/InP材料的生长研究,用X-ray双晶衍射仪、PL光荧光光谱仪、α-台阶仪及C-V仪等分......
本文采用新型悬臂梁式可调谐垂直腔面发射激光器结构，将具有Al0.8Ga0.2As牺牲层结构的DBR反射镜制备成微纳光机电系统(Micro-Na......
本文利用新型全固源分子束外延技术,对1.55μm波段的InAsP/InGaAsP应变多量子阱材料的生长进行了研究.在此基础上生长了多量子阱激......
光数据存储之所以有巨大吸引力，主要原因是它具有极高的信息密度和越来越大的存储容量，使得光存储能提供远超过传统磁存储的能力。光......
