价带相关论文
在中学物理教学中,经常用验电器做演示实验,由于验电器中的箔片较小,再则验电器正面的玻璃反光,所以总有一部分学生难以看清,以致......
Based on the k.p theory of Luttinger-Kohn and Bir-Pikus,analytical E-k solutions for the valence band of strained wurtzi......
石墨烯(Graphene)自十几年前诞生以来就一直让科学家们着迷。这种仅仅一个原子厚度的碳元素材料拥有出色的电子特性、强度、超轻重......
随着现代工业的迅猛发展,人类面临的能源危机和环境污染问题日益严重.光催化剂技术有望利用太阳能同时解决这两大问题,其关键在于......
采用经表面优化的对称球形团簇作Si_3N_4,Si晶态量子点的模型,利用紧束缚近似和recursion方法研究了它们的电子结构,给出了导带底和价带顶位置随量子点尺......
该文对生长在Si、Ge及其合金衬底上形变的Si1-xGex合金中由替位原子或空位缺陷产生的深能级进行了研究.其中形变合金的电子结构用经验的紧束缚方......
报道了Hg0.6Cd0.4Te红外光电导谱,在本征吸收边的低能侧观察到束缚激子引起的分立光电导响应
Reported Hg0.6Cd0.4Te infrared photoconductive......
用光电发射的方法研究了碱金属Na和碱土金属Mg对Ge/GaAs(100)异质结形成及能带偏离的影响。实验结果表明,Na和Mg的薄夹层可使Ge/GaAs(100......
采用LMTO-ASA能带计算方法,研究三元合金InlGa4-lAs4和InlAl4-lAs4(l=0,1,2,3,4等五个有序态)的能带结构和平均键能Em;在此基础上,将原子集团展开与平均键能方法结合起来计算了InxGa1-xAs/InxAl1-xAs异质结......
本文应用平均键能理化和形变势方法对理想的Si-GaAs(001)异质界面的价带不连续性进行了理论确定,全面分析了应变的静流体分量和单轴分量所起的作......
本文提出了应变Si1-xGex价带结构的等价有效简并度模型.借助这个模型,计算了赝晶生长在(100)Si衬底上的P型Si1-xGex应变层的重掺杂禁带窄变,发现当杂质浓度超过......
采用半经验紧束缚近似方法对生长在GaSbxP1-x(001)衬底上GaP的电子能带结构进行计算。GaP为间接能隙型的半导体,计算表明,当衬底中Sb组分x≥0.57时,应变的GaP薄层由间......
该文对PE薄膜的电导特性的实测数据进行了非线性回归分析,得出了三种模型.分析三种模型后可得有关项的物理意义,并可得到欧姆传导、空......
用同步辐射光电子能谱测量了Si/ZnS(111)及(100)异质结的价带偏移ΔEv.对于Si/ZnS(111)及(100)两界面,ΔEv的实验结果均为(19±01)eV,与已有理论预期值相当符合,但与Maierhofer所报告的ZnS/Si(111)异质......
采用基于LMTOASA的平均键能计算方法和原子集团展开方法,研究了两组晶格匹配三元合金异质结(AlP)x(Si2)1-x/GaP和(GaP)x(Si2)1-x/GaP的价带带阶ΔEv(x)值。研究表明,两组异质结的ΔEv(x)值......
本文介绍了一种用满足一定条件的俄歇谱线的峰-峰幅度值来研究局域电子态密度的方法。并用此方法研究了成膜原子与衬底原子间的电荷......
结合应变异质界面能带排列的平均键能理论和形变势方法,确定了三种不同衬底上生长的Si/Ge系统在(001)和(110)两种不同晶面上的价带能量不连续值(E_v)得出......
针对应变Si_(1-x)Ge_x的应变致价带分裂和重掺杂对裂值的影响,提出了该合金价带结构的等价有效简并度模型。模型中考虑了非抛物线......
制备了微晶平均尺寸不同的两种CdSxSe1-x半导体微晶限域玻璃。实验研究表明:对微晶尺寸小于激子的玻耳半径的样品,能观察到激子的室温吸收和荧......
采用LMTO能带从头计算方法,计算了闪锌矿(立方)结构AIN和GaN的静态性质;用平均键能方法,预言了AlN与GaN自由应变生长、以AlN为衬底和以G......
在应变异质结价带偏移从头算赝势法的理论计算中,建议一种以平均键能为参考能级的△E_v 值理论计算方法,该方法在以 Si 为衬底、以......
通过测量GeSi多量子阱的红外谱,同时观察到了相应于量子阱内重空穴基态HH0到重空穴激发态HH1、轻空穴激发态LH1和自旋分裂带SO及连续态间的跃迁吸收......
该文研究了重掺杂引起的禁带变窄效应对电离率与有效多数载流子浓度的影响;建立了从77K到300K广为适用的数学模型.获得的计算结果在轻掺杂时......
在异质结能带排列的理论计算中,采用经验赝势能带计算方法,并将平均键能Em作为参考能级,计算了GaAs/Ge,AlAs/GaAs和AlAs/Ge三种异质结的整体能带结构和排序(包括价......
测量了ZnSe,Zn0.84Mn0.16Se 合金和ZnSe/Zn0.84Mn0.16Se 超晶格的10~300K 的变温光致发光谱.发现ZnSe 的带隙在10K 时比Zn0.84Mn0.16Se 合金的带隙小,而在300K 时比合金的带隙大.预计ZnSe/Zn0.84Mn0.16Se 超晶格中在130K 附近会发生势......
K吸附层的存在能促进GaAs(100)表面在室温下的氮化.光电发射测量为此提供了证据.在将K/GaAs(100)暴露于纯氮以后,价带和芯能级谱均会出现显著变化:功函数有一......
应用同步辐射 (hν =10 0eV)和XPS研究了稀土金属Gd室温下在清洁的Ni(110 )表面上的生长过程 .发现了随着Gd膜厚度的增加 ,Gd(4f)......
利用同步辐射光电子能谱技术研究了Gd在GaAs(10 0 )表面的吸附。当吸附厚度小于 0 47nm时 ,界面反应弱 ;在 0 47~ 0 9nm范围......
使用直流磁控反应溅射的工艺方法制备了Ta2O5薄膜MOS型湿敏元件,提出了元件的结构模型,并对其感湿机理进行了讨论.
The Ta2O5 film M......
利用变频导纳谱研究了Hg1-xCdxTe(x=0.6)n+-on-p结中的深能级缺陷,得到其缺陷能级位置在价带上0.15eV,同时给出了其俘获截面和缺陷密度,初步认为是Hg空位或与其相关的复......
采用有效质量理论6带模型,研究了电场下应变层量子阱AlN/GaN(001)的价带子能带结构.具体计算了价带子能级的色散曲线,分析了电场和应变效应对子能带......
本征的强离子性,使ZnSe基半导体蓝绿激光器易于形成堆垛层错等退化缺陷,严重地影响了器件的寿命。人们便开始将注意力投向离子性较低......
采用基于LMTO-ASA的平均结合能计算方法,研究了在ZnSxSe1-x衬底上沿(001)方向外延生长的应变层异质结ZnS/ZnSe的价带带阶值。研究表明,应变的结果使价带带阶随衬底组......
计算了具有线性Ge 分布的SiGe 基区价带有效态密度和空穴浓度的分布,分析了基区内建电场的物理机制,分别采用Boltzm ann 统计和Ferm iDirac统计给出了内建电......
采用基于原子球近似下线性Mufin-Tin轨道(LMTO-ASA)的平均键能计算方法,研究了以ZnSxSe1-x为衬底,沿(001)方向外延生长的应变层异质结ZnS/ZnSe、ZnS/ZnSxSe1-x和ZnSe/ZnSxSe1-x的价带带阶值ΔEv(x).研究表明,ΔEv(x)值随......
本文研究了多孔硅(PS) 二极管表面发射电子的特性。PS二极管由薄金膜、PS层、n 型Si 衬底和欧姆接触铝背电极组成。在真空中,当在金电极和铝背......
采用基于LMTO-ASA的平均键能计算方法和原子集团展开方法,研究了三组典型的晶格匹配三元合金异质结(GaAs)x(Ge2)1-x/GaAs,(AlAs)x(Ge2)1-x/GaAs......
本文分析了一个单量子阱的随频率变化的G-V特性,提出用电导法测量量子阱的能带偏移.通过对一个Si1-xGex/Si单量子阱的实验G-V曲线的分析,验证了这一方法......
采用有效质量理论6带模型,计算了应变层超晶格GaNAlN(001)的电子结构,具体计算不同应变状态的价带子能带色散曲线、光吸收曲线。分析了应变状态......
本文从第一原理出发,用 Linearized-Muffin-Tin(LMTO)能带方法对应变超晶格(ZnSe)n/(Si2)。(110)(n=2~7)进行自洽计算.在此基础上采用冻结势方法计算了应变异质结ZnSe/Si2(110)的价带带阶,得到其理论值为 ......