杂质能级相关论文
运用第一性原理计算系统研究了两类C掺杂(C取代O和C填隙)锐钛矿TiO2的结构和电子性质.结果 表明,通过优化可以得到3种C取代O掺杂结......
能源危机和环境污染促使着研究者开发利用新型可再生的能源,而热电转换技术相比于现有的能源技术,具备特有的一些优点,如全固态转......
为了提高纳米TiO2的光催化性能,这里采用溶胶-凝胶法将稀土元素钕掺杂于纳米TiO2体系,制备了钕掺杂纳米光催化剂Nd-TiO2,通过XRD、......
采用射频/直流磁控共溅射法制备不同Cu掺杂量的氧化钛薄膜,研究了Cu掺杂对TiO2膜吸收边红移的影响,并探索其机理。发现当TiO2溅射......
运用第一性原理的LDA+U(U_(Ti-3d)=7eV,U_(O-2p)=4eV)方法研究了N掺杂金红石TiO_2的电子结构和光学吸收性质。研究表明N元素的掺杂......
以Bi(NO_3)_3、Ti(OC_4H_9)_4、In(NO_3)_3和聚乙烯吡咯烷酮(PVP-K30)为原料,采用静电纺丝法和沉淀法相结合,成功制备了Bi掺杂In_2......
苯酚是一种稳定、毒性大且难降解的有机物,对人类和生态环境产生很大威胁,因此急需研发出能有效移除工业废水中苯酚污染物的方法.......
光催化分解水制H_2和光催化还原CO_2是解决能源危机和全球变暖的有效途径.但是,由于粉末光催化剂存在回收效率低的问题,因而光催化......
用过渡金属氧化物ＭｎＯ＿２、ＦｅＯ＿３、ＣｕＯ、ＣＯ＿２Ｏ＿３等为主要原料￣［１］，掺入少量杂质，采用传统的电子陶瓷工艺，刺备出红外陶瓷粉料，然后选择合适的粘合剂与粉料混合，调制......
该文对生长在Ｓｉ、Ｇｅ及其合金衬底上形变的Ｓｉ１－ｘＧｅｘ合金中由替位原子或空位缺陷产生的深能级进行了研究．其中形变合金的电子结构用经验的紧束缚方......
采用变激发功率密度下的光致发光，变温下的光致发光等手段，研究了混晶ＧａＡｓ１－ｘＰｘ：Ｎ（ｘ＝０．４）样品中各发光带的发光特性，比较了不同激发条件下Ｎｒ与Ｎｘ发光带的不同......
用光热电离光谱方法研究了硅中硼受主杂质能级在０～１１Ｔ磁场下的塞曼效应。观察到硅中硼受主激发态的塞曼分裂与移动。实验结果与讨论表明......
建立了计算低温晶体管基区电离杂质浓度分布的精确物理模型和数值模型。由于该模型考虑了载流子费米统计分布、发射区注入和杂质电......
用纯数值技术计算了５０～１５０Ｋ下磷、硼非补偿和补偿时在硅中的电离率，考虑了Ｆｅｒｍｉ－Ｄｉｒａｃ统计、禁带变窄效应、冻析效应以及温度对各种物理参数的影响，结果......
该文对PE薄膜的电导特性的实测数据进行了非线性回归分析，得出了三种模型．分析三种模型后可得有关项的物理意义，并可得到欧姆传导、空......
采用傅里叶变换红外光谱仪，在４．２～３００Ｋ、２０～３５０ｃｍ－１范围测量了Ｈｇ１－ｘＣｄｘＴｅ的远红外透射光谱，研究了剩余射线吸收带两侧样品的吸收行为．除了单声子及双声子模外，还观察......
根据不同的感光胶片对特种波长光感光灵敏度低和电致发光单色性的特点，研制出系列暗室照明光源和显示器件。研究方法是改变Ⅱ－Ⅵ族化......
采用基于密度泛函理论超软赝势平面波方法的第一性原理计算了纯锐钛相Ti O2和非金属(B,C,N,F,P,S,Cl)掺杂体系的晶体结构、电子结......
用四面体含碳原子簇模型MC_4H_(12)(M=C,B)和量子化学的Gaussian76从头计算方法,对金刚石晶体及其代位硼体系的电子结构进行了无调......
本文根据密度泛函理论(DFT),采用第一性原理平面波赝势方法,计算了Sb掺杂对透明导电薄膜SnO2电子结构及导电性能的影响,讨论了掺杂......
采用了Lee T D,et al变分法和Jiang H X强微扰理论计算在磁场作用下量子阱中类氢杂质的束缚能,考虑了电子与纵光学声子LO和面光学......
本文运用第一性原理的计算方法,以C/TM和N/TM共掺杂(碳与过渡金属共掺杂和氮与过渡金属共掺杂)TiO_2为例,分别计算了它们共掺杂TiO......
利用变分法讨论势垒厚度对GaAs/AlxGa1-xAs量子阱中杂质态结合能的作用以及垂直于界面方向磁场的影响,分别给出结合能随阱宽、垒厚......
阻变式随机存储器(RRAM)是目前新型存储器领域的研究热点。基于ZrO2材料,选取Al和Ag作为杂质元素。采用第一性原理方法计算了掺杂......
基于平面波赝势密度泛函理论,采用局域密度近似(LDA)方法研究了Sb 掺杂SnO2 的电子结构和光学性质.计算结果表明,与本征SnO2 ......
由于量子阱中的浅施主杂质的研究对杂质能级的性质以及量子阱本身性质的研究都提供了有用的信息 ,因而近来对极性半导体量子阱中的......
半导体材料/器件的带边电子结构、特别是与缺陷相关的杂质能级结构是决定器件光电性能的关键物理参数。基于傅里叶变换红外（FTIR）光......
过渡金属离子Mn4+激活的铝酸盐和氟化物发光材料具有良好的发光效率和稳定性,已经在LED领域获得广泛应用。然而对影响其发光效率的......
为了简化AlN/C复合泡沫材料的制备流程,本文采用复分解反应法制备AlN纳米材料,并通过800℃退火处理使其在碳泡沫衬底上重结晶为六......
采用基于密度泛函理论的第一性原理计算方法,研究了当氮化硼纳米管(BNNT)中的B原子和N原子被5d过渡金属原子(Lu,Hf,Ta,W,Re,Os,Ir,......
本文根据光的吸收和反射理论，讨论了ＴｉＮｘＣｙ装饰膜的费米能和其颜色间的定量关系。
In this paper, based on the theory of absorption a......
评述了国际上金刚石薄膜场发射的研究进展和存在的问题．主要包括金刚石薄膜场发射现象、场发射的可能机制和改善场发射的措施
The ......
利用金属醇盐以溶胶－凝胶方法制备了Ｓｂ掺杂ＳｎＯ２（ＡＴＯ）薄膜，研究了玻璃基板中Ｎａ＋离子扩散对薄膜性能的影响及其机理，并进行了在玻璃表面预镀ＳｉＯ２底膜以防止......
用微波等离子体化学气相沉积设备,在陶瓷/金属钼薄膜衬底上沉积出了氮掺杂非晶碳膜,分别用扫描电子显微镜(SEM),金相显微镜及Raman......
生物大分子除脂肪外都是聚合物,它们和晶体类似,具有周期性结构。由于直接计算生物大分子,目前还受计算机容量限制,因而我们采用含......
为了更好地理解磷掺杂金刚石薄膜的成键机理,和磷掺杂浓度对金刚石晶格完整性及电导率的影响,本文通过第一性原理的方法计算了不同......
本文报道了氮掺杂富勒烯的红外和紫外可见光谱。发现氮原子替位掺杂可激活Ｃ６０分子的部分红外沉寂模式，紫外可见光谱证实，氮掺杂后，氮以施......
TiO在微电子结构器件中有重要的应用前景.本文以CO2作反应气体,采用直流反应磁控溅射方法成功制备出C掺杂TiO薄膜.采用XRD,XPS和四......
本文报道用电子束蒸发法将过渡金属Co掺入a-Si薄膜,用电导率与温度的依赖关系,ESR紫外透射谱测量手段对a-Si:Co薄膜的电学、光学特......
对高纯外延 N 型 GaAs 的高压霍尔测量作到了60千巴,结果表明,在50千巴和室温下,X_(1C)迁移率为350±40厘米~2伏~(-1)·秒~(-1)。X......
