空位缺陷相关论文
近年来,三元过渡金属硅化物因其优异的物理化学性质被广泛用作高温材料。比如高超声速巡航飞行器的尖锐前缘材料,高温可重复使用表......
氢气（H2）具有燃烧热值高、用途广泛以及清洁无污染等优点,是解决全球能源短缺和环境污染问题的新一代环保可再生能源。然而,传统的氢......
与母体材料相比,一些二维材料具有非同寻常的性能,成为研究的热点。目前二维硅化物材料的研究极少。三维硅化镁（Mg2Si）材料具有制备......
在电磁频谱上,桥接光学和微波的太赫兹（Terahertz,THz）波具有很多独特的物理性质,从而使其可用于许多有前景的技术上,例如成像、无损......
近年来,食品污染对人类健康造成极大的威胁,食源性病原体是导致疾病发生的直接原因之一。食源性病原体会产生特定的挥发性生物标记......
铁是地球内部的重要组成元素,地球内部又是高压环境,所以铁在高压条件下的物性研究对地球、地质科学具有重要的意义。此外,铁金属......
石墨烯是由sp2杂化的碳原子相互键合形成的蜂窝状的单原子层厚度的二维材料,表现出优异的物理和化学性质。现实中的石墨烯总会存在......
在制备过程中,石墨烯的缺陷是十分常见的,这些缺陷对石墨烯的弹性性能具有很大的影响.基于分子动力学模拟的方法,研究了空位缺陷的......
近年来,脉冲激光器在物联网和光复用方面已经有了广泛应用。为了适应市场的需求,开展探究对二维材料MoS2在引入空位缺陷下的可饱和......
随着全球科技和社会的飞速发展,电子器件的功能越来越集成化和智能化,电子芯片的密度不断增长,热失效已成为电子器件最主要的失效......
能源短缺,环境污染以气候变暖是制约人类社会发展的三大问题,而光催化技术作为一种有效的能源转化及环境污染处理的潜在技术,能够......
ZnO是一种直接带隙半导体,意味着它的CBM最低值和VBM的最高值处于同一位置,可以让电子跃迁时耗能极小,高达60me V的激子束缚能、优......
通过离子辐照产生缺陷,可以非常有效地调控磷烯诸多物理性质.本文应用分子动力学方法模拟离子辐照磷烯的过程,给出了缺陷的形成概......
二维（2D）材料由单层或少量原子层组成。相对于三维材料,二维材料的载流子迁移被限制在二维平面内,展现出许多优异的性质,有望解决材......
采用第一性原理方法研究了本征石墨烯、硼掺杂石墨烯、空位缺陷石墨烯、空位硼掺杂石墨烯对Co2+离子的吸附作用.通过计算、分析上......
含碳杂质的LaNi5在吸放氢过程中容易产生气体杂质CH4,进而会影响H2的纯度.为认识LaNi5中的固溶碳杂质的氢化行为,采用第一性原理首......
采用密度泛函理论系统研究了硼烯-石墨烯异质结中缺陷态对体系电子结构特性的影响.发现缺陷态存在于石墨烯一侧时会破坏异质结结构......
探寻新的冲击窗口材料是高压科学领域中的一个重要课题.为此,在100 GPa范围内,通过第一性原理方法计算了BaF2晶体的吸收谱以及在53......
近年来,一种全无机铅卤钙钛矿CsPbX3（X=Cl,Br,I）因响应波长可调、高的电子迁移率和量子产率等优异的特性,引起了广泛的关注,并在多种......
当前防止有毒易爆气体泄漏,已成为工业生产中面临的重大挑战;因此针对痕量有毒有害气体进行有效检测也愈发重要。电阻型半导体气体......
氮掺杂石墨烯具有引人注目的属性而被研究多年,但其可能的生机过程至今还不清楚。本文中,我们针对热氨处理石墨烯制备氮掺杂石墨型......
为了调控石墨烯/碳化硅异质界面传热特性,采用非平衡态分子动力学方法研究温度、尺寸、材料缺陷率对界面热导的影响,通过声子态密......
Zn4Sb3具有优良的热电性能.我们用正电子湮没寿命谱和多普勒展宽谱研究了Zn4Sb3在常温下的缺陷结构以及低温下相变过程中的缺......
采用正电子湮没(PAT)技术和傅立叶红外变换(FTIR)技术研究了高剂量(5×1017n·cm-3)快中子辐照直拉硅中的辐照损伤及其退火效应.实......
采用第一性原理计算模拟Ge纳米晶在中子嬗变掺杂（NTD）后受空位、O和As杂质的影响.结果表明,退火方法引入的O并不能消除纳米晶中的辐......
采用基于密度泛函理论框架下的第一性原理平面波超软赝势方法,对ZnSe闪锌矿结构本体、掺入p型杂质Cu(Zn0.875Cu0.125Se)及Zn空位(Z......
使用简易的流程,实验条件或设备,简单的制备方法制备出两种形貌的单分散ZnSn(OH)6(ZHS)微晶(MCs).利用X射线衍射(XRD),场发射电子......
采用Tersoff势函数与LJ势函数,结合速度形式的Verlet算法,建立了有不同手性、不同硅碳比和不同空位缺陷率的两层和三层硅功能化石......
利用自行搭建的实验平台,测试了高纯MgO晶体和Sc掺杂MgO晶体的紫外光光致发光(PL)光谱,发射峰值分别位于389.31、498.61nm、712.44......
采用分子动力学方法模拟硅探针在空位缺陷和Stone-Wales(SW)缺陷石墨烯上的滑移过程,研究空位缺陷和SW缺陷对石墨烯摩擦力的影响.......
具有特定边界的石墨烯纳米结构在纳电子学、自旋电子学等研究领域表现出良好的应用前景.然而石墨烯加工成纳米结构时,无序的边界不......
该文对生长在Ｓｉ、Ｇｅ及其合金衬底上形变的Ｓｉ１－ｘＧｅｘ合金中由替位原子或空位缺陷产生的深能级进行了研究．其中形变合金的电子结构用经验的紧束缚方......
用正电子湮灭寿命谱技术研究了ＮＴＤＣＺＳｉ的辐照损伤退火行为．发现辐照后的ＣＺＳｉ中产生了大量空位型缺陷。随着退火温度升高，这些缺陷不断分解，直到１１００℃......
在室温下测量了掺氧非晶硅薄膜的正电子寿命谱．实验发现，随着掺氧量的增加，正电子寿命减小，对应的相对强度增加．据此，本文从电子密度、悬......
原位磷注入合成 Ｌ Ｅ Ｃ晶体生长法可分别合成得到富铟、近化学配比或富磷的 Ｉｎ Ｐ熔体， 并进行 Ｌ Ｅ Ｃ晶体生长。我们对不同配比程度的材料进行......
１概述第１０届磷化铟及相关材料国际研讨会（ＴｅｎｔｈＩｎｔｅｒｎａｔｉｏｎａｌＣｏｎｆｅｒｅｎｃｅｏｎＩｎｄｉｕｍＰｈｏｓｐｈｉｄｅａｎｄＲｅｌａｔｅｄＭａｔｅｒｉａｌｓＩｎＰＲＭ＇９８）于１９９８年５月１１日至１６日在日本科学城筑波召开。这次会议由...
1 Overview The Tenth International Co......
一、超高压电镜的发展概况 (一)目前超高压电镜已达到的水平 所谓超高压电镜,现在尚无严格的科学定义,一般把加速电压超过500KV的......
测量了四种典型镍镀层的采透火和退火试样的正电子湮没寿命谱。根据实验结果,观察到镀层渗氢,空位缺陷热迁移,镀层的化学聚团作用......
开展了电荷耦合器件(CCD)质子辐照损伤的实验研究.分析了质子辐照CCD后电荷转移效率的退化规律,阐述了质子辐照诱导电荷转移效率退......
本文尝试运用X射线衍射与多重峰分离方法研究高岭石的结构缺陷，重新评价了Hinckley（1963）结晶指数（HI），运用02，11区域对（111）和（111）峰的分峰......
利用第一性原理及Stillinger-Weber(SW),EDIP和Tersoff经验势函数对比研究了硅中单空位(V1)、双空位(V2)和六边形空位环(V6)的结构......
采用射频分子束外延方法生长了氮化铝薄膜材料,研究了生长条件对外延层中位错和点缺陷等晶体缺陷的影响。结果表明,在富Al条件下,......
