漩涡缺陷相关论文
本文分析和讨论了单晶硅片一次缺陷和二次缺陷对太阳单晶硅电池片/组件的影响。一次缺陷主要指拉单晶过程中残存的热应力、位错、......
本文介绍了P型高阻真空区熔硅单晶的生长方法,以及用此法所生长单晶的寿命变化特点。经过反复实验发现,真空环境下生长的高阻单晶,......
国外硅单晶质量研究进展（续Ⅰ）王旗（高工），陈振，浦树德，杨晴初（西南技术物理所，成都６１００４１）３硅金属及其它杂质３．１过渡元素的一般概况过渡元素在硅中的污......
反射型魔镜检测方法（Ｒ－ＭＭ）是基于“局域波面畸变”缺陷成像原理的一种光学无损检测方法．我们采用Ｒ－ＭＭ方法检测了大量的硅片和硅外延片，非常方便......
1987年,8月5日.在我国发射的又一颗返回式科学实验卫星上,成功地进行了一次熔体生长砷化镓单晶的科学试验.这一开创性半导体材料......
在Kayex CG6000单晶炉上采用优化的350 mm密闭式热场,在23~25 r/min高晶转下用直拉法拉制出了Φ76.2~125 mm、n型高阻晶向Si单晶,......
为了制备纯度11N以上、直径Φ大于45mm并且各项性能指标满足探测器级要求的大直径超高纯单晶Si材料,本文在真空气氛下提纯并生长Φ......
对不同条件下含氮和不含氮的硅单晶，在３００Ｋ和８Ｋ下进行红外吸收研究．实验结果表明：含氮硅单晶和氮一氧复合体相关的红外吸收峰为１０３０ｃｍ－１，１０００ｃｍ－１和８０６ｃｍ－１．
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正电子对固体中电子的密度和动量分布很敏感。研究正电子在固体中的湮没辐射谱,可以获得有关固体中缺陷态的电子结构的信息。目前......
一、引言自1948年第一只 Ge 晶体管问世以来,半导体材料正式登上了电子工业的历史舞台。但是,Si 以它独到的特性,很快在半导体材......
1.引言硅单晶在整个天然、人工单晶中是最完美的晶体,完全不含有宏观位错,杂质浓度又低,直径3吋的晶体已大量生产。硅单晶制造法......
本文用化学择优腐蚀显示、红外吸收光谱测量以及透射电子显微镜观察等方法,研究了原生无位错直拉(CZ)硅单晶中的漩涡缺陷.结果表明......
本文分析了表面热诱导微缺陷与体缺陷的相互作用,确定了表面热诱导微缺陷的主要来源,提出了消除的方法及其在检测漩涡缺陷方面的应......
本文用化学腐蚀方法,从含有漩涡缺陷的原生CZ硅单晶中分离出尺寸在1000—6000A间的氧沉淀,制成萃取复型样品,用TEM对氧沉淀作微区......
为了满足对大直径ｐ型探测器级硅单晶的需求，在原有小直径单晶工艺的基础上，采用线圈喷砂打毛、甩尾、保温提纯、快速成晶等技术，成功地......
因生长时工艺条件的不同，区熔硅单晶中的微缺陷类型及分布会呈现出不同的变化。 对单晶生长工艺中影响缺陷形成的相关因素进行了分......
直拉硅单晶抛光片经过高温氧化后,腐蚀显示出氧化诱生缺陷,包括漩涡缺陷和氧化层错(oxidation induced stacking faults,OISF),其......
对一种黑心片样品进行了分析。在确认黑心区为低少子寿命区的基础上，发现其电阻率明显偏高；发现黑心区经Secco刻蚀后，表面密布重叠圆......
