氧沉淀相关论文
本文用化学腐蚀法在多晶硅片上制作多孔硅,通过不同的热处理过程,对多孔硅的表面微结构的SEM测量,分析了其表面结构特点.通过SEM、......
氧是太阳电池用铸造多晶硅的主要杂质.本文通过傅立叶红外吸收光谱,准稳态光电导衰减少子寿命测试仪和太阳电池测试仪研究了硅衬底......
本文采用PCZ硅片制作硅光单体电池,并对RTP烧结铝背场工艺进行了研究.实验发现:快速热退火工艺对wafer少子寿命有一定影响,硅片经......
研究了快速热处理（RTP，Rapid Thermal Processing）以及热处理气氛对电子辐照直拉硅（CZ-Si）中氧沉淀和清洁区（DZ，Denuded Zone）的影响。采用......
采用500 MeV不同剂量的快中子辐照掺氮直拉硅（NCZ-Si，Nitrogen-doped Czochralski Silicon），研究了不同快速热处理（RTP，Rapid Thermal Pr......
本文使用N2、Ar气体作为快速退火(RapidTherma1Annealing)处理气氛,研究气氛对洁净区和氧沉淀形成的影响.调查表明在N2、Ar两种气......
在800℃和1000℃处理下,掺氮直拉硅(NCZ-Si)较普通直拉硅(CZ-Si)有更显著的氧沉淀.经过1000℃,225小时处理后,NCZ-Si中的部分氧沉......
快中子辐照将在硅中引入大量缺陷,辐照后在硅中形成的空位与硅中间隙氧结合形成了大量的空位-氧复合体(V—O).实验发现,辐照后硅中......
研究了快速热处理(RTP)对快中子辐照掺氮直拉硅中氧沉淀的作用,对不同辐照剂量的样品先进行的不同温度和降温速率的RTP,再将其与没......
在退火处理时，Ｇｅ 易与Ｓｉ 中Ｏ 形成易挥发的ＧｅＯ 复合体，使硅片表面洁净区的形成受氧的外扩散和ＧｅＯ 挥发两种因素制约。即从效果上看，Ｇｅ 增强了氧的外......
本文提出了硅中氧沉淀成核速率的测定方法并用该法测定了650—950℃温度区间的氧沉淀成核速率,为设计优化本征吸收工艺提供了可靠......
研究了快速热处理工艺下直拉单晶硅中过渡族金属铜、镍对内吸杂工艺中氧沉淀形成规律的影响.实验结果表明:在快速热处理工艺下,间......
体微缺陷(BMD)是直拉法制备单晶硅片中最重要的缺陷之一,其密度大小对集成电路的良品率有着重要的影响。本文通过对硅片体微缺陷密......
本文利用扩展电阻研究了低温退火及低-高温二步退火后P-CZ硅中新施主的微观分布。指出在新施主的氧沉淀界面模型下,通过扩展电阻法......
本文研究了不同退火条件下,硅中氧沉淀缺陷类型的变化。实验结果表明,棒状缺陷和点状缺陷的数量比随低温成核退火时间的增加而减小......
在同时考虑到氧外扩散和沉淀作用的情况下,研究退火后间隙氧分布和洁净区宽度随退火时问的变化。根据同质成核理论,推导最大成核速......
由DZ宽度与退火时间和温度的关系曲线,测定了含氧硅在N_2、O_2、O_2~+5％HCI气氛中退火时硅中间隙氧的外扩散激活能。实验表明:在氧......
利用傅立叶红外光谱议,通过单步退火和两步退火的方法,研究了太阳能级直拉单晶硅在不同气氛下热处理对其氧沉淀的影响.实验结果表......
硅单晶中氮杂质对材料的性质有重要的影响。氮在硅中的性质、存在形态以及相关缺陷的作用机理一直为人们所研究。本文利用离子......
本文利用特殊的单个晶界的键合样品，结合显微压痕和热处理的方法研究了硅中晶界与位错的相互作用。用显微压痕的方法在硅中晶界附近......
本文采用红外扫描显微术研究了在不同退火条件对重掺锑直拉硅片中氧沉淀诱生缺陷的影响。实验发现重掺锑直拉硅片中的氧沉淀长大到......
对重掺锑硅片进行不同条件的快速热处理,发现快速热处理有效地增强了间隙氧的沉淀.氧沉淀的密度随着热处理温度的提高而增大,随着......
本文研究外加高压(1GP)对硅片在低温、中温和高温热处理过程中氧沉淀生成的影响.通过透射电镜观察发现氧沉淀的形态和大小与常压下......
为研究太阳电池硅片中碳对氧沉淀的影响,以及热处理对少子寿命的影响,实验中采用氧含量相差较小,碳含量差别较大的p型(100)直拉硅(......
该文报道了一种改进该征吸末技术－低温短热退火工艺。以增强该征吸杂效果。在该征吸杂工艺的低温热退火中，用连续的线性缓慢升温（Ｒａｍｐｉｎｇ）退火......
研究了掺铁硅单晶的氧沉淀行为，发现氮杂质对其的抑制作用，提出氮以Ｆｅ－Ｎ络合物形式阻断了氧沉淀的异质核心硅化铁的形成，进而间接抑制氧沉......
该文利用快速热退火(RTA)工艺改进了常规三步退火内吸除工艺,对RTA处理与其后低高温两步退火对硅片中点缺陷、氧沉淀和洁净区形成......
近年来的研究表明，在直拉单晶硅(Czochralski silicon，CZ-Si)中掺氮可以用于调控原生氧沉淀和空洞型缺陷，同时，掺氮直拉单晶硅(NCZ-Si)......
近年来，在微波晶体管和超大规模集成电路的研制、生产中，已经越来越多地采用在重掺衬底上外延薄层材料，如N／N~+与p／p~+外延结构。采用这......
本文对直拉硅样品进行了不同剂量的快中子辐照，在硅中引入大量的亚稳态缺陷，研究这些亚稳态缺陷的形成，并在较宽的温度范围内对辐照样......
目前，铸造多晶硅材料已经取代直拉单晶硅成为最主要的太阳能电池材料，但是铸造多晶硅电池的转换效率略低于直拉单晶硅太阳能电池的转......
300mm大直径硅片要求双面抛光，以获得满足集成电路制造要求所需要的平整度。双面抛光工艺的引入使得传统外吸杂工艺面临淘汰，内吸杂......
用直拉法生长的单晶硅中，氧是最常见的杂质，硅材料制备过程使用的内吸杂工艺则是以氧沉淀及其诱生缺陷为基础。铜作为最常见的过渡族......
功率半导体器件在计算机、通信、消费电子和工业控制以及在电力电子等领域获得广泛的应用,它们还在节能减排中发挥着重要的作用。......
铜在硅中不仅具有很大的扩散速率，而且随着温度的降低它的固溶度迅速下降，这两个特性使得铜原子很容易在器件制备过程中沉淀下来，严重......
利用锗硅单晶 (锗浓度约为 10 19cm-3 )切制成的籽晶和一般无位错硅单晶生长的缩细颈工艺以及从晶体头部至尾部平稳降低拉速的工艺......
研究了外加高压 (1GPa)下对 45 0℃热处理硅片中氧沉淀行为的影响 .透射电镜观察表明相对于大气压下热处理的样品 ,高压处理的样品......
采用φ100mm厚度400μm、电阻率为0.8～2Ω·cm的p(100)CZ硅片制作硅光单体电源,并对RTP和铝背场烧结工艺进行了研究.实验发现:快速......
对重掺As硅片进行快速热处理,发现重掺As硅片中氧沉淀行为与快速热处理温度、保温时间和降温速度有很大的关系.随着快速热处理温度......
