阴极电子学相关论文
铱铈合金浸渍钪酸盐阴极能够在相对较低的阴极工作温度下，产生较大的发射电流密度，在１４７０Ｋ时，阴极零场发射电流密度为２．１９Ａ／ｃｍ２。本文同时讨论了阴极......
研究了普通氧化物阴极掺入氧化钪之后的效果，并对机理给出了一种解释
The effect of ordinary oxide cathode doped with scandium......
中国科学院学部委员,《电子学报》编委,我国著名的电子学专家张恩虬教授于1990年5月7日因病在北京不幸逝世。享年74岁。张恩虬教......
北大无线电系电真空物理数研室吴全德教授应211所的邀请,于1979年3月5日—11日来昆明讲学。吴教授是我国从事光电子发射研究的阴......
本文利用低能电子束扫描技术,用慢扫描电路与 x-y 记录仪匹配的方法,分析了表面逸出功分布及其变化。对钡钨阴极的测量表明:它激活......
阴极是电真空器件中的电子泉源,是一个必不可少的組成部份,随着电真空器件的迅速发展,对阴极也提出了很多严格的要求。为了滿足这......
(一) 阴极电子学的任务自从波波夫发明无綫电以来,无线电电子学得到极其广泛的应用;它已經渗透到近代技术各个部門之中,并且和人......
本文先对各种阴极的发展作一简单回顾，指出在适应现代电子技术的发展中，各种阴极取得的新发展，新成就，同时指出阴极研究存在的问题。然......
介绍测定材料逸出功的几种常用方法，并对这些方法各逢的原理和特点、使用范围、精度和局限性作一简述。......
热阴极广泛应用于真空电子器件、加速器、自由电子激光等各类束流装置,热阴极表面状态非均匀性对束流本征发射度有着显著的影响.本......
采用离子注入和快速退火法可制备Ｓｉ浅ｐ－ｎ结阵列，通过真空清洁处理和氧激活后制成阵列式Ｓｉ浅ｐ－ｎ结雪崩冷阴极，其最高电子发射率效率为１６％，本文介绍阵......
本文综述 La-Mo(L-M)阴极的制备、性能和应用。并讨论了 La-Mo 阴极用于大、中功率发射管取代 Th-W 阴极的可能性。......
讨论了由国内外3个不同来源的六硼化镧 (LaB6)制成的阴极的发射性能,用标号1#,2#,3#表示,其中1#是LaB6单晶阴极,2#,3#分别是国外和......
1955年11月25—29日,在基辅,在乌克兰科学院物理研究所主持下,举行了阴极电子学会议。会议是由无线电物理委员会、苏联科学院物理......
介绍了硅场致发射阵列工艺研究的初步结果。应用湿法化学腐蚀、硅锥切削及介质平坦化技术成功地制备出了理想形状的场致发射阵列。......
本文用ＭｏｎｔｅＣａｒｌｏ方法模拟了１－１０ｋｅＶ的入射电子与固体Ｓｉ的相互作用，在模拟中还对体内的二次电子进行跟踪。对出射二次电子在样品表面的分布进行了多重分......
对阴极电子学中测试用二极管的阴极丝进行了热特性分析，采用数值方法计算了常用基底Ｗ，Ｍｏ阴极金属丝在不同条件下的温度分布，同时首次给出......
实际场致发射体表面不可能绝对光滑，而具有原子尺度的微小凸起会导致发射电流大大增加。基于发射电流主要来自于原子尺度微小凸起的......
通过对星型阴极的稳定导热问题进行分析,推导出阴极交叉点附近温度分布的近似解析式.并用有限差分数值计算方法对钨基底金属的温度......
根据Ｙ２Ｏ３－Ｉｒ阴极研制过程中观察到的一些物理现象，结合扫描电镜对Ｙ２Ｏ３－Ｉｒ阴极表面化学成份分析的图谱，运用物理化学理论对该阴极的发射物质结合态进......
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