立方相相关论文
石榴石型氧化物固态电解质Li7La3Zr2O12（LLZO）及其衍生物因具有较高的离子电导率和良好的化学稳定性而具有很大的应用前景。特别是Ta......
二元氮化物根据四面体中原子的排列顺序不同,可将晶体结构分为三种:纤锌矿结构(WZ),闪锌矿结构(ZB)和岩盐矿结构.其中六方纤锌矿Ⅲ......
本文采用同步辐射XRD方法研究了不同温度下蓝宝石(0001)衬底上MOCVD异质外延六方相InN(h-InN)薄膜中立方相InN(c-InN)的相对含量的......
Y2O3稳定的ZrO2(YSZ)涂层具有高温隔热性能好、高温下相稳定、耐冲刷等特点,并已在燃气轮机热端部件、涡轮叶片等高温工况部件中获......
随着晶体管的进一步小型化，由于存在漏电流，传统的SiO2已经无法满足下一代金属氧化物半导体场效应管(MOSFET)的栅介质要求。为了继续......
立方相ZnMgO合金薄膜是一种新型宽带隙材料,为研究立方相ZnMgO(C-ZnMgO)材料的电学性能,我们在半导体硅衬底上沉积C-ZnMgO纳米薄膜......
<正>由于Eu2+的5d电子是裸露的,所以对其周围的环境变化极为敏感.晶体结构,晶格中阴阳离子种类、离子半径以及元素电负性等都能明......
应用辊轧急冷技术制备宽3-5mm、厚30-50μm连续的非晶带材,其成份为(Fe80Ni20)80-xSixB14(X=4、6、8、12、16),用X-衍射方法检验了......
通过X射线衍射和透射电子显微镜分析技术研究了一种镍基非晶态合金的结晶过程。其结晶顺序为:①直径小于100A的单相面心晶体在非品......
最近在急冷合金Al-Cr和Al-Ni中先后分别发现I相和T相,在此基础上我们又配制了Al_6Cr0.5Ni0.5合金,并进行锤淬急冷(10~5-10~6C/S),......
部分稳定氧化锆(PSZ)陶瓷具有很高的断裂韧性和拉弯强度,是一种名符其实的高强、高韧材料。但是,PSZ在1000℃以上高温老化或在200～3......
用水热法制得了在室温大气环境下稳定的半导体 SnO_2纳米材料。用 X 射线粉晶衍射、透射电镜、高分辨电镜及 M(?)ssbauer 谱等研究......
通过溶胶-凝胶燃烧法制备了具有立方相的尖晶石型NiCr2O4颜料,并采用TG/DSC、XRD、FTIR和SEM等手段对其进行表征和研究。结果表明:......
研究了Yb2O3-Y2O3-Ta2O5-ZrO2陶瓷材料的相稳定性。采用X射线衍射来表征材料从200℃至1 500℃的相稳定性。结果表明:经200℃至1 50......
合成了一种磺酸型双子表面活性剂6,6’-(丁基-1,4-二基双氧)双(3-壬基苯磺酸)(9BA-4-9BA),利用偏光显微镜和X射线衍射分析仪研究了......
采用溶胶–凝胶法制备Y_(0.08)Sr_(0.92)Ti_(1–x)Fe_xO_(3–δ)(x=0.2,0.3,0.4,0.5)混合导体材料,用X射线衍射(XRD)分析该材料的......
本文通过高温固相法制备BaCeO_3-CeO_2复合电解质。采用XRD、SEM和交流阻抗技术分析材料的物相、结构和电学性能。结果表明:BaCeO_......
首先通过溶剂法制备甲酸锰(Mn-MOF)晶体,接着以Mn-MOF为前驱体,在惰性条件下制备了结构、形貌可控的多孔碳/MnO复合物。采用XRD、B......
采用ｍｅｔａｌｖａｐｏｒｖａｃｕｕｍａｒｃ离子源的离子束合成方法，对单晶Ｓｉ衬底注入Ｃ＋离子，获得不同剂量下的ＳｉＣ埋层．Ｃ＋离子束的引出电压为５０ｋＶ，注入的剂量为３０×１０１７—１６×１０１８ｃｍ－２．通过红外吸收谱的......
采用一步溶胶－凝胶法制得了含钡、锶、钙、钛、锂、锰、硅和钇等八种元素的无定形干凝胶粉，经７００℃，１ｈ煅烧得ＰＴＣＲ纳米晶粉体，经ＸＲＤ分析测得粉体平均......
分别采用化学共沉淀法和水热法制备铁电四方相和顺电立方相ＢａＴｉＯ３粉体，然后将它们按一定比例混合，在低氧压条件下烧结成ＢａＴｉＯ３陶瓷。较详细地研究......
本文应用Sol－Gel方法制备了YSZ薄膜，研究了工艺条件对薄膜微观结构的影响.实验发现：基片的选择和清洁、样品的凝胶化速度、热处理过程......
应用范围极广的“８６３”重点项目“氮化物蓝光、绿光ＬＥＤ及ＬＤ器件”取得重大突破，低成本、高成品率的氮化物研制成功，标志着我国在该领域已处于......
本文通过光致发光（ Ｐ Ｌ）测试发现了 Ｎ Ｈ３ 流量的大小对以 Ｇａ Ａｓ（１００）为衬底生长立方相 Ａｌｘ Ｇａ１－ ｘ Ｎ 晶体性质的影响的规律， Ｎ Ｈ３ 流量愈少，立方相 Ａｌ Ｇａ Ｎ 的纯度......
以脉冲激光沉积法沉积制备了立方相负热膨胀ZrW1.5Mo0.5O8薄膜并利用X射线衍射仪(XRD)和场发射扫描电镜对其结构组分、表面形貌和......
测试了掺钛铌镁酸铅系列铁电陶瓷介电和热释电温度谱，观察到自发和场诱导正常铁电体一弛豫型铁电体-顺电体相互转变的现象，在分析这-......
采用分子束外延技术在蓝宝石衬底上制备Ｍｇ掺杂的立方相ｐ－ＧａＮ，并对其不同温度下的光致发光光谱进行了研究．实验观察到高Ｍｇ掺杂ＧａＮ中施主受主对发光......
尽管在砷化镓衬底上能否生长出令人满意的亚稳态立方相氮化镓仍受到工业界的怀疑,但国家光电技术研究中心和北京半导体所的研究人......
研究了高温高压下制备MgxZn1-xO(0.30...
利用水热法,成功制备了梭形碱式碳酸镨PrCO3(OH)1.68,其形貌及结构通过X射线粉末衍射仪(XRD)、扫描电镜(FE-SEM)及红外光谱(IR)表......
运用爆炸压涂技术在钢基体上制备了较大面积的纳米氧化锆涂层。利用扫描电镜、X射线衍射等手段研究了纳米氧化锆涂层的微观组织、......
利用 MOCVD技术在提高生长温度 (90 0℃ )下生长出了高质量的立方相 Ga N ,生长速度提高到 1.6μm / h.高温生长的 Ga N样品近带边......
在 MBE/CVD高真空系统上 ,利用低压化学气相淀积 ( L PCVD)方法在直径为 5 0 mm的单晶 Si( 10 0 )衬底上生长出了高取向无坑洞的晶......
利用离子束辅助沉积技术在金刚石薄膜衬底上制备立方氮化硼薄膜,傅立叶变换红外谱的结果表明,在高度(001)织构金刚石薄膜衬底上沉......
本文以水解法、沉淀法,水热法等三种方法制备了Y_2O_3稳定的ZrO_2超微粉末(UFP),对三种化学方法作了综合比较,并确定了制备Y_2O_3......
采用密度泛函理论的定域密度和一般梯度近似,研究了Si3P45个相的结构、电子和弹性性质.考虑的Si3P4结构包括分别具有空间群P63/ m,......
本文采用扫描电镜和透射电镜对不同烧结工艺和不同热处理制度的ZrO_2-2mol％Y_2O_3及ZrO_2-6mol％Y_2O_3陶瓷的显微组织、晶体结构进行......
从唯象理论出发,推导了立方相向正方、斜方和以不同单斜结构描述的马氏体转变的一般公式。对一种典型热弹性材料-TiNi,提出若干种......
依据作者在文献[1]提出的公式和计算机模拟方法,研究了Ti-Mo,Ti-Nb,Ti-Mo-Si,Ti-V-Al和Ti-6246等10种二元、三元和实用Ti合金的β......
掺钕离子的稀土倍半氧化物Y2O3陶瓷由于其具有良好的光学性能、高的热导率(13.6 W/mK)、好的化学和机械性能引起了人们的广泛关注......
