可用于GaAlAs/GaAs异质结发光器件应力设计的应力分布计算方法

来源 :半导体学报 | 被引量 : 0次 | 上传用户:leihaibo880125
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基于作者提出的改进应力分布力学模型得到了计算半导体异质结多层结构应力分布的公式.针对带缓冲层GaAlAs可见光激光器计算得到的有源层应力可以很好地解释Shimizu等有关器件寿命的实验结果.分析并指出了一些文献中处理半导体异质结多层结构应力问题的不合理之处. Based on the improved mechanics model of stress distribution proposed by the author, a formula for calculating the stress distribution of a semiconductor heterostructure multilayer structure is obtained. The calculated active layer stress for a GaAlAs visible laser with a buffer layer can well explain the experimental results of the device lifetime such as Shimizu et al. Analyzes and points out the unreasonableness of some literature dealing with the stress problem of semiconductor heterostructure multilayer structure.
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