铝镓砷相关论文
研制了基于异质结AlGaAs/GaAs PIN二极管的超宽带微波毫米波开关单片。通过异质结外延材料结构的设计和MOCVD生长技术、高台面PIN......
设计了一种新型半导体集成光源－－ＡｌＧａＡｓ短波长超辐射集成光源。器件为单量子阱、增益导引的氧化物条形结构，采用直接耦合方式将超辐射发光与......
高速光学摄影是目前工业生产、科学研究中十分重要的探测和记录手段,在微观领域的研究中显得尤为重要。现今大多数前沿科学研究,如......
GaAs基QWIP由于具有优异的材料均匀性、灵活的能带剪裁以及成熟的生长制备工艺等优势在红外探测领域具有广泛的应用前景，但传统的Ga......
本文描述用Ⅲ－Ⅴ族化合物半导体制作２维和／或３维纳米尺度的异质结构的技术要求，除了有纳米精度的制作能力外，工艺过程必须避免不希望的污......
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用CCI4作为掺杂剂．进行了掺碳AlGaAs层的LP-MOCVD生长．并对其掺杂特性进行了研究．分析了各生长参数对掺杂的影响；研制了碳掺杂AlGaAs限......
本文对P+-AlxGa1-xAs/P-GaAs/n-GaAs/n+-GaAs太阳电池的光电流、暗电流、光谱响应和效率作了理论计算。研究了表面、界面复合速度......
在研制超高电流增益AlGaAs/GaAs HBT的基础上,对有N~+-i-P型发射结的HBT的漏电特性做了实验研究,研制出的HBT具有较好的小电流特性......
评述了国际上δ掺杂样品ＳＩＭＳ分析的现状，研究了相关的基础实验技术，讨论了分析硅δ掺杂的ＡｌＧａＡｓ样吕时，选择高质量分辨及对不同一次离子参量下相......
在衬底温度为350℃的条件下，用分子束外延的方法，在不同的砷压条件下生长了GaAs/Al0.3Ga0.7As多量子阱结构。77K的荧光实验证明，砷压......
分析了ＡｌＧａＡｓ／ＧａＡｓ ＨＢＴ的非线性失真产生的机理，应用Ｖｏｌｔｅｒｒａ级数理论计算了ＡｌＧａＡｓ／ＧａＡｓ ＨＢＴ的三阶互调失真，理论值与实测值吻合较好，获得了ＡｌＧａＡｓ／ＧａＡｓ ＨＢＴ的非线性失真量比较弱的结果......
采用电子束曝光和反应离子刻蚀的工艺，将ＧａＡｓ／ＡｌＧａＡｓ量子阱处理延材料的制成量子点阵，其光荧光谱显示出蓝移，并且蓝移量随着量子直径尺寸的减少而......
文章采用ＡｌｘＧａ１－ｘＡｓ／ＡｌｙＧａ１－ｙＡｓ微腔结构，研究了微腔中激子的吸收行为，在室温下观察到了激子吸收的增强效应，激子的峰值吸收强度是自由空间中激子吸收强度的......
在室温下测量了ＧａＡｓ／ＡｌＧａＡｓ多量子阱结构的红外吸收，观察到在７０６、７７０、１０４６、１２８２和１６５３ｃｍ＾－１处的几个吸收峰。认为这些吸收峰与处于势垒以上电子干涉有关，理论计算的吸......
随着人类社会的发展，人们对信息的需求与日俱增，通信和网络已渗透到人类社会的方方面面，各种数据业务和多媒体业务的快速发展更进一步......
用自制常压MOCVD装置,在Si衬底上生长GaAs和AlGaAs外延层,在高温去除Si衬底表面氧化膜之后,采用两步法,即低温生长过渡层,再提高温......
三元化合物铝镓砷(AlGaAs)是一种可用于全光固体超快诊断技术的重要材料.基于低温外延技术的AlGaAs材料不仅具有低温生长砷化镓(lo......
