载流子分布相关论文
设计并搭建了太赫兹光致力显微成像系统（THz PiFM），首次在太赫兹波段实现了近场光力纳米显微成像测量。该系统基于原子力显微镜，利用探......
高压大功率绝缘栅双极晶体管（Insulated Gate Bipolar Transistor，IGBT）的准确建模对IGBT应用中的损耗计算、机理分析、骚扰特性预测......
作为Ⅲ族氮化物材料最鲜明的特点之一,极化效应在Ⅲ族氮化物微电子和光电子器件中扮演了十分重要的角色.在AlGaN/GaN突变结界面处......
有机发光二极管(Organic Light-Emitting Diodes,OLEDs)因其在平板显示和固态照明领域有着广阔的应用前景,引起了科研人员的广泛关......
复杂半导体材料结构中的载流子分布特性对器件性能有重要影响.本文针对一种新型的波长上转换红外探测器,研究了载流子阻挡结构对载......
波长上转换红外探测器在实现大面阵、低暗电流红外探测方面具有很大的发展潜力.短波长光子的发光效率是影响上转换器件效率的重要......
为了从微观物理角度阐释大功率晶闸管反向恢复过程的内在机理,基于载流子运输方程和物理模型,结合晶闸管结构参数及边界初始条件,......
采用液相外延技术在(100)GaAs衬底上生长无位错外延层,对外延片的载流子均匀性进行了测试和分析。为了改善载流子分布的均匀性,采......
本文对光生载流子在APD内的传输与碰撞电离过程进行了分析，通过将APD倍增层细分为倍增子区域的方法得到离散载流子分布，将离散载......
本文提出一种完全不同的基于载流子方法的双栅MOSFET解析模型。针对无掺杂对称双栅MOSFET结构，该模型由求解泊松方程的载流子分布和......
根据载流子分布的连续性，由泊松方程自洽求解，得出了半导体nn结势垒分布的计算方法。在此基础上，计入n区内的电位降，计算了商用发光二......
宽禁带、直接带隙半导体材料GaN，被广泛应用于光电子器件中。InGaN/GaN多量子阱结构作为GaN基LED的核心部分，也成为当前半导体光电领......
石墨烯作为一种新型的光电材料在光探测、光伏器件应用方面具有超越传统半导体的显著优势,由于其独特的零带隙能带结构,使其具有极......
近年来,基于石墨烯,拓扑绝缘体（Topological Insulator）等二维层状材料的等离激元在光电子领域的研究中广受关注。新型二维材料等离......
波长上转换红外探测器在实现大面阵、低暗电流红外探测方面具有很大的发展潜力.短波长光子的发光效率是影响上转换器件效率的重要......
以陷阱电荷限制传导理论为基础,用数值方法研究了单层有机电致发光器件发光层中电势、电场和载流子密度的空间分布.分析结果表明,......
分别在直流偏置和交流偏置下，对大功率GaN基LED的电学和光学特性进行了研究。结果显示，通过改变靠近P型层的量子垒（也就是最后一个量......
采用了合理的物理模型和精确的数值解法，对ＭＣＴ进行了一维数值求解，得到了器件内部载流子分布和电场分布以及外部端特性，这些结果与ＭＣＴ的优化......
有机发光器件的宏观特性与有机层中的电场和载流子浓度分布密切相关。建立的有机电致发光器件模型是由两个金属电极中间夹一层有机......
随着晶体管尺寸的不断减小，水平分布的晶体管结构将遇到很大挑战，具有垂直结构的硅纳米线晶体管将会是很有前途的发展方向。作为下一......
尽管已经出现了多种工具和概念，但超浅结（USJ）的分析仍然是一个需要解决且无法避免的问题。“在测量方法学上，要夺得这一圣杯，你需要绘......
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以载流子运动的扩散一漂移理论为基础，利用数值方法研究了有机发光层中双极载流子注入时的电势、电场、载流子浓度和复合率分布．结果......
近年来有机发光二极管（OLED）的工业应用特别是在平板显示器中的应用已被广泛研究。OLED发光是分别由阴极和阳极注入的电子和空穴在发......
以在Ｎ型单晶硅表面１．３μｍ内实现理想平台状Ｐ型载流子分布为例，我们实验研究了多能离子注入形成特殊形状载流子分布的Ｐｅａｒｓｏｎ函数拟合叠加的计算机......
以陷阱电荷限制传导理论为基础，用数值方法研究了单层有机电致发光器件发光层中电势、电场和载流子密度的空间分布。分析结果表明，电......
采用液相外延技术在(100)GaAs衬底上生长无位错外延层,对外延片的载流子均匀性进行了测试和分析。为了改善载流子分布的均匀性,采......
用费米分布函数对 HBT结构中载流子的分布进行了计算 , 与常用的玻尔兹曼统计律得到的载流子分布进行了比较分析 . 同时在热场发射......
本文利用沟道背散射分析技术、剖面透射电子显微镜（XTEM）等对150keV As<sup>+</sup>沿〈100〉沟道方向注入硅的基本特征和临界条件进......
为了加深对反向开关晶体管（RSD）器件原理的认识,本文基于半导体物理基本方程,在二维元胞单元上利用有限差分的方法建立了RSD器件的数......
波长上转换红外探测器在实现大面阵、低暗电流红外探测方面具有很大的发展潜力．短波长光子的发光效率是影响上转换器件效率的重要因......
该文概述垂直型RC-IGBT自发明以来的主要发展和当前的主要研究问题,包括:IGBT正向输出特性的Snap-back抑制、RC-IGBT关断及二极管......
有机材料的电致发光现象自发现以来一直备受关注,是下一代显示器及照明光源强有力的竞争者。其中蓝色有机发光器件是全彩显示和照......
(重庆光电技术研究所,永川 632163) 概述了GaAs材料的离子注入及有关的问题,如损伤退火,掺杂剂激活和载流子分布等。另外,还提出了......
热激活延迟荧光(TADF)材料领域的研究已经取得了显著成果,但是器件结构设计和制备工艺方面的研究尚未达到工业化的要求。本文基于......
有机发光二极管（OLED）在平板显示和固态照明领域展示出独特的优势。OLED器件的驱动电压与器件发光性能有着密切的联系,照明和显示领......
有机发光二极管(OLED)因其独特的优势被视为第三代显示技术,并在照明领域有广泛的应用前景。OLED器件的发光性能与驱动电压有着密......
有机电致发光器件(OLED)与其他显示器件相比具有许多优点。例如主动发光,不需要背光源,视角宽、亮度高、可弯曲、全固化等。虽然目......
与Ga N基正装结构发光二极管(Light Emitting Diode,LEDs)芯片相比,Ga N基垂直结构LED芯片解决了电流密度过大及导致散热不佳等问......
