【摘 要】
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本文分析和讨论了单晶硅片一次缺陷和二次缺陷对太阳单晶硅电池片/组件的影响。一次缺陷主要指拉单晶过程中残存的热应力、位错、漩涡缺陷等。残存的热应力、位错会影响电池的机械性能，而漩涡缺陷导致组件表面在PL测试中形成环状热区。二次缺陷主要是电池工艺中升降温速率、不同含银量的浆料对硅片性能的影响。本文就上述缺陷进行了讨论，并对降低上述缺陷提出建议。
【机 构】
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无锡尚德太阳能电力有限公司,214028
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本文分析和讨论了单晶硅片一次缺陷和二次缺陷对太阳单晶硅电池片/组件的影响。一次缺陷主要指拉单晶过程中残存的热应力、位错、漩涡缺陷等。残存的热应力、位错会影响电池的机械性能，而漩涡缺陷导致组件表面在PL测试中形成环状热区。二次缺陷主要是电池工艺中升降温速率、不同含银量的浆料对硅片性能的影响。本文就上述缺陷进行了讨论，并对降低上述缺陷提出建议。
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