【摘 要】
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本文采用φ200mm、厚度400μm、电阻率为2-5Ω·cm的PCZ硅片制作硅光单体电源,通过改变铝背场厚度来观察烧结工艺后少子寿命和硅中氮、碳型态的变化.实验发现:背场吸杂对光电转换效率有直接影响,Si-Al合金层烧结产生的晶格应力对杂质起到有效吸附作用,从而减少了wafer体内的载流子复合中心,提高了光生载流子的扩散长度,使非平衡少子寿命提高.Al背场厚度不同对太阳电池的参数带来一定的影响.
【机 构】
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河北工业大学材料学院信息功能材料研究所(天津) 宁晋晶隆半导体厂(宁晋)
【出 处】
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第十三届全国半导体集成电路、硅材料学术会
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本文采用φ200mm、厚度400μm、电阻率为2-5Ω·cm的P<100>CZ硅片制作硅光单体电源,通过改变铝背场厚度来观察烧结工艺后少子寿命和硅中氮、碳型态的变化.实验发现:背场吸杂对光电转换效率有直接影响,Si-Al合金层烧结产生的晶格应力对杂质起到有效吸附作用,从而减少了wafer体内的载流子复合中心,提高了光生载流子的扩散长度,使非平衡少子寿命提高.Al背场厚度不同对太阳电池的参数带来一定的影响.
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