hemT相关论文
随着半导体与移动通信技术的飞速发展,高电子迁移率晶体管（HEMT）因其具有击穿电压高、高频性能优异以及耐高温等优点,被广泛地应用于......
本论文主要研究了影响铁电场效应晶体管与负电容场效应晶体管电学性能的因素,以及ε-Ga2O3对铁电场效应晶体管与负电容场效应晶体......
在科技快速发展的今天,人们对于检测和治疗身体健康的技术和设备都十分重视.GaN HEMT器件的出现让科学家们眼前一亮,其良好的性能......
近几年,5G无线通信技术已越发热门,无线通信的技术会与每个人息息相关,这导致的结果必然是射频微波设备的快速增长,而发射机和接收......
磁场传感器种类繁多,研究工作者们一直都在追求性能优越的磁场传感器,其中具有高性能、小型化、低功耗、低成本发展潜力的传感器类......
随着现代科学技术的发展,半导体已经成为军事、科技和社会生活中不可缺少的重要部分,以半导体技术为基础制造出的产品支撑着整个信......
Ⅲ族氮化物半导体材料由于其大的禁带宽度、高电子饱和速度、耐高温、耐击穿和抗辐射等优异的物理化学特性,在高温、高频、大功率......
太赫兹（THz）波因其在通信、成像和生物等方面的应用价值而引起了多方的关注。受馈源功率、大气衰减、天线增益等限制,太赫兹成像系统......
针对直流配网中用于实现电气隔离以及能量双向传输的双向DC-DC变换器，本文提出了一种基于同步PWM控制的双向CLLLC谐振型变换器.该变......
GaN基HEMT在大功率和高频器件方面应用广泛.虽然目前硅衬底上生长的GaN层和AlGaN/GaN异质结外延的质量还不及在SiC衬底，但是硅衬底......
对多种结构AlGaN/GaN HEMTs施加直流偏置应力,研究AlGaN/GaN HEMTs电流崩塌效应的变化规律,并进一步研究电流崩塌效应的产生机理.S......
p-GaN栅结构是一种极具潜力的实现增强型氮化镓高电子迁移率晶体管(HEMT)的方法。目前，国内外各研究小组及公司普遍采用刻蚀工艺来......
AlGaN/GaN HEMTs are attracting considerable attention as high temperature,high-power and high-frequency devices for rada......
本文设计和生长了一种新型的双沟道(D-C)AlInN/GaN异质结,该结构具有高电子迁移率、低面电阻和高面电阻均匀性等优异电学性能。采......
本文采用MBE生长技术,比较了在InP衬底上生长晶格匹配的LM-HEMT与在GaAs衬底上生长大失配的MM-HEMT的材料的性能.结果发现,二者的......
InGaAs/InAlAs/InPHEMT是微波毫米波和光通讯系统的优选器件,台面隔离是器件制作和芯片加工中的关键工序之一,它不仅影响有源器件......
AlGaN/GaN HEMT作为一种新材料、新结构器件是目前微电子领域的一个研究热点,国内在材料和器件研制方面都取得了一定进展.本文介绍......
本文介绍了超高速化合物器件HBT、HEMT、绝缘栅P-HEMT的结构、特点以及上述器件的当前国际水平和它们在21世纪通信系统中的应用与......
氮化镓(GaN)作为第三代半导体材料,具有高击穿场强、高电子迁移率以及较强的抗辐射能力和良好的导热性能等优点受到人们的广泛关注......
血糖对人体健康非常重要。急性低血糖会危及生命，高血糖会出现多种并发症，对人体的许多器官会有严重的损害。因全球迅猛增加的糖尿病......
无线通信发展至今,其发展速度呈指数上升,而随着5G时代的到来,人们对无线通信系统的要求也越来越高。由于前两代半导体的材料特性,......
随着科学技术的高速进步,以GaN为代表的第三代半导体材料凭借其高禁带宽度、高电子饱和速度、良好的工作稳定性等优点,在高温大功......
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PRESENT STATUS OF STUDY ON THE INTERACTIONS BETWEEN DRIFTING PLASMA WAVES IN SEMICONDUCTORS AND ELEC
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金属器官的化学蒸汽免职(MOCVD ) 与一个新奇多级式的缓冲栈计划的介绍在 n 类型硅底层上种的变形 Al0.50In0.50As/Ga0.47In0.53As......
Fabrication of 0.3-μm T-gate metamorphic AlInAs/GaInAs HEMTs on silicon substrates using metal organ
我们在场与一个有效多级式的缓冲计划的介绍在 n 类型硅底层上用 Metalorganic 化学蒸汽免职(MOCVD ) 种的一只 InGaAs 变形高电子......
本文在提出一个新的二段非线性２ＤＥＧ模型的基础上，建立了ＨＥＭＴ的静态和高频解析模型．对交流波动方程采用Ｂｅｓｓｅｌ函数法得到精确解．由直流特性和表征高频......
提出一种在微波与毫米波段快速、精确地建立ＨＥＭＴ器件等效电路的新方法，并对ＨＥＭＴ器件的噪声模型及参数的提取方式进行了研究．给出了等效电路模......
介绍了采用栅长为０．１５μｍ的钝化Ｉｎ０．５３Ｇａ０．４７Ａｓ／Ｉｎ０．５２Ａｌ０．４８Ａｓ／ＩｎＰＨＥＭＴ的高效Ｗ波段功率单片微波集成电路（ＭＭＩＣ）。０．１５×３２０μｍ单级ＩｎＰ功率ＨＥＭＴＭＭＩＣ放大器在９４ＧＨｚ时的最大功率附加效率为２３％，输出功率为４０ｍＷ，功率增益为４．９ｄＢ。......
ＨＥＭＴ与ＨＢＴ集成放大器的设计ＨＥＭＴ以其高增益和低噪声著称，而ＨＢＴ则以高线性度和高效率见长，因此，把ＨＥＭＴ和ＨＢＴ集成在同一衬底上的性能引起了微波设计者的观注。......
毫米波ＨＥＭＴ低噪声放大器主研人员：徐静薛良金罗慎独薛泉刘述章低噪声放大器是提高接收灵敏度的关键部件。用Ｔｏｓｈｉｂａ公司和Ｔｎｏｎｓｏｎ公司的器件，采用微带混......
Ｋａ频段低噪声ＨＥＭＴ放大器王军贤，方胜，戚友芹（南京电子器件研究所，２１００１６）ＡＫａ－ｂａｎｄＬｏｗＮｏｉｓｅＨＥＭＴＡｍｐｌｉｆｉｅｒ￥ＷａｎｇＪｕｎｘｉａｎ；ＦａｎＳｈｅｎｇ；ＱｉＹｏｕｑｉｎｇ（ＮａｎｊｉｎｇＥｌｅｃｔｒｏｎｉｃＤｅｖｉｃ...
Ka band low noise HEMT amplifier Wang Junxian, Fang Sheng, Qi You......
回顾了十年来国内外在ＧａＡｓＦＥＴ大信号模型方面的研究进展，提出了可用于ＭＥＳＦＥＴ和ＨＥＭＴ的统一的精确沟道电流模型。
The research progress of GaAsFET l......
本文在考虑到界面态陷阱的基础上，建立了ＨＥＭＴ的静态和交流小信号解析模型，该模型能够正确地描述ＨＥＭＴ的Ｋｉｎｋ效应和低频偏移效应，并和实验符合相当好......
将KrF准分子激光无铬接触式移相光刻应用于深亚微米HEMT栅图形加工，自行设计、组装了一套实验系统，很好地解决了这一器件制作的关键......
对ＩｎＡｓ沟道ＩｎＡｌＡｓ－ＩｎＡｓ高电子迁移率晶体管材料及器件的设计和器件制作工艺进行了研究，器件样品性能良好，１μｍ栅长ＩｎＡｌＡｓ－ＩｎＡｓＨＥＭＴ器件的最大跨导３００Ｋ时达到２５０ｍＳ／ｍｍ。这是国内首次......
给出了ＨＥＭＴ和ＰＨＥＭＴ的数学－物理模型。系统地描述了材料的隔离层、平面调制掺杂层、势垒耗尽层等材料结构尺寸和异质结界面二维电子气浓度及器......
本文通过变温的Ｈａｌ测量系统地研究了ＧａＡｓ基ＨＥＭＴ和ＰＨＥＭＴ以及ＩｎＰ基ＨＥＭＴ三种结构材料的电子迁移率μｎ和二维电子浓度ｎｓ．仔细地分析了不同ＨＥＭＴ结构材料的散射机制对电子......
日本富士通公司采用ＭＯＣＶＤ方法在Ｉｎｐ衬底上生长晶格匹配Ｉｎ 0 .52Ａ10 .4 8Ａｓ/Ｉｎ 0 .53Ｇａ 0 .4 7ＡｓＨＥＭＴ。这种ＨＥＭＴ的 50ｍｍＴ型Ｔｉ/Ｐｅ/Ａｕ栅制作可在小于 30 0℃下进行 ,并遏制Ｓｉ......
日本富士通研究所、通信综合研究所和大阪大学院基础工学研究科共同研制成截止频率为562GHz 的 HEMT。由于这种超高速晶体管的开......
据报道,美国加利福尼亚大学研制成新型异质结AlGaN/AIN/GaN HEMT。对于通常的HEMT在高的电荷密度下,插入极薄的AIN界面层(～1nm)保......
由于AlGaN具有高的击穿电场(3 MV/cm,是GaAs的7.5倍),且在AlGaN/GaN异质结处存在高浓度的极化诱导二维电子气,AlGaN基高电子迁移率......
