铁电场效应晶体管相关论文
随着人工智能领域的快速发展,海量数据的处理需要相应硬件的对应开发。对人脑物理结构及工作机制的深入研究使得基于非易失性内存......
大数据时代数据存储急剧增长,急需更高性能的存储器。在现有的新型非易失性存储器的横向对比中,铁电存储器(FeRAM)显示出低功耗、高......
铁电场效应晶体管(FeFET)是一种基于铁电材料自发极化特性的新型非易失性存储器,具有低功耗、非破坏性读出和读写速度快等优点。基于......
负电容铁电场效应晶体管是在传统MOS管基础上把传统的栅极氧化物材料换成铁电材料,其亚阈值斜率可以低至60 m V/dec,它是未来降低......
本论文主要研究了影响铁电场效应晶体管与负电容场效应晶体管电学性能的因素,以及ε-Ga2O3对铁电场效应晶体管与负电容场效应晶体......
铁电场效应晶体管具有非挥发性、低功耗、读写速度快等优异的存储性能,?是最有前景的新型半导体存储器件之一.?为促进铁电场效应晶......
近年来,铁电薄膜已经成为新型功能材料和微器件研究领域的热点.使用铁电薄膜代替普通场效应晶体管中的栅介质层而制成的铁电效应晶......
铁电薄膜场效应晶体管具有非破坏性读出、存储密度高、读写速度快、抗辐射性好等突出优点,是信息高新技术的前沿和热点之一.保持性......
随着数据密集型应用的日益增多,内存墙问题已成为制约计算效率的瓶颈。该文提出一种新型的浮点数(FP)运算结构,该结构嵌入了基于铁......
跟常规的商业化闪存相比,铁电场效应晶体管(FeFET)具有更高的集成密度、更低的工作电压和能耗,更好的反复擦写能力,是一种非常有......
铁电场效应晶体管(FFET)存储器能够实现非破坏性读出,是一种比较理想的存储方式,因此从一开始就受到人们极大的关注。但是其漏电流过......
铁电栅场效应晶体管(FeFET)作为非挥发性存储器的基本存储单元,受到人们的广泛关注。其中,纳米沟道FeFET以其高的场效应迁移率、大的......
信息存储是空天技术发展的基石,关系到我国在航天航空领域的发展。铁电存储器(FeRAM)具有读写速度快、可擦写次数多、操作电压低等......
铁电场效应晶体管(Fe FET)以其高的读写速度,低功耗以及非破坏性读出等特点成为了新型存储器的有力竞争者之一。铁电薄膜作为FeFET......
金属/铁电薄膜/绝缘层/硅(MFIS)结构铁电场效应晶体管(FeFET)由于具有非挥发信息存储、高读写速度、高存储密度、强抗辐射能力和非......
铁电场效应晶体管(FE-FET)作为存储器件应用,具有非挥发性保存数据和非破坏性读出数据以及集成度高、速度快、功耗低等特点,但目前的......
铁电动态随机存储器(FEDRAM)是一种采用铁电场效应晶体管(FEFET)作为其存储单元器件的新型存储器技术,具有功耗小、速度快、集成度......
该文以Si基非破坏性读出铁电存储器的制备与特性研究为目的,通过制备高质量Si基铁电薄膜,在研究MFS(Metal-Ferroelectric-Semicond......
该文首先研究了Si基BiTiO(BTO)铁电薄膜的Sol-Gel制备工艺,着重通过实验探索BTO/p-Si异质结制备的工艺参数选取和工艺流程控制;并......
在溶胶-凝胶工艺获得高质量Bi4Ti3O12薄膜的基础上,制备了Ag/Bi4Ti3O12栅n沟道铁电场效应晶体管.研究了Si基Bi4Ti3O12薄膜的生长特......
在理论分析的基础上,结合铁电材料特性及实验数据,提出了Ag/Bi4Ti3O12栅n沟道铁电场效应晶体管转换(ID-VG)特性的双曲模型并进行了......
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在磁控溅射法制备Pb(Zr0.52Ti0.18)O3(PZT)铁电薄膜的基础上,结合半导体工艺制备了金属/铁电/金属/绝缘层/Si衬底(MFMIS)结构的铁电场效应晶体......
采用溶胶-凝胶工艺制备了Si基Ag/Bi4Ti3O12栅铁电场效应晶体管.研究了Bi4TiaO12铁电薄膜厚度、栅宽/长比等器件结构参数对性能的影......
目的研究金属/铁电/金属/多晶硅/绝缘层/Si衬底(MFMIS)结构的p沟道铁电场效应晶体管的性能.方法制备金属/铁电/金属/多晶硅/绝缘层/Si衬底(MFMIS)......
采用磁控溅射法制备了(111)向择优的Pb(Zr0.52Tio48)O3(PZT)铁电薄膜,并结合半导体集成技术制备了金属/铁电/金属/多晶硅/绝缘层/Si衬底(MFMIS)结......
设计了具有金属/铁电体/半导体结构的铁电场效应晶体管(FFET),并对其特性进行了仿真.结果表明,当Vg=0时,Pr和Ps/Pr的值决定了漏极电......
碳纳米管独特的结构和电学性质为其电子器件应用提供了巨大潜力。物理所/北京凝聚态物理国家实验室博士生符汪洋、32程师许智、研究......
从铁电晶体管的动态翻转和双阈值转移特性出发,建立了一种基于施密特触发器的FEFET(铁电场效应晶体管)行为级宏模型。该宏模型可以表......
系统阐述了铁电场效应晶体管(FeFET)的工作原理,重点介绍了铁电层和缓冲层的材料设计的基本原理、主要的铁电层材料和缓冲层材料及其......
近些年来,由铁电场效应晶体管构成存储单元的铁电存储器,由于具有结构简单、非破坏性读出、不易挥发、功耗低、可多次反复读写、可高......
使用器件-电路仿真方法搭建了氧化铪基铁电场效应晶体管读写电路,研究了单粒子入射铁电场效应晶体管存储单元和外围灵敏放大器敏感......
铁电性质的发现可以追溯至上世纪二十年代,但随后仅仅被应用在少数领域。直到上世纪八十年代,随着一系列新型铁电材料的发现和发展......
铁电随机存储器(FRAM)的工作原理是利用铁电薄膜材料剩余极化双稳态的特点,它具有非易失性、高速度、高密度、抗辐射等优点,被认为半......
抗辐射加固技术是各类航天器的电子系统在空间辐射环境中稳定工作的关键技术之一,存储器作为航天器电子系统的核心部件,其性能优劣......
氮化镓基MFSFET器件以其非挥发性存储,非破坏性读出,结构简单以及适合在高温大功率环境下应用等优越性赢得了研究人员的广泛关注。......
ue*M#’#dkB4##8#”专利申请号:00109“7公开号:1278062申请日:00.06.23公开日:00.12.27申请人地址:(100084川C京市海淀区清华园申请人:清......
得到了一个铁电场效应晶体管(MFIS结构)的新的模型,并对该模型进行了电特性分析。从理论上得到了铁电极化和电场强度关系的新的表达式......
采用SOL-GEL方法分别在Si和含有SiO2的衬底上制备出PZT铁电薄膜,并获得了MFS和MFOS结构.利用MOS结构常用的C-V特性分析方法,对MFS和MFOS结构进行了高频C-V特性测试分析,研究了F/(O)S的......
铁电场效应晶体管(FeFET)凭借其具有更快的读写速度、更低的功耗以及较强的抗辐照性能等优势已被公认为是最具发展潜力的新型存储......
介绍了铁电场效应晶体管 (FFET)的基本结构、存储机制、制作方法 ,综述其结构设计的改进、铁电薄膜在 FFET中应用的进展情况 ,探讨......
论述了铁电场效应晶体管(FFET)的基本工作原理,给出了其设计方案.采用SOL-GEL法制备了基本的MFS-FET和MFOS-FET,对其电性能进行了测试分析.测试结果表明:MFOS结构的FFET具有极......
近些年来,铁电场效应晶体管得到了人们广泛的关注与研究,它被用作铁电存储器的存储单元,而铁电存储器由于其优良的特性(存储速度快......
一直以来,MOS晶体管决定着电子集成电路领域的发展。随着空间探测技术的持续发展,对电子产品在辐照环境下的性能要求也越来越高,然......
一直以来,MOSFET决定着电子集成电路领域的发展。随着空间探测技术的持续发展,对电子产品在辐照环境下的性能要求也越来越高,然而M......