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随着芯片集成度的提高、器件小型化的不断发展,由此带来的功耗问题也亟待解决。由于玻尔兹曼分布导致常规MOSFET的亚阈值摆幅（SS）无......
本论文主要研究了影响铁电场效应晶体管与负电容场效应晶体管电学性能的因素,以及ε-Ga2O3对铁电场效应晶体管与负电容场效应晶体......
近十几年来，随着纳米光子学及纳米电子学不断发展，低维半导体材料如石墨烯（Graphene）、二硫化钼（MoS2）及二硒化钼（MoSe2）等，由于其独特物理......
随着微电子技术进入纳米领域,功耗成为制约技术发展的主要因素,因此,低功耗器件成为半导体器件领域的研究热点。负电容场效应晶体......
负电容场效应晶体管（NCFET）作为超低功耗集成电路非常具有潜力的候选器件结构之一,引起了学术界和工业界的广泛关注。NCFET与传统金......
铁电材料具有负电容特性,可应用于新一代超低亚阈值摆幅晶体管中。由于铁电负电容具有准静态特性,在实际测试中,难以直接观测到单......
