HEMT器件相关论文
GaN基材料具有直接带隙、禁带宽、光吸收系数大、抗辐射及耐高温等优良的物理和化学特性,非常适合制备高性能的光电探测器或者电子......
AlGaN/GaN HEMT材料具有更大的自发极化强度和更大的压电极化系数,由于自发极化和压电极化效应的影响,AlGaN/GaN HEMT结构材料可产......
报道了AlGaN/GaN HEMT器件的制造工艺和器件的室温直流特性测试结果.器件的栅长为0.8μm,源漏间距为4μm,最大电流密度为25mA/mm,......
金属器官的化学蒸汽免职(MOCVD ) 与一个新奇多级式的缓冲栈计划的介绍在 n 类型硅底层上种的变形 Al0.50In0.50As/Ga0.47In0.53As......
在这份报纸，我们系统地高在 AlGaN/GaN metal-oxide-semiconductor 学习积极的门漏水流有用原子层免职(ALD ) 的 HfO2 电介质的电子......
An X-band AlGaN/GaN high-electron-mobility transistor (HEMT) on SiC substrate with high microwave power performances has......
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基于MOCVD生长的AlGaN/GaN异质外延材料,采用栅挖槽技术结合A12O3介质的方式研制了1um栅长MIS结构GaN增强型HEMT器件.器件阈值......
可靠性问题是GaN基HEMT器件走向实用化的关键，逆压电效应导致器件退化是近年来比较引人瞩目的理论之一。本文根据逆压电效应导......
本文回顾了GaN基HEMT器件材料结构的发展历程，就目前GaN基毫米波HEMT器件设计应用存在的两个主要问题进行了机理分析，并对GaN基H......
InP基高电子迁移率晶体管(HEMT),以其优良的特性成为微波／毫米波高频段低噪声有源器件的主要选择之一,本文根据异质结构参数设......
InP材料具有较大的击穿电压和电子迁移率，而且与其晶格匹配的In0.52A10.48As/In0.53GaO.47As异质结的导带具有较大的不连续性，可......
增强/耗尽型(E/D) HEMT器件在微波电路和高速逻辑电路领域均有广泛应用。本论文的研究工作围绕国家973项目——《新一代化合物半导......
本文对AlGaN/GaN HEMT器件模型研究的基础上，进行了MMIC功率放大器的设计。本论文从无源器件的建模（MIM电容和TaN薄膜电阻）研究开始，接......
GaN作为典型的第三代半导体材料，具有禁带宽度大、击穿电压高、耐高温及抗辐照等优点。尤其是其与AlGaN材料制作的高电子迁移率晶体......
Ⅲ族氮化物材料是制造高压、高温、高频(RF)电子器件的理想材料，对其研究成为了国内外广泛关注的焦点。由于综合性能优势，氮化镓(GaN......
GaN材料具有禁带宽度大、击穿电场高、电子迁移率高和热导率高等优势，在微波高功率领域有着极大的应用潜力。目前，以AlGaN/GaN异质结......
GaN基宽禁带半导体材料由于其优越的物理和化学特性，在制备高温、高频、大功率微波电子器件方面具有巨大潜力和广阔的应用前景，GaN基......
主要针对高速光纤通信系统中调制器驱动电路HEMTIC设计开展研究。着重讨论了PHEMT器件阈值电压、特征频率对外调制驱动电路特性的......
本文从AlN材料的物理特性入手,并阐述了其在电子器件的广泛应用.介绍了国内外的AlN单晶生长历程,到目前AlN单晶生长的最高水平.最......
反响的通道二极管(RTD ) 和高电子活动性晶体管(HEMT ) 的整体的集成是一个重要发展方向超离频速度集成电路。一种 top-RTD 和 bot......
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宽带隙GaN基材料具有临界击穿场强高、峰值电子漂移速度高以及抗腐蚀、耐高温等优异的物理、化学性质，是研制高性能的固态毫米波器......
设计了一种新的ＩｎＰ／Ｉｎ０．７５Ｇａ０．２５Ａｓ／ＩｎＰ器件结构，其特点在于采用ＩｎＰ衬底，高Ｘ值的ＩｎｘｇＡ１－ｘＡｓ沟道，选用ＩｎＰ作为势垒层，从而避免了用含Ａｌ势垒层有可能引起的ＤＸ中心对器件性能的不利影响......
主要研究了0.2Mrad60Coγ辐照前后AlGaN/GaN HEMT器件电学特性的变化,器件电学参数的退化主要表现为输出电流下降、栅泄漏电流增加......
采用不同的高场应力对SiN钝化前后的AlGaN,GaN HEMT器件进行直流应力测试,实验发现：应力后器件主要参数如饱和漏电流IDsat, 跨导峰......
为研究AlxGa1-xN势垒层的厚度和Al组分变化对增强型HEMT器件电学特性的影响,文中使用ATLAS软件,利用二元有限元方法,设计了带AlGaN......
中国科学院苏州纳米技术与纳米仿生研究所的研究人员提出了一种新的实现增强型P—GaN栅结构AlGaN／GaNHEMT（高电子迁移率晶体管）的工艺......
由于GaN具有大禁带宽度、高电子迁移率、高击穿场强等优点,GaN HEMT成为新一代功率器件研究的热点。由于极化作用,AlGaN/GaN异质结......
基于Si衬底AlGaN/GaN HEMT器件的功率放大器链是下一代S波段相控阵雷达T/R组件的核心部分。研制的S波段放大器链主要由驱动放大器......
科锐公司（Nasdaq：CREE）宣布升级一款先进的工艺设计套件’（PDK），该款PDK基于安捷伦公司的AdvancedDesignSystem（ADS）软件，能够为微波和无线......
中国科学院微电子研究所等单位的研究人员在增强型氮化镓（GaN）MIS-HEMT（金属-绝缘层-半导体高电子迁移率晶体管）器件研制方面取得新进......
本文报道了用于制造超高速集成电路的０．１μｍ栅长ＩｎＰ基ＨＥＭＴ器件技术。该技术主要包括非合金欧姆接触和具有高重复性和均匀性的Ｔ型栅技术。作为该......
近些年来,随着时代经济的飞速发展以及科技的进步,GaN材料不仅仅有着较高的饱和电子迁移速度,同时也有着较高的击穿场强。对于GaN......
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主要坑速光纤通信系统中调制器驱动电路ＨＥＭＴ ＩＣ设计开展研究。着重讨论了ＰＨＥＭＴ器件阈值电压、特征频率对外调制驱动电路特性的影响，给出了满足......
南京电子器件研究所最近研制成一种采用金刚行铜复合材料的离导热GaN功率管外壳，用于封装c波段60WGaNHEMT器件。新材料通过了外壳常......
目前，GaN基HEMT器件以其优越的性能而受到广泛的关注。在器件结构的设计中，器件的尺寸、材料的物理参数都严重影响GaN基HEMT器件的优......
Lattice-matched InAlN/AlN/GaN high electron mobility transistors (HEMTs) grown on sapphire substrate by using low-pressu......
目前，h1GaN／GaNHEMT因为其具有非常优良的电性能而使得它在微波大功率应用方面极受关注。但其性能一直受到一些因素的限制，之中最主要......
本文对一些半导体新器件,如HEMT、HBT、超晶格器件、约瑟夫逊器件、三维器件等,的工作原理,器件结构,工艺技术,器件水平和应用前景......
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2.1可靠性研究的进展在半绝缘SiC衬底上形成的GaNHEMT器件在高功率密度、高压工作、高的二维电子器浓度和高导热等方面均比GaAs有......
提出一种在微波与毫米波段快速、精确地建立ＨＥＭＴ器件等效电路的新方法，并对ＨＥＭＴ器件的噪声模型及参数的提取方式进行了研究．给出了等效电路模......
