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低压化学气相沉积(Low Pressure Chernica.l Vapor Deposition.简称LPCVD)是半导体制造工业中常用的薄膜沉积手段而晶圆(waf er )表面的温度分布是影响薄膜沉积是否均匀的最主要因素之一本文针对半导体制造过程中的晶圆表面薄膜沉积,给出了LPCVD过程建模中的重要参数—形状因子的计算方法,主要研究了沉积炉内热辐射和热传导平衡,建立了温度的二维分布的动态模型:模型结果与文献进厅了对比,并基于所建模型,对炉内温度分布进行了基本的预测控制设计.