带反并联二极管IGBT中的二极管设计

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引言反并联二极管的正确设计需要考虑各种因素。其中一些与自身技术相关,其它的与应用相关。但是,正向压降Vf、反向恢复电荷Qrr以及Rth与Zth散热能力最终将构成一种三角关系。由于在当前的二极管技术条件下,二极管芯片本身的尺寸已经被削减至很小,所以二极管设计师再次将目光投 Introduction The correct design of an anti-parallel diode requires consideration of various factors. Some are related to their own technology and others are application related. However, the forward voltage drop Vf, the reverse recovery charge Qrr, and the Rth and Zth heat dissipation capabilities will ultimately constitute a triangular relationship. Due to the current diode technology conditions, the size of the diode chip itself has been reduced to a very small, so the diode designer again to look at the vote
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