【摘 要】
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氧化锌(ZnO)是一种新型的直接宽禁带(3.37ev)半导体材料.由于其优良的物理性能,在压电转换、太阳能电池、传感器以及集成电子器件等领域有着潜在的开发前景.很多研究结果表明,ZnO薄膜的光学和电学性质与薄膜质量有着直接的关联.而薄膜质量又与其衬底材料密不可分.目前,很多研究者通过在Si衬底和ZnO薄膜间添加缓冲层或换用其他衬底材料,以期提高ZnO薄膜的质量.
【机 构】
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复旦大学信息学院光科系与工程系,上海200433 中国工程物理研究院电子工程研究所,四川绵阳621
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氧化锌(ZnO)是一种新型的直接宽禁带(3.37ev)半导体材料.由于其优良的物理性能,在压电转换、太阳能电池、传感器以及集成电子器件等领域有着潜在的开发前景.很多研究结果表明,ZnO薄膜的光学和电学性质与薄膜质量有着直接的关联.而薄膜质量又与其衬底材料密不可分.目前,很多研究者通过在Si衬底和ZnO薄膜间添加缓冲层或换用其他衬底材料,以期提高ZnO薄膜的质量.
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