脉冲磁控溅射相关论文
按铬及钼原子比1:1比例将二硼化铬及二硫化钼均匀混合的粉末作靶体.脉冲磁控溅射法在314不锈钢及硅基体上同时制备混合成份涂层.分......
在O/Ar气氛中,用脉冲磁控溅射金属V靶沉积出非晶的VO薄膜.对所沉积的薄膜进行450℃退火.利用X射线衍射,原子力显微镜,分光光度计和......
从I-V特性分析结果显示,AlSiN薄膜随着氮氩比例增加,瞬间电流随之提高:而靶材有效面积瞬间功率密度,从2618W/cm2增加至3410W/cm2。从XR......
采用磁控溅射法在较低温度下制备出室温电阻率为3.4×10-4Ω.cm,可见光范围内平均透过率为84%的掺铝的氧化锌(ZnO∶Al(AZO))薄膜。......
采用复合高功率脉冲磁控溅射技术在单晶Si片、高速钢和玻璃上制备CrN薄膜。分别研究了脉冲电压在500,600,700,750 V时对薄膜的组织......
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尽管脉冲等离子体的产生和最初应用可以追溯到 5 0年代 ,其实质性的突破发展却是在三十年后。脉冲等离子体表面技术在近五年中开始......
利用非对称双极脉冲磁控溅射制备了不用Co-La掺杂量的Ti-Co-La-N纳米复合薄膜。分别用扫描电子显微镜、X射线衍射、纳米压痕仪、划......
第十七届离子束材料表面改性国际会议(The 17th International Conference on Surface Modification of Materials by Ion beams,S......
选取氮化硅和二氧化硅作为薄膜材料,借助膜系设计软件对膜系结构进行优化,采用中频脉冲磁控溅射技术进行薄膜制备。利用高反膜透射......
用中频脉冲反应磁控溅射法,在溅射功率为78W,93W和124W以及衬底温度分别为室温,500℃及677℃下制备了氧化铒涂层.采用原子力显微镜......
实验采用脉冲磁控溅射法制备铝掺杂氧化锌(AZO)薄膜.为了进一步提高AZO薄膜的光电性能,在溅射过程中加入一定流量的氢气,以高纯ZnO......
高功率脉冲磁控溅射是一种制备高质量薄膜的新兴方法。在相同的平均功率下分别采用HPPMS技术和传统DCMS技术在凹槽工件表面制备了......
采用高功率脉冲磁控溅射与直流磁控溅射并联的复合高功率脉冲磁控溅射技术,研究直流磁控溅射部分耦合直流电流变化对Ti靶在Ar气氛......
采用单一的表面改性技术难以提高贫铀钛合金(DU-Ti)的耐蚀性能。采用等离子体浸没离子注入技术依次在DU-Ti合金表面注入N和Ti,再利......
工业生产中出现铸锭凝固面收缩不均匀的情况,导致内部出现缩孔。通过更换坩埚和修改部分参数等,发现采用碳化硅坩埚和合适的保护火......
本论文系统研究了中频磁控溅射方法制备氮化铬硬质薄膜的技术、工艺及其摩擦学性能。采用北京实力源股份有限公司的 SP0806AS 型中......
交流等离子显示器(AC PDP)具有主动发光、屏幕大、体积薄、重量轻、易于实现全彩色化显示等优点,是大屏幕高清晰度壁挂电视的首选......
本文研究了靶电源不同峰值电压及脉冲宽度条件下,MSIP016型磁控溅射离子镀工作时的电压、电流波形及伏安放电特性曲线。并选定不同......
磁控溅射技术是一种给基体上施加负电压的真空镀膜工艺。磁控溅射设备一般包括真空沉积室和磁控溅射电源等。磁控溅射工艺中,给基......
粉末靶封闭非平衡磁场脉冲磁控溅射是一种方便靶材配比、节约靶材成本的高效磁控溅射工艺,其特点是将固体粉末按成分需求配比,直接......
氧化铝涂层提供了在腐蚀或氧化环境下金属零件的保护,虽然,直到最近完全致密、无缺陷的氧化物涂层的制备是非常困难的,氧化物涂层......
采用直流脉冲磁控溅射方法,在室温下生长氢化Ga掺杂ZnO薄膜(GZO/H),并通过湿法后腐蚀技术获得绒面结构。研究了室温下H2流量对薄膜......
聚酰亚胺(PI)/石墨烯复合薄膜兼备了可挠曲性及透明、导电性,可作为柔性透明导电电极用于柔性电子器件中。但附着于PI上的石墨烯易划......
Influences of working pressure on properties for TiO2 films deposited by DC pulse magnetron sputteri
TiO2 films were deposited at room temperature by DC pulse magnetron sputtering system.The crystalline structures,morphol......
采用直流脉冲磁控溅射方法,在室温下生长氢化Ga掺杂ZnO薄膜(GZO/H),并通过湿法后腐蚀技术获得绒面结构。研究了室温下H2流量对薄膜结构......
氧化铝涂层提供了在腐蚀或氧化环境下金属零件的保护,虽然,直到最近完全致密、无缺陷的氧化物涂层的制备是非常困难的,氧化物涂层可在......
采用脉冲磁控溅射法制备氢化微晶硅薄膜,利用X射线衍射、拉曼光谱、扫描电子显微镜和四探针测试仪对薄膜结构和电学性能进行表征和......
在O2/Ar混合气氛中,用脉冲磁控溅射金属V靶沉积出非晶的V2O5薄膜.对所沉积的薄膜进行450 ℃退火.利用X射线衍射、原子力显微镜、分......
利用脉冲磁控溅射法,以铝青铜合金(C63200)和硅片为基底,制作不同Ti含量的MoS2-Ti复合涂层。通过XRD、SEM、EDS、光学显微镜、多环......
采用脉冲磁控溅射法在石英基底和柔性聚对苯二甲酸乙二醇酯(PET)上分别制备了氧化铟锡(ITO)透明导电薄膜。通过X射线衍射仪(xRD)、扫描电......
采用脉冲磁控溅射法在高纯石英基底上制备了氧化铟锡(ITO)透明导电薄膜。通过X射线衍射仪、扫描电镜对石英基底上ITO薄膜的微观结构......
在氩氧混合气氛中,常温下用脉冲磁控溅射方法在石英玻璃和硅片上制备了V2O5薄膜.用X射线衍射、X射线光电子谱和原子力显微镜对薄膜......
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在新材料研究前沿领域中,当今的沉积技术已经发展到能够制备高质量薄膜的程度,比如化学气相沉积(chemical vapor deposition, CVD)......
利用脉冲磁控溅射制备技术,采用单质金属铜靶作为溅射靶,在氧气(O2)和氩气(Ar)的混合气氛下在石英玻璃基底上制备Cu2O薄膜,研究了O......
通过脉冲磁控溅射法在掺氟氧化锡透明导电薄膜(FTO)基底上制备了氧化铟锡(ITO)透明导电薄膜。研究了溅射时间和衬底温度对FTO基底......
石英晶体谐振器制作的关键技术就是获得精确指定谐振频率的电极制备。磁控溅射镀膜技术在“被电极”工艺中的应用,较好的解决了蒸发......
在众多半导体催化材料中,TiO2具有催化活性高、氧化能力強、及光稳定性高等特性,成为最常用的一种半导体催化材料。随着世界范围内......
氧化铟锡(Tin-dope indium oxide,ITO)薄膜做为一种新型材料被应用于诸多领域,其优异的特性引起了各国专家的广泛关注和研究。ITO薄......
柔性OLED被认为是最具发展前景的下一代显示技术之一,但由于H2O、O2等有害气体的侵蚀,使柔性OLED器件很难达到商用显示器件1×104h......
用脉冲磁控溅射法在柔性衬底聚对苯二甲酸乙二醇酯(PET)上制备了氧化铟锡(ITO)透明导电薄膜,研究了溅射气压、时间和衬底温度等工......
磁控溅射技术已经成为沉积耐磨、耐蚀、装饰、光学及其他各种功能薄膜的重要手段。探讨了磁控溅射技术在非平衡磁场溅射、脉冲磁控......
氧化锌(ZnO)是一种新型的宽带隙II-VI族化合物半导体材料。掺杂ZnO体系(掺B、Al、Ga、In等)具有与ITO相比拟的光电特性,以及绿色环保、......