【摘 要】
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日本东芝电气公司研制了一种具有p—n—p—n结构的磷化镓发光二极管。生长方法是双液相外延。用拉制的GaP衬底,在石墨舟中进行外延生长。第一个n区是衬底晶体,第一个p区和第
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日本东芝电气公司研制了一种具有p—n—p—n结构的磷化镓发光二极管。生长方法是双液相外延。用拉制的GaP衬底,在石墨舟中进行外延生长。第一个n区是衬底晶体,第一个p区和第二个n区都在第一个外延层里形成,第二个n区是第二外延层。第一外延层中的p区是由于施主杂质和从石墨
Japan's Toshiba Electric Company has developed a p-n-p-n structure of gallium phosphide LED. The growth method is two-phase liquid phase epitaxy. Epitaxial growth was performed in a graphite boat using a drawn GaP substrate. The first n region is the substrate crystal, the first p region and the second n region are formed in the first epitaxial layer, and the second n region is the second epitaxial layer. The p-region in the first epitaxial layer is due to donor impurities and from graphite
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