MQW相关论文
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对1.55 μm波长的Si1-xGex光波导和Si1-xGexSi多量子阱(MQW)红外探测器的集成器件结构进行了系统的分析和优化设计。优化结果为:1)......
一种电流控制型二端及三端ＭＱＷ（多量子阱）ＩｎＧａＡｓＰ／ＩｎＰ双区共腔双稳／非线性增益开关激光器业已研制成功，文中报道了部分结果．
A current controlled two......
报告了具有ＤＣ－ＰＢＨ（双沟平面掩埋异质结构）的ＭＱＷ－ＬＤ（多量子阱激光器）端镜面镀膜对阈值电流Ｉｔｈ和激射波长λｐ的影响。指出：端镜面镀高反射膜ＨＲ（反射率Ｒ２＝７５％～９０％），Ｉｔｈ可降低３．８～５．ｌｍＡ，λ......
本文国内首次报道了LP－MOVPE法生长高质量的压、张应变交替InGaAsP多量子阱结构的研制过程及其材料的高精度X－ray双晶摇摆衍射曲线和......
采用ＬＰ－ＭＯＣＶＤ和ＬＰＥ相结合，成功地研制出了吸收型部分增益耦合ＭＱＷ－ＤＦＢ激光器．扫描显微镜照片显示了清晰的被掩埋的吸收型增益耦合光栅，表明光栅掩埋生长前......
１ＩｎｔｒｏｄｕｃｔｉｏｎＬｏｎｇｈａｕｌｏｐｔｉｃａｌｆｉｂｅｒｃｏｍｍｕｎｉｃａｔｉｏｎ，ｍｕｌｔｉ－ｃｈａｎｎｅｌｔｒａｎｓｍｉｓｉｏｎａｎｄｏｐｔｉｃａｌｆｉｂｅｒＣＡＴＶｓｙｓｔｅｍｒｅｑｕｉｒｅ１．３１μｍａｎｄ１．５５μｍＤＦＢｌａｓｅ...
1IntroductionLonghaulopticalfibercommunication, multi-channeltransmisionandopticalfiberCATVsystemrequire1.31μm......
１ＩｎｔｒｏｄｕｃｔｉｏｎＭｕｌｔｉｐｌｅＱｕａｎｔｕｍＷｅｌ（ＭＱＷ）Ｅｌｅｃｔｒｏａｂｓｏｒｐｔｉｏｎ（ＥＡ）ｍｏｄｕｌａｔｏｒｉｎｔｅｇｒａｔｅｄｗｉｔｈＤｉｓｔｒｉｂｕｔｅｄＦｅｅｄｂａｃｋ（ＤＦＢ）ｌａｓｅｒｉｓｆｕｌｏｆｐｒｏｍｉｓｅｆｏ...
1IntroductionMultipleQuantumWel (MQW) Electroabsorption (EA) modulatorintegratedwithDistributedFeedback (DFB) laser......
报道了用低压金属有机物化学气相淀积（ＬＰ－ＭＯＣＶＤ）方法外延生长ＩｎＧａＡｓＰ／ＩｎＰ应变补偿多量子阱结构。用此材料制备的掩埋异质结（ＢＨ）条形结构多量子阱激光器具有极......
介绍了InP基应变补偿MQW的研究进展 ,对应变补偿和非应变补偿MQW的特性做了对比。讨论了InP基应变补偿MQW存在的问题及如何优化InP......
该文从挂篮荷载计算、施工流程、支座及临时固结施工、挂篮安装及试验、合拢段施工、模板制作安装、钢筋安装、混凝土的浇筑及养生......
Modeling of tunneling current density of GeC based double barrier multiple quantum well resonant tun
该文从挂篮荷载计算、施工流程、支座及临时固结施工、挂篮安装及试验、合拢段施工、模板制作安装、钢筋安装、混凝土的浇筑及养生......
优化设计了1.55μm InGaAsP/InGaAsP张应变量子阱偏振不灵敏半导体光放大器的结构.利用k*p方法计算了多量子阱的价带结构,计算中考......
Photocurrent Measurement of Si1-xGex/SiMultiple Quantum Wells With Ion Implantation and Thermal Anne
Si-Ge interdiffusion in Si1-xGex/Si multiple quantum-wells (MQW) is investigated by photocurrent spectroscopy, which is ......
利用LP-MOCVD生长了不同周期的AlGaInP／GaInPMQW样品，并测量了它们的拉曼光谱。由于样品包括了掺杂的电流扩展层和欧姆接触层以及上......
本文给出了用以分析非线性包层多量子阱波导的ＴＥ模光学非线性与双稳性的方均根近似法，导出了理论公式及其计算方法。与精确分析法相比......
利用2×1．7MV串列静电加速器提供的质子束模拟空间环境辐射，对引入量子阱GaAs太阳电池和无量子阱GaAs太阳电池进行2MeV质子注量......
An electro-absorption(EA)modulator is one of key components for optical fiber communications due to the high speed,small......
大功率InGaN/GaN多量子阱蓝光发光二极管在大注入电流下,载流子泄漏而引起的效率下降问题是目前限制大功率发光二极管光电特性及其......
在国内首次设计并制作了脊波导结构的Ｉｎ０．５３Ｇａ０．４７Ａｓ／Ｉｎ０．５２Ａｌ０．４８Ａｓ多量子阱电吸收型光调制器，并对它的工作特性进行了测试。在３．０Ｖ的驱动电压下实现了２０ｄＢ以上的消光比，光......
采用一种自对准压缩台面结构制作高速1.55μm DFB激光器.激光器的典型阈值为12mA,单面斜率效率达0.157mW/mA,出光功率大于20mW.由......
采用LP－MOVPE在SiO2掩膜的InP衬底上实现了高质量的InGaAsP多量子阱（MQW）的选择区域生长（SAG），通过改变生长温度和生长压力，MQW的适用范围......
报道了正入射 Si0 .7Ge0 .3/Si多量子阱结构光电探测器的制作和实验结果 .测试了它的光电流谱和量子效率 .探测器的响应波长扩展到......
研制了利用直线法设计的基于GaAs衬底上的Mach—Zehnder行波光调制器．波导层使用了场诱折射率改变量较大的非对称多量子阱结构，采用......
采用一维传递矩阵法模拟计算了AlGaN／GaN／InGaN对称分别限制多量子阱激光器(发射波长为396.6nm)的波导特性．以光限制因子、阈值电流密......
用I-V特性、光谱响应和深能级谱分析辐射效应，分析了1×10^9～2×10^13cm^-2，2MeV质子辐照量子阱GaAs太阳电池．结果表明，随辐照......
用透射电子显微镜对Si衬底生长GaN／InGaN多量子阱材料进行横断面测试，在衬底和缓冲层区域进行高分辨电子显微成像（HRTEM）、电子衍射衬......
期刊
在10K至292K温度范围内测量了GaAs/GaAlAs多量子阱结构的激子吸收谱.观察到轻、重空穴对应的激子吸收峰(LH和HH)及台阶状态密度.研......
采用国产分子束外延系统生长的GaAs/GaAlAs多量子阱材料,成功地制备出室温自电光效应(Self Electrooptic Effect)光学双稳态器件(S......
根据多量子阱中注入载流子的输运机制，计算了多量子阱中注入载流子的非均匀分布．引入不均匀度参量Asy来衡量载流子分布的不均匀程度，......
采用PECVD技术在1.55μn InGaAsP-InP MQW激光器结构的材料上沉积SiO2薄膜和含磷组分的SiO(P)电介质薄膜,经过快速热退火(RTA)后,......
本文分析了多量子阱电吸收调制器(MQW EAM)的非线性损耗特性,从时域和频域两个方面讨论了MQW EAM驱动条件与输出光脉冲特性的关系.......
本文由有限厚度溶液及自由表面浓度和恒定表面浓度二种模型出发对ＬＰＥ生长动力学过程进行了理论分析，并导出实现薄层生长的参数控制条件......
本文国内首次报道了ＬＰ－ＭＯＶＰＥ法生长高质量的压、张应变交替ＩｎＧａＡｓＰ多量子阱结构的研制过程及其材料的高精度Ｘ－ｒａｙ双晶摇摆衍射曲线和荧光光谱特性表征。......
The effects of different potential well depths, well widths and barrier widths on energy band of multiple quantum well (......
运用基于三角函数展开的三维准矢量束传播法分析了由InGaAs/InAlAs多量子阱(MQW)构成的脊形光波导及其定向耦合器;获得了脊形光波......
采用等离子体增强化学气相沉积(PECVD)技术沉积含P电介质薄膜,用于无杂质空穴扩散(IF-VD)技术中InGaAsP-InP MQW结构中新的包封层,......
InGaAlN MQW LED发光器件已在很多领域获得了广泛运用,与人们的生活生产息息相关。蓝宝石衬底和碳化硅衬底InGaAlN MQW发光器件于......
本文报导了用分子束外延法制备的低电流阈值室温注入GaAs-AlxGa1-xAs多量子阱（MQW）激光器。在脉冲电流注入情况下,在阈值观察到了属......
利用金属有机物化学气相沉积（MOCVD）生长了不同周期的四元合金半导体材料AlGaInP／GaInP多量子阱（MQW）外延片，通过实验找到了在周期数和阱......
