沉积时间相关论文
采用直流磁控溅射技术在聚醚醚酮（PEEK）表面制备不同厚度的类金刚石（DLC）薄膜，研究了沉积时间对其表/界面结构、组分、疏水、力学和光透......
采用电化学辅助沉积技术在汽车用MB15镁合金表面制备了超疏水有机硅烷膜,研究了沉积电位、沉积时间和添加剂对膜层显微形貌、膜厚......
二硫化钼（MoS2）是类石墨烯层状材料,由于具有高载流子迁移率、无悬空键、可调控的宽带隙及摩擦系数低等优点,在电子器件领域具有广泛......
采用旋转喷涂法低温沉积制备NiZn铁氧体薄膜,研究了沉积时间对薄膜相结构、显微形貌和磁性能的影响.结果表明,随着沉积时间延长,平......
浆体浓度和沉积时间密切影响着尾矿坝溃后浆体的行为机制和成灾规模,是尾矿库溃坝防灾重要的指标参数.通过室内尾矿浆体流动试验探......
本文采用射频磁控溅射的方法在石英衬底上制备CdS 薄膜,并研究讨论了制备条件对薄膜结构、光学、电学等方面的影响.结果表明,室温......
采用脉冲电弧放电沉积法在SiC-C/C复合材料表面制备了硅酸锆-三氧化二硼的复合(ZrSiO4-B2O3)抗氧化涂层。采用XRD和SEM等测试手段......
本文研究了pin 型非晶硅（a-Si）太阳电池p/i界面掺碳缓冲层（C-buffer layer）沉积时间对电池效率和稳定性的影响。研究发现，随着掺碳缓冲......
铌、钽等过渡金属碳化物具有高熔点、高硬度、高耐磨性及良好的化学稳定性等优点，被广泛应用在各个领域。NbC和TaC为涂层材料使用不......
近些年来对绿色能源的需求推动了光伏产业的快速发展，而太阳能电池作为光电转化的核心器件受到了广泛的关注。目前硅基电池是商业化......
为了增强碳化硅(SiC)的光致发光性能,设计了三层结构的多孔SiC薄膜,衬底是单晶硅,中间层是双通阳极氧化铝(AAO)模板,顶层是SiC薄膜......
室温下,采用直流反应磁控溅射法制备透明导电氧化亚铜（Cu2O）薄膜。利用X射线衍射仪（XRD）、原子力显微镜（AFM）、四探针测试仪及拉曼光谱仪......
采用热丝化学气相沉积生长出优异的金刚石薄膜。研究了薄膜的分层生长过程，薄膜的层状结构及膜厚随沉积时间的变化特性。
Hot wire......
本文研究了稀土元素在分子电镀中的行为,指出了异丙醇中酸浓度和水含量在电沉积过程中的作用。也研究了某些杂质和沉积层厚度对稀......
作者从哲学的角度,探讨了时间的物质性这一命题,并由此认为,时间是相对的。作者分析了各种时间形式的本质和相互关系、特别对常用......
本文讨论了连续CVD Nb_3Sn层沉积速率与生产速率或带速之间的关系。研究了一定工艺条件下连续CVD层厚与沉积时间的线性生长关系和......
本文对化学镀 Ni—P 合金过程中的镀液组成对沉积速度的影响,镀层厚度与沉积时间的关系,以及镀层性能随镀层热处理的变化规律等,进......
我们采用脉冲激光(PLD)法，通过控制沉积时间制备了一组不同厚度的Sb2Te3薄膜.XRD谱表明了Sb2Te3薄膜沿着(001)面的方向外延生长......
氮化硅SiNx薄膜凭借介电常数高和稳定性好的特点而被广泛应用于光电器件中,但薄膜的厚度对器件的性能有重要影响。针对此问题采用......
为改善CrWN涂层力学性能,采用多弧离子镀技术,在硬质合金和不锈钢基底上沉积不同厚度CrN过渡层的CrWN涂层.分别采用X射线衍射仪(XR......
在光伏领域中,晶体硅(包括单晶硅和多晶硅)太阳电池一直在市场中占有主导地位(约占95%以上),但是由于晶体硅是体材料,在太阳能电池......
钨的化学物理特性使钨制品成为某些工业产品中不可缺少的零件。化学气相沉积是获得价廉质好的钨制品的一种工艺方法。本文概述了这......
应用电泳沉积法制备钇稳定二氧化锆（8YSZ）薄膜，探索了影响电泳沉积层密度、厚度、粘附性和形貌的诸多因素，确定的最佳工艺操作条件是粉......
采用脉冲电沉积法制备纳米晶镍镀层,利用扫描电镜、能谱仪、X射线衍射仪及显微硬度计对不同电沉积时间下制得的镍镀层的显微组织、......
以方石英型磷酸铝(C-AlPO4)粉体和莫来石粉体(3Al2O3·2SiO2)为原料,采用溶剂热电泳沉积方法在C/C-SiC复合材料表面制备C-AlPO4-莫......
利用直流磁控溅射(D.C.Magnetron Sputtering)法,选取总气压为80Pa,沉积时间为60min,溅射靶尺寸为φ80,在磁场强度、靶与基片之间......
用扫描电镜研究了燃焰法沉积金刚石薄膜的成核与生长行为．分析了从成核至形成连续膜期间金刚石晶粒的生长特点．研究了沉积时间对金刚......
金刚石薄膜在光谱蓝区的电致发光已有过一些研究工作。然而迄今为止,金刚石薄膜在紫外光谱区的电致发光现象尚未见有报道。我们采......
利用扫描遂道显微镜（ＳＴＭ）和Ｘ射线小角衍射（ＳＡＸＲＤ）研究了几种经常使用的直流磁控溅射条件（包括：Ａｒ气压强０６Ｐａ、溅射电流１００ｍＡ、２００ｍＡ及Ａｒ气压强０４Ｐａ、溅射电流１００ｍＡ三种条件......
本文利用脉冲电沉积的方法制备氧化镍电色材料并研究了沉积条件对其反应速度的影响。发现在较大的脉冲电源开关比及适当的反向刻蚀......
利用压缩空气雾化器，通过喷雾热分解法，以ＳｎＣｌ２·２Ｈ２Ｏ为原料，在载玻片上成功制备了ＳｎＯ２薄膜。在１１０℃到３６５℃间的不同沉积温度下进行镀膜，考察了沉积温度、......
首次以无机盐 Al Cl3· 6 H2 O为原料 ,制得 γ- Al OOH溶胶 ,采用电泳法制备微孔Al2 O3陶瓷膜 ;研究了影响电泳沉积成膜速率的因......
主要研究电沉积条件如何影响沉积产物磷酸钙涂层的晶相。实验采用金属Ti作为基板,电解液为Ca(NO3)2(45mmol/L)与NH4H2PO4(25mmol/L......
通过光发射光谱监测高速沉积微晶硅薄膜过程中I(Hα+)/I(SiH+)随沉积时间的变化趋势,分析高速率微晶硅薄膜纵向晶化率逐渐增大的原......
以不同孔径的多孔阳极氧化铝为模板，采用直流电沉积的方法，在含CdCl2和S的DMSO溶液中制备出了CdS纳米线．SEM、TEM表征的结果表明，在不......
本文报导射频溅射CoMnNi多成分氧化物薄膜的电阻温度特性,并给出薄膜电阻率与溅射气氛中O_2含量和沉积时间的关系;讨论这种薄膜的......
讨论了管式等离子体化学气相沉积制备SnO_2:Sb掺杂透明导电膜的电学性能与沉积温度,进氧量和沉积时间的依存性.在进氧量为3L/min、......
采用电沉积法将Ｔｅ电沉积在以Ｎｉ为底衬的Ｃｕ靶托上，制备出了质子回旋加速器ＣＹＣＬＯＮＥ－３０用碲靶，用以生产放射性医用同位素１２３Ｉ。研究了电流密度、电沉积时间、......
应用静电力自组装的方法在掺硼金刚石薄膜(BDD)电极表面制备了纳米Au颗粒的单层膜,通过高温加热使纳米Au颗粒牢固修饰在BDD薄膜表......
采用化学镀的方法在磷化工设备表面沉积了Ni-B涂层,对比分析了不同沉积时间下涂层的沉积速度和显微形貌,并分析了涂层的耐腐蚀性能......
对Mg-9Al-1Zn镁合金进行了碱洗除油、无铬处理和化学镀Ni-W-P处理,研究了不同表面镀层的显微形貌、孔隙率、物相组成和耐腐蚀性能......
