暗电导率相关论文
本文采用高压VHF-PECVD技术，通过改变反应气体流量的方法沉积了一系列大面积(平方米级)p型微晶硅窗口层材料，测试其厚度不均匀性、生......
本文论述了应用离子束溅射淀积非晶硅薄膜及薄膜制成后的退火与氢化处理,讨论了薄膜光特性差异的机理和获得良好光特性的方法。文......
对高压耗尽法（HPD-PECVD）制备的不同晶化率微晶硅材料及电池进行自然衰退和光致衰退实验。实验结果表明，本征微晶硅材料存在氧吸附及......
本文以SiCl4 和H2 为气源，用等离子体化学气相沉积技术，通过控制和选择工艺条件，在小于300℃的低温下快速生长多晶硅薄膜，沉积速率高达......
用等离子体化学气相沉积(PCVD)制备a-Si:H薄膜,通过固相晶化法(SPC)获得多晶硅薄膜(退火温度500-650℃).利用X射线衍射分析多晶硅......
采用等离子体辅助化学气相沉积(PECVD)技术,在Corning Eg 2000玻璃上制备非晶硅薄膜,研究了射频功率对薄膜光电性能的影响。结果表......
采用射频等离子体增强化学气相沉积(rf-PECVD)技术,在玻璃和硅衬底上沉积微晶硅(μc-Si:H)薄膜。利用拉曼光谱、AFM和电导率测试对......
利用射频等离子体增强化学气相沉积(RF-PECVD)技术,以B2H6为掺杂剂,在玻璃衬底上制备了厚度为40nm左右的p型微晶硅薄膜.为获得高电......
准确测量得到卫星介质材料的电导率对于卫星深层充电危害评估具有重要意义。在电荷贮存衰减法的基础上,文章提出了一种获得介质材......
对不同C／Si比的掺磷非晶碳化硅薄膜的光电性质进行了研究。发现对于原始样品，随着C／Si比的减小，材料的光学带隙逐渐减小，暗电导率逐渐增......
利用射频等离子体增强化学气相沉积（RF—PECVD）技术，以B2H6为掺杂剂，在玻璃衬底上制备了厚度为40nm左右的P型微晶硅薄膜。为获得高电导......
为了制备应用于太阳电池的优质多晶硅薄膜,研究了非晶硅薄膜的快速光热退火技术.先利用PECVD设备沉积非晶硅薄膜,然后放入快速光热......
利用普通低压化学气相沉积技术在玻璃衬底上制备了大面积的纳米硅薄膜.不同温度下薄膜暗电导率的测试研究表明,薄膜的室温暗电导率......
采用氢等离子体加热的方法晶化a-Si:H薄膜制备多晶硅薄膜.用Raman散射谱进行结构表征和分析,研究了薄膜晶化率对暗电导率的影响.结......
用真空共蒸发法沉积了ＺｎＴｅ和ＺｎＴｅ：Ｃｕ多晶薄膜，研究了Ｃｕ含量对薄膜结构和电学性能的影响。发现刚沉积的ＺｎＴｅ薄膜和轻掺杂的ＺｎＴｅ：Ｃｕ薄膜的结构均为高度（１１１）择优取向......
采用可与Si平面工艺兼容的特殊设计的化学气相沉积系统在玻璃衬底上制备了大面积的纳米Si薄膜.高分辨率电子显微镜和选区电子衍射......
宽带隙,高电导的P型a-Si合金窗口材料是研制非晶硅太阳电池的关键。与用乙硼烷作为掺杂剂相比,用三甲基硼掺杂可以大幅度降低P材料......
采用氢等离子体加热的方法晶化a-Si：H薄膜制备多晶硅薄膜,用Raman散射谱和傅里叶变换红外吸收谱（FT-IR）等方法进行表征和分析.研究了......
为了制备优质的多晶硅薄膜,该论文研究了非晶硅薄膜的快速热退火(RTA)技术.先利用PECVD设备沉积非晶硅薄膜,然后把其放入快速热退......
采用射频等离子增强化学气相沉积（RF-PECVD）方法,以氢稀释的硅烷（SiH4）为反应气体,磷烷（PH3）为掺杂气体,制备了n型氢化非晶硅（a-Si：H）薄膜。......
采用常规射频等离子体增强化学气相沉积方法,以高氢稀释的Si H4为源气体和以PH3为掺杂剂,制备了磷掺杂的氢化纳米晶硅薄膜。结果表......
从材料学角度分析,硅系太阳能电池中结构最为完整的单晶硅太阳能电池转换效率最高,结构较为完整的多晶硅太阳能电池次之,而呈无序......
当前,非晶硅薄膜太阳能电池以其成本低,工艺简单,能量回收时间短等优点得到了广泛关注。根据衬底状况和各层沉积顺序的不同,非晶硅......
采用射频等离子增强化学气相沉积方法制备了磷掺杂氢化非晶硅(a-Si:H)薄膜。通过Raman散射光谱研究了不同磷烷掺杂含量薄膜的微结......
