等离子色散效应相关论文
We demonstrate a sub-nanosecond electro-optical switch with low crosstalk in a silicon-on-insulator (SOI) dual-coupled m......
硅的等离子色散效应反映了硅的折射率及吸收系数随硅中自由载流子(包括自由电子和自由空穴)浓度的变化.本文介绍了硅的等离子色散......
提出了一种SOI新型MOS电容型电光调制器.与普通单一电容型MOS调制器相比,由三层栅氧化层形成的新型MOS电容型调制器提高了调制效率......
本论文主要涉及到新型硅基光波导开关的设计、制作和测试，内容包括： A.利用SiGe材料，结合多模干涉(MMI)原理和等离子色散效应，理论......
硅基光电子集成(Si-OEIC)是当前国际上的一个研究热点.Silicon-on-insulator(SOI)材料以其优异的性能成为制作光子集成和光电子集......
光交叉连接(OXC)和光上下路复用(OADM)模块是构成全光网的核心器件，而光开关是这两种模块的基本构成单元，因此它们在全光网中起着不......
目前，集成电路中芯片特征尺寸的进一步缩小受到量子隧穿效应等基本物理原理的限制从而导致了集成电路很难按照摩尔定律继续发展下去......
分析了载流子吸收对SOI材料制作的Y分支型Mach-Zehnder干涉型电光调制器／开关性能的影响，并提出了改进器件性能的一些措施。......
提出了一种SOI新型MOS电容型电光调制器．与普通单一电容型MOS调制器相比，由三层栅氧化层形成的新型MOS电容型调制器提高了调制效率．模......
在超紧缩双曲锥形3 dB多模干涉耦合器的基础上,设计了一种新的Silicon-on-insulator (SOI) Mach-Zehnder干涉型电光调制器.与传统......
在研制成功ＧｅＳｉ合金单模脊形波导事，进一步用这种波导研制Ｍａｃｈ－Ｚｅｈｎｄｅｒ调制器。文中对调制器设计中的三个步骤进行了优化，分析并且讨论了结构不对称性......
提出了一种新的紧缩型SOI多模干涉(MMI)光开关.开关由单模输入输出波导和MMI耦合器组成.通过在多模波导区域引入调制区,利用Si的等......
分析了SOI (silicon-on-insulator)2×2电光开关工作时热光效应对等离子色散效应的影响.采用二维半导体器件模拟器PISCES-Ⅱ对......
硅材料作为微电子领域的传统材料,在加工工艺和制作成本上有着其他材料无可比拟的优势。现在许多传统的基于Ⅲ-Ⅴ族材料的电光调制......
