束缚能相关论文
由于半导体量子阱线中激子和复杂激子的特性在光学器件中有着重要的作用。所以对低维半导体结构（量子阱、量子阱线，量子点等）在过去几......
本文运用手征SU（3）夸克模型和扩展的手征SU（3）夸克模型,采用共振群方法分别对S波重子Σ（*）与介子DΣ（*）、B（*）和重子Σ（*）与反介子（?）（*）、（?）（*）组合而......
低维半导体材料以其独特的物理特性,在光电子学、磁学、纳米电子学、生物学、医学等领域有着极为广泛的应用。由于低维半导体材料......
基于共轭聚合物给体(D)/富勒烯受体(A)的聚合物太阳能电池,由于其低成本、柔性等特点,依然是光伏产业的重要方向.目前,其核心问题......
利用能量为2.5MeV的电子束沿生长方向(0001)对GaN/Al2O3异质结外延层进行电子辐照,辐照剂量分别为1×1015/cm2和5×1015/cm2。辐照......
该文应用自洽场Ｘ散射波（ＳＣＦ－Ｘα－ＳＷ）方法计算了Ｃｕ〈，ｎ〉（ｎ＝２－７）原子簇的电子结构，给出了原子簇的束缚能，费米能及原子间键合特征。结合原子簇束缚能和它的键......
利用二维有限差分方法,计算了含有H_2~+杂质的方形量子点的基态能和杂质束缚能。讨论了磁场和杂质位置对不同尺寸的量子点中电子基......
该文应用自洽场Ｘ散射波（ＳＣＦ－Ｘα－ＳＷ）方法计算了Ｃｕ〈，ｎ〉（ｎ＝２－７）原子簇的电子结构，给出了原子簇的束缚能，费米能及原子间键合特征。结合原子簇束缚能和它的键......
本文用改进的Ｌｅｅ－Ｌｏｗ－ｐｉｎｅｓ变分法研究了界面光学声子，局域体光学声子以及半无限体光学声子对有限深量子阱中极化子束缚能的影响，得到了电子束缚态......
本文主要依据在辉光放电条件下Ｄ／金属系统的ｘ射线发射和中子、γ射线产生的实验结果说明冷核聚变的存在，并介绍了电荷－电子偶模型的解，说......
研究了强磁场条件下有限深量子阱中的中性施主．计算了中性施主的基态能量和束缚能，讨论了阱宽对中性施主束缚能的影响．
The neutral ......
构造一个多阱系统来模拟强激光照射下惯性约束的电离团簇的动力学行为,电子在强激光场的驱动下将在该多阱联合势场中运动.联合势场......
研究非晶ＳｉＯ２缺陷能级上电子的隧道效应，移植实验的ＸＰＳ芯能级谱技术，用ＤＶ－Ｘα计算界面ＳｉＯ２／ＺｎＳ的能带断错，认为该界面处的能带断错是电子加速的主要机制．
......
用变分法研究了磁场条件下异质界面上中性施主Ｄ０问题．得到了该结构中Ｄ０的基态能量和束缚能随磁场的变化关系
The variational method i......
给出了对９种离子微团簇束缚能和立体结构的实测结果，对测量的原理和方法、高分辨装置和技术作了介绍。
The measured results of bi......
利用微扰－变分法研究了极性三元混晶中束缚在浅库仑杂质中心的极化子．采用改进的无序元胞独立位移模型和有效声子模近似，计及电子和两......
用简单的几何模型计算了双激子体系的束缚能，得到二维双激子与单激子的束缚能比率随σ＝ｍ＊ｅ／ｍ＊ｈ从０．３２４到０．２２８之间变化，与前人的实验和理论结果符合较好......
在分子束外延生长的ＺｎＣｄＳｅ／ＺｎＳｅ单量子阱结构中，观察到了双激子发光谱．采用不同宽度的量子阱，得出了双激子束缚能与量子阱宽度的依赖关系．研究了双......
在不同晶格温度和不同激发光强度下，测量了四元系ＧａＩｎＡｓＳｂ／ＧａＡｌＡｓＳｂ单量子阱中自由激子的荧光光谱，导出了稳态光谱测量条件下自由激子荧光强度与激发光......
在有效质量近似下，采用无限深势阱模型研究了强受限范围内球形、圆柱形、立方形半导体量子点的形状对受限激子的影响．结果表明对于采......
考虑有效质量随空间位置的变化 ( SDEM效应 ) ,计算了垂直磁场作用下量子阱中电子的第一子带 ,与不考虑 SDEM效应的结果做了比较 ,......
当电子数目很少时 ,用简谐势来描述量子点中电子所受的约束是一种很准确的近似。文章利用量子力学中的少体理论方法研究了二电子系......
某些共轭聚合物具有发光性能，有望作为发光二极管之类应用，其性能主要受最大可能的理论电致发光效率的限制 [1， 2]。若最低能量激发态......
本文利用EHT(Extended Huckel Method)紧束缚能带计算方法,计算了Tl_2Ba_2CaCu_2O_8在晶体中三种不同氧缺位条件下的电子能带,讨论......
电子能谱技术是近十几年才迅速发展起来的一门新技术。用一束具有一定能量的入射束轰击样品表面,收集并分析各种被激发出来的发射......
在许多晶体离子交换剂上,例如在沸石上,有多种交换位可以被阳离子A和B占据。这些不同的交换位在晶体内部是到处混合均匀的。只要......
运用三参数变分法,研究了在垂直于生长方向的磁场作用下抛物量子阱中类氢杂质态的束缚能和1s→2p-态跃迁能.结果表明,束缚能和跃迁......
利用精确对角化方法,研究了抛物势双层量子点中带负电荷激子的1S态和3P态的关联能与量子点的束缚势大小的变化关系,以及1S态对应几......
为了理解在三势垒结构中准束缚能级Ez和隧穿寿命对磁场的依赖性,采用传输矩阵的方法研究了在三势垒结构中的共振隧穿过程。分别研......
采用了Lee T D,et al变分法和Jiang H X强微扰理论计算在磁场作用下量子阱中类氢杂质的束缚能,考虑了电子与纵光学声子LO和面光学......
研究了低温(1.5K)条件下弱耦合GaAs/AlGaAs/InGaAs双势阱结构的纵向磁隧穿特性.研究表明,器件在零偏压下处于共振状态.通过分析不......
利用低速高电荷态Xeq+和Pbq+离子对在蓝宝石衬底上生长的GaN晶体膜样品进行辐照,并利用X射线光电子能谱(XPS)对样品表面化学组成和......
基于密度泛函理论的第一性原理方法,通过形成能和束缚能的计算研究了B在Hg_(0.75)Cd_(0.25)Te中的掺杂效应.结果表明B在Hg_(0.75)C......
在In_(0.6)Ga_(0.4)As/GaAs量子点中,采用一维等效势模型和有限差分法理论计算了激子态的性质,得到了激子跃迁能和束缚能随磁场、......
本文运用第一性原理的计算方法,以C/TM和N/TM共掺杂(碳与过渡金属共掺杂和氮与过渡金属共掺杂)TiO_2为例,分别计算了它们共掺杂TiO......
用紧束缚能带计算方法(EHT)研究了标题多元合金的能带及电子结构。发现少量的多种元素在γ-TiAl中掺杂,对合金中电荷分布的影响,具......
采用变分的方法讨论了异质界面上中性施主D0和负施主离子D-的能量随垂直于界面的磁场的变化情况,分析所选择的两种波函数的适用范......
考虑有效质量随空间位置的变化(SDEM效应),计算了垂直磁场作用下量子阱中电子的第一子带,与不考虑SDEM效应的结果做了比较,并对其......
本文运用手征SU(3)夸克模型和拓展手征SU(3)夸克模型,采用共振群方法对基态重子Δ与重味介子D(*)、B*)、D(*)和B(*)形成的五夸克系......
风筝在天上飞，孩子在地上跑。孩子说，看我放的风筝飞得多高;风筝说，看我遛的孩子跑得多欢。我们在愉快地刷微信，微信却窃笑：我刷了人类......
