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针对活性弹丸更有效地应用于制式弹丸,提高动能弹丸的威力,利用非线性动力学数值模拟软件AUTODYN-3D对不同碰撞速度下活性弹丸侵彻......
据《2021中国网络视听发展研究报告》数据显示,截至2020年12月,全国网络视听用户达到9.44亿,网民使用率95.4%。智能电视进一步普及......
目的:观察2种不同激活方案对辅助生殖技术中未受精的成熟卵母细胞的激活效果及其胚胎发育情况。方法:收集常规IVF及ICSI后48h移植......
面对家电智能化，用户与企业目前显然不在一个调频上。数据显示，目前家庭智能家电用户激活率尚不足20％，半年后仍会使用家电智能功能的用......
近几年,车联网成为业内热议的焦点词汇,并呈现出不可阻挡的发展势头。甚至有业内人士预测,未来10年将是中国车联网的高速发展期。......
首次发现达托霉素是一种新的胰蛋白酶激活剂,当胰蛋白酶与达托霉素的物质的量的比在反应时达到34.05时,达托霉素对胰蛋白酶比活力......
本文应用二次离子质谱（ＳＩＭＳ），微分霍尔效应和透射电镜（ＴＥＭ）研究了硅中高温注入砷离子的扩散和激活行为．将１８０ＫｅＶ，１×１０１５ｃｍ－２砷离子在５００℃至１０００℃的温度范围内注入硅．研......
采用室温下Se+离子注入半绝缘GaAs衬底,通过优化注入能量、剂量、注入角度及快速热退火温度、时间,获得了高剂量(1×1013cm-2、200......
集成电路的发展要求制备出超浅结或超薄有源层，以满足器件高密度和高速度的要求，低能离子注入是形成浅结的最有效手段，本文介绍了低能......
介绍了离子注入ⅢⅤ族化合物半导体的特点，论述了离子注入ⅢⅤ族化合物半导体获得ｎ 、ｐ 型及深补偿能级的研究现状，讨论了离子注入......
对Ｓｉ＋注入ＧａＡｓ的前后及其退火的前后用和不用ＳｉＯ２包封进行了对比 实验。包封退火大大提高了注入离子的激活率；在包封退火的情况下，光片注入 的要......
摘 要：零售商为了挖掘会员的潜在商业价值，需要通过促销活动把会员从休眠状态转化为活跃状态。为了研究商场折扣率与会员转化率和激......
目的:了解慢性乙型肝炎病毒携带者的肝组织病理改变、乙型肝炎再激活率等。方法:对无锡地区220例慢性乙型肝炎病毒携带者进行了为......
肿瘤共同抗原的提取及体外鉴定──淋巴细胞分裂试验肿瘤研究所任丽君，袁孝纯，殷秀敏肿瘤共同抗原的提取及检测是一个重要的课题，在临......
用膜片钳、反义寡核苷酸、免疫荧光及激光共聚焦显微镜等技术 ,研究MDR1基因在牛睫状体色素上皮(pigmentedciliaryepithelial,PCE)......
目的 :建立卵胞浆内单精子注射技术 ( ICSI)前人精子激活卵细胞相关因子检测方法。方法 :选用 2 0～ 2 5 g昆明雌性白鼠 ,超排卵取卵......
目的探讨乙型肝炎病毒感染与弥漫大B细胞淋巴瘤临床病理的关系。方法 200例初治弥漫大B细胞淋巴瘤患者,采用酶联免疫吸附试验检测......
本文用淋巴细胞 E 受体激活试验对 HET 进行了浓度、种属性、期限活性及对不同个体 E 受体的激活差异和规律等方面的活性研究,实验......
目的:观察六味地黄方含药血清对酪氨酸酶活性的影响。方法:制备含药血清,采用多巴色素法测定不同浓度不同时间含药血清对酪氨酸酶......
目的：研究硒酸酯多糖（ＫＳＣ）对ＣＤ＿３ＡＫ细胞增殖活性和杀瘤活性的增强效应。方法：应用ＣＤ＿３单抗（ＣＤ＿３ＭｃＡｂ）和小剂量ｒＩＬ－２从正常外周血单个核细胞中诱生ＣＤ＿３ＡＫ细胞；观察ＫＳＣ在诱生和扩......
对注Ｓｉ￣＋的ＧａＡｓ样品（注入能量１８０ｋｅＶ、剂量５×ｌ０￣（１２）～１０￣（１５）ｃｍ￣（－２）采用白光快速退火，测量其χ射线双晶衍射谱并结合背散射，Ｈａｌｌ测量结果，分析了注入引起的应变及掺杂机理。根据......
本文以研究支气管患儿NK活性偏低的机制为目的,讨论了其双亲的NK活性。实验对象为非投药时的支气管喘息患儿78例,其中特应型72例;......
目的:研究高温处理补骨脂对酪氨酸酶活性的影响。方法:采用体外酪氨酸酶多巴速率氧化微量法,测定高温处理补骨脂后对酪氨酸酶活性......
用砷(100keV,10~(15)/cm~2)注入到硅中后用扫描电子束退火,得到的主要结果为:(1)经电子束退火后样品的电激活率与把样品控制在连续......
用红外吸收光谱、拉曼光谱、反射光谱、椭偏光法等研究了注氮硅的光学性质.注入条件为(1×10~(14)-1×10~(17))N·cm~(-2),70keV.......
连续电子束退火是继激光退火之后出现的一种更有希望的离子注入层退火新工艺。DT-1型连续电子束退火实验装置是我国第一台连续电......
本文介绍利用扫描电子束对离子注入掺杂磷的多晶硅进行退火、研究退火条件对多晶硅载流子激活率,迁移率和结构的影响,并与热退火进......
用卤素灯在砷气压下对注Si~+的GaAs进行快速热退火,以研究退火温度和退火时间对薄层载流子浓度和迁移率的影响。注入层的激活率主......
本文研究了离子注入后碘钨灯的退火效果;测量了离子注入和瞬态退火样品的电阻率、迁移率、电激活率和注入层电阻率的均匀性;用背散......
半绝缘InP单晶离子注入硅后,进行了包封与无包封热退火研究。结果表明:用SiO_2膜作包封层的注Si~+InP样品在热退火温度达580℃时开......
对高浓度注砷硅(双能量注入150 keV、1.05 × 10~(14)cm~(-2)和 60 keV、3.5×10~(15)cm~(-2)的连续Ar~+激光退火进行了研究.实验......
本文报导了用卤素灯作加热源的快速退火系统研究Si~+注入高纯SI-GaAs的快速退火特性,得到了良好的注入激活层,并制成了6GHz下输出......
本文研究了硅中砷离子注入层经红外辐照退火后的热处理特性,测量了表面薄层电阻随后热处理温度的变化关系.实验结果表明,对于红外......
本文研究了 InGaAs外延层中的Be~+注入,采用SIMS、电化学C-V和Hall等方法进行了测试分析,结果表明:采用低于700℃的近似包封变温热......
本文描述作者研制的碘钨灯快速退火装置及其工艺实验。该装置具有结构非常简单、成本非常低廉以及操作十分方便等优点。使用该装置......
本文研究了SiO_2掩蔽膜硼离子注入硅的卤钨灯辐照快速退火,测量了注入层表面薄层电阻与退火温度及退火时间的关系,得到了最佳的退......
使用高频感应加热的石墨作为红外热辐射源研究了SI-GaAs中Si注入的快速热退火(RTA)。对快速热退火在缺陷消除方面较常规退火具有的......
本文研究了硅中离子注入层的红外瞬态退火,证实了它与常规热退火具有相同的再结晶机理——固相外延再结晶过程.对于注As~+和注B~+......
本文研究了硅中离子注入层的卤钨灯辐照快速退火,对注B 和注P 样品分别测量了经1100℃、15秒和1050℃、12秒退火后注入层的载流子......
在2in和3in的SI-GaAs衬底上进行Si、Be、Mg等离子注入,用商用炉进行快速热退火,并用扫描微波光电导、C-V曲线及Hall测试等方法研究......
